碳化硅(sic)mosfet 文章進(jìn)入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)

Qorvo?收購(gòu)領(lǐng)先的碳化硅功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中RF解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商Qorvo?,Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今天宣布，已收購(gòu)位于新澤西州普林斯頓領(lǐng)先碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商UnitedSiC公司。對(duì)UnitedSiC的收購(gòu)擴(kuò)大了Qorvo在快速增長(zhǎng)的電動(dòng)汽車(chē)（EV）、工業(yè)電源、電路保護(hù)、可再生能源和數(shù)據(jù)中心電源市場(chǎng)的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防產(chǎn)品（IDP）業(yè)務(wù)之一，將由Chris Dries博士領(lǐng)導(dǎo)，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執(zhí)行官，現(xiàn)任Qorv
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添加靈活的限流功能

問(wèn)題：我可以根據(jù)負(fù)載輕松而精確地進(jìn)行限流嗎？答案：可以使用限流IC進(jìn)行限流。在一些電源管理應(yīng)用中，需要精確地限制電流。無(wú)論是要保護(hù)電源（例如，中間電路電壓需要過(guò)載保護(hù)以便能夠可靠地為其他系統(tǒng)部件提供電能），還是在故障情況下保護(hù)可能由于過(guò)流而造成損壞的負(fù)載，都需要精確地限制電流。在尋找合適的DC-DC負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器來(lái)滿(mǎn)足此要求時(shí)，我們發(fā)現(xiàn)市面上具有可調(diào)限流功能的電壓轉(zhuǎn)換器很少見(jiàn)。可調(diào)限流功能在采用外部電源開(kāi)關(guān)的控制器設(shè)計(jì)中更加常見(jiàn)，而所有的集成解決方案很少提供此類(lèi)功能。而且，可調(diào)限流功能的精度通常不是很高。以
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使用無(wú)損耗過(guò)零點(diǎn)檢測(cè)功能提高智能家居和智能建筑(HBA)應(yīng)用中的AC輸入開(kāi)關(guān)效率和可靠性

在越來(lái)越多的應(yīng)用中，對(duì)導(dǎo)通和關(guān)斷AC輸入電源的器件的性能進(jìn)行優(yōu)化是一個(gè)重要考慮因素，這些應(yīng)用包括智能家居/智能建筑(HBA)、支持物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的家電、智能開(kāi)關(guān)和插頭、調(diào)光器和人體感應(yīng)傳感器，特別適用于采用繼電器或可控硅進(jìn)行功率控制的設(shè)計(jì)。當(dāng)AC電源異步導(dǎo)通或關(guān)斷而不考慮其所處的電壓時(shí)，效率和可靠性會(huì)受到不利影響，必須添加電路以保護(hù)開(kāi)關(guān)免受高瞬態(tài)電流的影響。當(dāng)AC電源異步導(dǎo)通時(shí)，浪涌電流可能超過(guò)100A。反復(fù)暴露于高浪涌電流會(huì)對(duì)繼電器和可控硅的可靠性和使用壽命產(chǎn)生負(fù)面影響。電觸點(diǎn)的預(yù)期壽命因浪涌電流需求
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在單個(gè)封裝中提供完整的有源功率因數(shù)校正解決方案

源設(shè)計(jì)者如今面臨兩個(gè)主要問(wèn)題：消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數(shù)盡可能地接近于1。有害的諧波電流會(huì)導(dǎo)致傳輸設(shè)備過(guò)熱，并帶來(lái)后續(xù)必須解決的干擾難題；這兩者也會(huì)對(duì)電路的尺寸和/或效率產(chǎn)生不利影響。如果施加在線(xiàn)路上的負(fù)載不是純電阻性的，輸入電壓和電流波形之間將產(chǎn)生相移，從而增加視在功率并降低傳輸效率。如果非線(xiàn)性負(fù)載使輸入電流波形失真，則會(huì)引起電流諧波，從而進(jìn)一步降低傳輸效率并將干擾引入市電電網(wǎng)。如果要解決這些問(wèn)題，需要了解功率變換的基本原理。電源當(dāng)中通常將來(lái)自墻上插座的交流電壓連接至整流電路，整流管將交流電壓
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利用氮化鎵芯片組實(shí)現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源

