- 過去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象,且其封裝簡單,主要采用TO220 和 TO247
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MOSFET 功率器件 汽車電子
- 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后,MOSFET快速的發(fā)展
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MOSFET 雙峰效 方法
- 瑞薩電子公司 (TSE: 6723),高級半導體解決方案的主要供應商,日前宣布推出三款新型超級結金屬氧化物場效應三極管(超級結MOSFET),具有如下的特點:600V功率半導體器件中的導通電阻X柵極電荷,適用于高速電機驅動、DC-DC轉換器和DC-AC逆變器應用。
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瑞薩 MOSFET
- 我們先來看看MOS關模型:
Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd:是兩個不同作用的結果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是
耗盡區(qū)電容
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MOSFET 驅動器 功耗計算 方法
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝,具有N溝道器件中最低的導通電阻。
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Vishay MOSFET SiA436DJ
- 前言近年來,產業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴重的地球暖化現(xiàn)象,促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視,更造...
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高效能 Power MOSFET
- 本文詳細分析計算開關損耗,并論述實際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程,從而使電子工程師知...
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MOSFET 開關損耗 主導參數
- 日本知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉換器,開發(fā)出了功率MOSFET。
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羅姆 MOSFET DC/DC
- 恩智浦半導體(納斯達克代碼:NXPI)日前推出業(yè)內首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側焊盤的超薄DFN (分立式扁平無引腳)封裝MOSFET。這些獨特的側焊盤提供光學焊接檢測的優(yōu)勢,與傳統(tǒng)無引腳封裝相比,焊接連接質量更好。
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恩智浦 MOSFET
- 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列,立足于英飛凌在SiC技術開發(fā)以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
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英飛凌 SiC JFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出采用堅固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列,適合包括無刷直流電機、水泵和冷卻系統(tǒng)在內的各類汽車應用。
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IR MOSFET
- 工程師在為汽車電子設計電源系統(tǒng)時可能會遇到在設計任何電源應用時都會面臨的挑戰(zhàn)。因為功率器件MOSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過120℃會使器件的結點溫度升高,從而引發(fā)可靠性和其它問題。在
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情況 解析 方案 相關 MOSFET 電阻 下降 功率 能使導
- 開關電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點,應用已越來越普及。MOSFET由于開關速度快、易并聯(lián)、所需驅動功率低等優(yōu)點已成為開關電源最常用的功率開關器件之一。而驅動電路的好壞直接影響開關電源工作的可靠性及性能
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介紹 分析 電路 驅動 MOSFET 開關電源
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