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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

            碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)

            功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術

            • 過去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象,且其封裝簡單,主要采用TO220 和 TO247
            • 關鍵字: MOSFET  功率器件  汽車電子    

            MOSFET雙峰效應的評估方法簡介

            • 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后,MOSFET快速的發(fā)展
            • 關鍵字: MOSFET  雙峰效  方法    

            瑞薩電子推出新款超級結MOSFET

            • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723),高級半導體解決方案的主要供應商,日前宣布推出三款新型超級結金屬氧化物場效應三極管(超級結MOSFET),具有如下的特點:600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷,適用于高速電機驅動、DC-DC轉換器和DC-AC逆變器應用。
            • 關鍵字: 瑞薩  MOSFET  

            MOSFET驅動器及功耗計算方法

            • 我們先來看看MOS關模型:



              Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
              Cgd:是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是
              耗盡區(qū)電容
            • 關鍵字: MOSFET  驅動器  功耗計算  方法    

            Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

            • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝,具有N溝道器件中最低的導通電阻。
            • 關鍵字: Vishay  MOSFET  SiA436DJ  

            高效能低電壓Power MOSFET及其參數與應用

            • 前言近年來,產業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴重的地球暖化現(xiàn)象,促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視,更造...
            • 關鍵字: 高效能  Power  MOSFET  

            MHP技術在鋰電池電路保護中的應用

            • 鋰離子電池的先進技術使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量,可以取代諸如電動工具、電...
            • 關鍵字: MHP技術  鋰電池  電路保護  MOSFET  

            理解MOSFET開關損耗和主導參數

            • 本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知...
            • 關鍵字: MOSFET  開關損耗  主導參數  

            羅姆開發(fā)出用于DC/DC轉換器的耐壓30V功率MOSFET

            • 日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器,開發(fā)出了功率MOSFET。
            • 關鍵字: 羅姆  MOSFET  DC/DC  

            恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

            • 恩智浦半導體(納斯達克代碼:NXPI)日前推出業(yè)內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢,與傳統(tǒng)無引腳封裝相比,焊接連接質量更好。
            • 關鍵字: 恩智浦  MOSFET  

            英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

            • 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列,立足于英飛凌在SiC技術開發(fā)以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
            • 關鍵字: 英飛凌  SiC  JFET  

            IR推出車用功率MOSFET

            • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列,適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內的各類汽車應用。
            • 關鍵字: IR  MOSFET  

            能使導通電阻下降的功率MOSFET相關情況解析方案

            • 工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高,從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
            • 關鍵字: 情況  解析  方案  相關  MOSFET  電阻  下降  功率  能使導  

            開關電源MOSFET驅動電路介紹及分析

            • 開關電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點,應用已越來越普及。MOSFET由于開關速度快、易并聯(lián)、所需驅動功率低等優(yōu)點已成為開關電源最常用的功率開關器件之一。而驅動電路的好壞直接影響開關電源工作的可靠性及性能
            • 關鍵字: 介紹  分析  電路  驅動  MOSFET  開關電源  
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            碳化硅(sic)mosfet介紹

            您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
            歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

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