目前市面上出現(xiàn)了一個(gè)新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠?yàn)槭謾C(jī)、平板電腦和筆記本電腦設(shè)計(jì)出額定功率高達(dá)110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來(lái)自Power Integrations，包含內(nèi)部集成PowiGaN?開(kāi)關(guān)的InnoSwitch?4-CZ零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產(chǎn)品系列。這些新IC可用于設(shè)計(jì)效率高達(dá)95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。這種InnoSwitch
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如何選擇合適的電路保護(hù)

問(wèn)題：有什么有源電路保護(hù)方案可以取代TVS二極管和保險(xiǎn)絲？答案：可以試試?yán)擞恳种破鳌Ｕ行袠I(yè)的制造商都在不斷推動(dòng)提升高端性能，同時(shí)試圖在此類(lèi)創(chuàng)新與成熟可靠的解決方案之間達(dá)成平衡。設(shè)計(jì)人員面臨著平衡設(shè)計(jì)復(fù)雜性、可靠性和成本這一困難任務(wù)。以一個(gè)電子保護(hù)子系統(tǒng)為例，受其特性限制，無(wú)法進(jìn)行創(chuàng)新。這些系統(tǒng)保護(hù)敏感且成本高昂的下游電子器件（FPGA、ASIC和微處理器），這些器件都要求保證零故障。許多傳統(tǒng)的可靠保護(hù)解決方案（例如二極管、保險(xiǎn)絲和TVS器件）能夠保持待保護(hù)狀態(tài)，但它們通常低效、體積龐大且需要維護(hù)。為
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恩智浦利用信號(hào)質(zhì)量提升技術(shù)解決CAN FD帶寬限制難題

恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號(hào)質(zhì)量提升（SIC）技術(shù)已用于TJA146x收發(fā)器系列中，并已經(jīng)成功應(yīng)用到長(zhǎng)安汽車(chē)最新的平臺(tái)中。恩智浦的CAN SIC技術(shù)有效提升了CAN信號(hào)質(zhì)量，使CAN FD網(wǎng)絡(luò)能夠在更大型復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)中運(yùn)行，實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)傳輸速率。這項(xiàng)經(jīng)濟(jì)高效的技術(shù)能夠擴(kuò)展CAN FD的潛力和靈活性，從而應(yīng)對(duì)下一代汽車(chē)的網(wǎng)絡(luò)挑戰(zhàn)。中國(guó)汽車(chē)制造商長(zhǎng)安汽車(chē)是第一家在生產(chǎn)中采用恩智浦的CAN SIC技術(shù)的汽車(chē)客戶(hù)。●? ?長(zhǎng)安汽車(chē)成為第一家采
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碳化硅在新能源汽車(chē)中的應(yīng)用現(xiàn)狀與導(dǎo)入路徑

碳化硅具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率等特點(diǎn)，可以很好地滿(mǎn)足新能源汽車(chē)電動(dòng)化發(fā)展趨勢(shì)，引領(lǐng)和加速了汽車(chē)電動(dòng)化進(jìn)程，對(duì)新能源汽車(chē)發(fā)展具有重要意義。我國(guó)新能源汽車(chē)正處于市場(chǎng)導(dǎo)入期到產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)期過(guò)渡的關(guān)鍵階段，汽車(chē)產(chǎn)銷(xiāo)量、保有量連續(xù)6年居世界首位，在全球產(chǎn)業(yè)體系當(dāng)中占了舉足輕重的地位。新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的飛速發(fā)展，極大地推動(dòng)了碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新，為碳化硅產(chǎn)品的技術(shù)驗(yàn)證和更新迭代提供了大量數(shù)據(jù)樣本。
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碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰(shuí)是寬禁帶(WBG)材料的未來(lái)？

以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn)，第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢(shì)。
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東芝支持功能安全的車(chē)載無(wú)刷電機(jī)預(yù)驅(qū)IC的樣品出貨即將開(kāi)始

