碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
Diodes推出新型P通道MOSFET
- Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機及平板計算機等。
- 關(guān)鍵字： Diodes MOSFET DMP1245UFCL
AOS推出適用便攜式應用的功率MOSFET
- 日前，集設(shè)計，開發(fā)和全球銷售的功率半導體供應商AOS半導體有限公司（AOS），發(fā)布了具有行業(yè)領(lǐng)先標準的高功率密度和高效能的功率MOSFET，它們的DFN3X3封裝厚度只有超薄的0.8毫米。 新的產(chǎn)品上應用了AOS的AlphaMOS專利技術(shù)。這些技術(shù)的好處在于它可以延長電池的使用壽命，還可以使設(shè)計變的更簡單緊湊，適用于便攜式產(chǎn)品，例如：平板電腦、智能手機,電子書、筆記本電腦、數(shù)碼相機及便攜式音樂播放器。 AON7421和AON7423是20V P溝道MOSFET，它們的RDS(ON)是目前市
- 關(guān)鍵字： AOS MOSFET
羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
- 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
- 關(guān)鍵字： 羅姆 SiC MOS
在SMPS應用中選擇IGBT和MOSFET的比較
- 開關(guān)電源（SwitchModePowerSupply；SMPS）的性能在很大程度上依賴于功率半導體器件的選擇，即開關(guān)管和整流...
- 關(guān)鍵字： 開關(guān)電源 IGBT MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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