碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)
健康催生可穿戴多功能需求 東芝多款器件直面新機遇
- 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設備經歷了前些年從概念火爆到實際產品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術產品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經歷了嚴重的新冠疫情影響，部
- 關鍵字： 202009 MOSFET
如何用無橋圖騰柱功率因數(shù)校正控制器實現(xiàn)出色的AC-DC功率轉換效率
- 電網提供的電能是交流電，但我們使用的大多數(shù)設備都需要直流電，這意味著進行這種轉換的交流/ 直流電源是能源網上最常見的負載之一。隨著世界關注能效以保護環(huán)境并管理運營成本，這些電源的高效運行變得越來越重要。效率作為輸入功率與供給負載的功率之間的比率衡量，很容易理解。但是，輸入功率因數(shù)也有很大的影響。功率因數(shù)(PF) 描述了任何交流電設備（包括電源）消耗的有用（真實）功率與總（視在）功率(kVA) 之間的比值。PF 衡量消耗的電能轉換為有用功輸出的有效性。如果負載是純阻性負載，PF 將等于1，但任何負載內的無功
- 關鍵字： 202204 MOSFET 無橋圖騰柱 功率因數(shù)校正控制器
貿澤電子開售英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器
- 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨英飛凌的XENSIV? PAS CO2二氧化碳傳感器。該產品基于光聲光譜學 (PAS) 原理，采用高靈敏度MEMS麥克風檢測傳感器腔內CO2分子產生的壓力變化。這種檢測方式可以顯著減小CO2傳感器的尺寸，與市面上其他CO2傳感器相比，可以在最終產品中節(jié)省超過75%的空間。貿澤電子分銷的英飛凌XENSIV PAS CO2傳感器集成了光聲傳感器（包含檢測器、紅外源和光學濾波器）、用
- 關鍵字： 貿澤電子 英飛凌 XENSIV PAS CO2傳感器 MOSFET
最全！20V到1700V全覆蓋的國產MOSFET功率器件，工溫最高175℃
- 中國半導體功率器件十強企業(yè)：揚杰科技(YANGJIE)· 主要產品：中低壓MOSFET（VDSS：20V-150V）和高壓MOSFET（VDSS：500V-900V）· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率半導體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領域的產業(yè)發(fā)展，，通過了ISO9001，ISO14001，IATF16949等認證，連續(xù)數(shù)年評為中國半導體功率器件十強企業(yè)。國內領先的的分立器件研發(fā)企業(yè)：長晶科技（JSCJ）· 主要產品：覆蓋了12V~700V的功率型MOSFET· 廠牌優(yōu)勢：專注于功率器件、分立器件、頻率器件、
- 關鍵字： MOSFET 楊杰科技 長晶科技
同時實現(xiàn)業(yè)界超快反向恢復時間和超低導通電阻的600V耐壓超級結 MOSFET “R60xxVNx系列”
- 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）的600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS?”產品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機型，新產品非常適用于電動汽車充電樁、服務器、基站等需要大功率的工業(yè)設備的電源電路、以及空調等因節(jié)能趨勢而采用變頻技術的白色家電的電機驅動。近年來，隨著全球電力消耗量的增加，如何有效利用電力已成為亟待解決的課題，在這種背景下，電動汽車充電樁、服務器和基站等工業(yè)設備以及空調等白色家電的效率不斷提升，因此也就要求其中所用的功率半導體進一步降低功率損耗。針對這種
- 關鍵字： MOSFET
英飛凌推出采用D2PAK封裝的650 V CoolSiCTM MOSFET，進一步降低應用損耗并提高可靠性
- 在數(shù)字化、城市化和電動汽車等大趨勢的推動下，電力消耗日益增加。與此同時，提升能源效率的重要性也在與日俱增。為了順應當下全球發(fā)展大勢并滿足相關市場需求，英飛凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新產品。該產品具有高可靠性、易用性和經濟實用等特點，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術，廣泛適用于大功率應用，包括服務器、電信設備、工業(yè)SMPS、電動汽車快速充電、電機驅動、太陽能系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)和電
- 關鍵字： MOSFET
東芝推出采用最新一代工藝的150V N溝道功率MOSFET，可大幅提高電源效率
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。該器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工藝，適用于工業(yè)設備開關電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。該產品于今日開始支持批量出貨。與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結構優(yōu)化促進實現(xiàn)源漏導通電阻和兩項電荷特性[2]之間的平衡[3]，從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開關
- 關鍵字： MOSFET
恩智浦與日立能源合作開發(fā)電源模塊，加快碳化硅在電動交通領域的采用
- 恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布與日立能源合作，加快碳化硅（SiC）電源半導體模塊在電動交通領域的采用。此次合作項目為動力逆變器提供基于SiC MOSFET的解決方案，更高效可靠且功能安全，該解決方案由恩智浦先進的高性能GD3160隔離式高壓柵極驅動器和日立能源RoadPak汽車SiC MOSFET功率模塊組成。產品重要性電動汽車廠商采用SiC MOSFET動力器件，可比采用傳統(tǒng)硅IGBT獲得更高的續(xù)航里程，提高系統(tǒng)整體效率。SiC MOSFET功率器件帶有高性能功率
- 關鍵字： MOSFET
ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產體制
- 半導體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列（GNE1040TB）?的量產體制，該系列產品的閘極耐壓（閘極-源極間額定電壓）高達8V，非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)低功耗和小型化一般來說，GaN組件具有優(yōu)異的低導通電阻和高速開關性能，有助降低各種電源功耗和實現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低，因此在開關工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題，RO
- 關鍵字： SiC GaN ROHM
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