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，已開(kāi)始供應(yīng)“TB9083FTG”的測(cè)試樣品，這是一種面向汽車(chē)應(yīng)用的預(yù)驅(qū)IC（其中包括電動(dòng)轉(zhuǎn)向助力系統(tǒng)和電氣制動(dòng)器使用的無(wú)刷電機(jī)）。東芝將在2022年1月提供最終樣品，并將在2022年12月開(kāi)始量產(chǎn)。TB9083FTG是一種3相預(yù)驅(qū)IC，能夠控制和驅(qū)動(dòng)用于驅(qū)動(dòng)3相直流無(wú)刷電機(jī)的外置N溝道功率MOSFET。該產(chǎn)品支持ASIL-D[1]功能安全規(guī)范[2]且符合ISO 26262標(biāo)準(zhǔn)第二版的要求，適用于高安全級(jí)別的汽車(chē)系統(tǒng)。這種新型IC內(nèi)置三通道預(yù)驅(qū)，用于控制和
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Vishay SiC45x系列microBUCK同步降壓穩(wěn)壓器榮獲21IC 2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiC45x系列microBUCK?同步降壓穩(wěn)壓器被《21IC中國(guó)電子網(wǎng)》評(píng)為2021年度Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)產(chǎn)品。這款穩(wěn)壓器采用PowerPAK? 5 mm x 7 mm小型封裝，以其高達(dá)40 A的額定輸出電流，優(yōu)于前代穩(wěn)壓器的功率密度和瞬變響應(yīng)能力受到表彰。Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)已連續(xù)舉辦十九屆，成為業(yè)內(nèi)創(chuàng)新電源產(chǎn)品的標(biāo)志性獎(jiǎng)項(xiàng)。獲獎(jiǎng)產(chǎn)品由工程師投票，經(jīng)21IC編委會(huì)綜合技術(shù)創(chuàng)新、能效、應(yīng)用開(kāi)
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雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列：基本原理和應(yīng)用

編者按雙脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法，貫穿器件的研發(fā)，應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用雙脈沖測(cè)試平臺(tái)，你可以在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中從容的調(diào)試驅(qū)動(dòng)電路，優(yōu)化動(dòng)態(tài)過(guò)程，驗(yàn)證短路保護(hù)。雙脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列文章包括基本原理和應(yīng)用，對(duì)電壓電流探頭要求和影響測(cè)試結(jié)果的因素等。為什么要進(jìn)行雙脈沖測(cè)試？在以前甚至是今天，許多使用IGBT或者M(jìn)OSFET做逆變器的工程師是不做雙脈沖實(shí)驗(yàn)的，而是直接在標(biāo)定的工況下跑看能否達(dá)到設(shè)計(jì)的功率。這樣的測(cè)試確實(shí)很必要，但是往往這樣看不出具體的開(kāi)關(guān)損耗，電壓或者電流的尖峰情況，以及
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基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調(diào)光LED照明降壓方案

本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準(zhǔn)諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應(yīng)用是LED照明系統(tǒng)、模擬/PWM可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器，模擬調(diào)光范圍寬，從1%到100%。安森美專(zhuān)有的LED電流計(jì)算技術(shù)和內(nèi)部檢測(cè)及反饋放大器的零輸入電壓偏移，在整個(gè)模擬調(diào)光范圍內(nèi)進(jìn)行精確的穩(wěn)流，穩(wěn)流精度在滿(mǎn)載時(shí)<±2%，在1%的負(fù)載時(shí)<±20%。卓越的調(diào)光特性可根據(jù)負(fù)載情況在CCM (N
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Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開(kāi)關(guān)損耗

隨著對(duì)電動(dòng)公共汽車(chē)和其他電氣化重型運(yùn)輸車(chē)輛的需求增加，以滿(mǎn)足更低的碳排放目標(biāo)，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類(lèi)運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步擴(kuò)充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，為系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員提供多層級(jí)的控制和保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)輸并滿(mǎn)足嚴(yán)格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，可降低50%開(kāi)關(guān)損耗對(duì)于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，Microchip的Agi
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雙極結(jié)型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者

0? ?引言數(shù)字開(kāi)關(guān)通常使用MOSFET 來(lái)創(chuàng)建，但是對(duì)于低飽和電壓的開(kāi)關(guān)模型，雙極結(jié)型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對(duì)于低電壓和低電流的應(yīng)用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢(shì)（圖1）。圖1 雙極結(jié)型晶體管可為移動(dòng)設(shè)備提供更長(zhǎng)的使用壽命圖源：IB Photography/Shutterstock在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，晶體管需要精確地放大基極電流，使輸出電壓接近零，以便僅測(cè)量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項(xiàng)用途，因?yàn)樗鼈儾恍枰魏蔚讓涌刂破髯鳛殡妷嚎刂平M件。
關(guān)鍵字： MOSFET 202109