在线看毛片网站电影-亚洲国产欧美日韩精品一区二区三区,国产欧美乱夫不卡无乱码,国产精品欧美久久久天天影视,精品一区二区三区视频在线观看,亚洲国产精品人成乱码天天看,日韩久久久一区,91精品国产91免费

<menu id="6qfwx"><li id="6qfwx"></li></menu>
    1. <menu id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></menu>

      <label id="6qfwx"><ol id="6qfwx"></ol></label><menu id="6qfwx"></menu><object id="6qfwx"><strike id="6qfwx"><noscript id="6qfwx"></noscript></strike></object>
        1. <center id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></center>

            首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 碳化硅(sic)mosfet

            如何為開關(guān)電源選擇合適的MOSFET?

            • DC/DC開關(guān)控制器的MOSFET選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi),必須在低柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中,這種情況會變得更加復(fù)雜。圖1:降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖。DC/DC開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如,同時擁有一個高側(cè)FET和低側(cè)FET的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器,如圖1所示。這兩個FET會根據(jù)控制器設(shè)置的占空比進行開關(guān)操作,旨在達到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方
            • 關(guān)鍵字: 開關(guān)電源  MOSFET  

            Nexperia先進電熱模型可覆蓋整個MOSFET工作溫度范圍

            • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布MOSFET器件推出全新增強型電熱模型。半導(dǎo)體制造商通常會為MOSFET提供仿真模型,但一般僅限于在典型工作溫度下建模的少量器件參數(shù)。Nexperia的全新先進模型可捕獲-55℃至175℃的整個工作溫度范圍的一系列完整器件參數(shù)。這些先進模型中加入了反向二極管恢復(fù)時間和電磁兼容性(EMC),大大提升了器件整體精度。參數(shù)可幫助工程師建立精確的電路和系統(tǒng)級仿真,并在原型設(shè)計前對電熱及EMC性能進行評估。模型還有助于節(jié)省時間和資源,工程師此
            • 關(guān)鍵字: Nexperia  電熱模型  MOSFET  

            羅姆SiC評估板測評:快充測試

            • 一、測試工裝準(zhǔn)備1、P02SCT3040KR-EVK-001測試板2、電壓源3、示波器4、負載儀二、測試項目進行1、安裝 SIC后的空載波形SiC安裝空載波形空板,空載GS 為100hz 25V 信號2、DCDC 在線測試1)空載測試驅(qū)動空載輸出12V,gs驅(qū)動為200hz總寬度3.6uS的錐形信號2)加載  24轉(zhuǎn)55V  2A dcdc驅(qū)動信號波形如下:帶載 6.6k 15V驅(qū)動信號單脈沖寬度,3uS左右總結(jié)由于輕負載,溫度始終未超過50度。開關(guān)速度方面優(yōu)于硅基產(chǎn)品,以后有對應(yīng)設(shè)備
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

            羅姆SiC評估板測評:射頻熱凝控制儀測試

            • 測試設(shè)備①直流電源由于手上沒有高電壓的直流電源,只能使用一般的電源,且手上只有一個低壓直流穩(wěn)壓源,所以這穩(wěn)壓電源既用于給開發(fā)板電源供電,又用于半橋母線電源。②電子負載半橋電源電源的輸出負載,可恒流或者恒壓或者恒負載,測試電源的帶載能力非常好用。③信號發(fā)生器產(chǎn)生不同頻率的可調(diào)制的方波信號,用于MOS管的驅(qū)動④示波器觀察驅(qū)動信號、輸出信號、MOS管的波形⑤萬用表測量各測試點的電壓⑥溫度巡檢儀測量帶載后MOS管的溫度測試拓撲將說明書中電路按照上述描述修改:兩個直流電源換成CBB電容,在Hvdc母線上加上12V電
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

            羅姆SiC評估板測評:基于碲化鎘弱光發(fā)電玻璃的高效功率變換技術(shù)研究

            • 感謝ROHM公司提供的P02SCT3040KR-EVK-001評估板,有幸參與評估板的測試。拿到評估板的第一感覺就是扎實,評估板四層PCB的板子厚度達到了30mm;高壓區(qū)域也有明顯的標(biāo)識。
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  ROHM  

            SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)解析

            • 本文將對SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進行介紹。
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

            碳化硅MOSFET晶體管的特征

            • 功率轉(zhuǎn)換電路中的晶體管的作用非常重要,為進一步實現(xiàn)低損耗與應(yīng)用尺寸小型化,一直在進行各種改良。
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  MOSFET  

            SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

            • 本文對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區(qū)別進行說明。
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

            SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

            • 反向恢復(fù)特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數(shù),所以不僅要比較trr的數(shù)值,還要理解其波形和溫度特性,這樣有助于有效使用二極管。
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  SBD  

            SiC肖特基勢壘二極管的特征,及與Si二極管的比較

            • 繼SiC功率元器件的概述之后,將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
            • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  SBD  肖基特二極管  

            SiC功率元器件的開發(fā)背景和優(yōu)點

            • SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

            什么是碳化硅?SiC的特性和特征

            • 碳化硅(SiC)是比較新的半導(dǎo)體材料。本文來了解一下它的物理特性和特征。
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  

            ST先進SiC牽引電機逆變器解決方案

            • 意法半導(dǎo)體(ST)作為全球領(lǐng)先的汽車半導(dǎo)體供應(yīng)商之一,多年前就開始布局新能源汽車領(lǐng)域,在2019年正式成立新能源車技術(shù)創(chuàng)新中心,推出了SiC牽引電機逆變器的整體解決方案。該方案按照功能安全IS026262標(biāo)準(zhǔn)流程開發(fā),滿足ASIL D等級?;贏utoSAR的軟件架構(gòu)和模型化的軟件算法,為客戶前期方案評估和后續(xù)開發(fā)提供了便利,大大縮短了整個研發(fā)周期。
            • 關(guān)鍵字: SiC  碳化硅  牽引逆變器  

            ST第三代碳化硅技術(shù)問世 瞄準(zhǔn)汽車與工業(yè)市場應(yīng)用

            • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI說明,從圖二可以看到由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標(biāo)。?圖二圖三顯示的是一些關(guān)于如何利用電力科技實現(xiàn)各種節(jié)能目標(biāo)的具體數(shù)據(jù),圖中是對全球電力消耗狀況的統(tǒng)計。僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,
            • 關(guān)鍵字: ST  碳化硅  汽車  工業(yè)  SiC  

            ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

            • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標(biāo)。 意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
            • 關(guān)鍵字: ST  GaN  SiC  
            共1822條 35/122 |‹ « 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 » ›|

            碳化硅(sic)mosfet介紹

            您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅(sic)mosfet!
            歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對碳化硅(sic)mosfet的理解,并與今后在此搜索碳化硅(sic)mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

            熱門主題

            樹莓派    linux   
            關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
            Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
            《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
            備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473