碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)
基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案
- L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓啟動功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻?？梢灾С值墓β史秶鷱囊粌砂偻叩綆浊摺?ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
- 關鍵字： ST SIC 第三代半導體 CCM PFC 4986 電動工具 割草機 雙boost double boost 無橋PFC
Denso和三菱電機10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務
- Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務子公司。據(jù)外媒，日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導體材料、網(wǎng)絡及激光供應商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權（兩家日企合計取得25%股權）。據(jù)悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設立的SiC業(yè)務子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
- 關鍵字： 三菱電機 Denso 碳化硅
了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)
- Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
- 關鍵字： Littelfuse MOSFET
保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
- 關鍵字： 安森美 SiC
如何更好的使用EiceDRIVER IC驅動SiC MOSFET
- 碳化硅（SiC MOSFET）和氮化鎵(GaN)因其高頻率、低損耗的特性得到廣泛的應用，但對驅動系統(tǒng)的性能提出了更高的要求。英飛凌最新一代增強型EiceDRIVER? 1ED34X1系列可提供高的輸出電流、米勒鉗位保護、精準的短路保護、可調的軟關斷等功能，為新一代的功率器件保駕護航。EiceDRIVER?增強型1ED34X1主要特色：●? 單通道隔離型柵極驅動芯片●? 輸出電流典型值+3/6/9A●? 功能絕緣電壓高達2300V●? 帶米勒鉗位、Desat短路保護、
- 關鍵字： MOSFET EiceDRIVER MOSFET
保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡
- 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中，基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件，比如 SiC，對提高能效至關重要。在本文中，安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展，從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸，并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言，建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)（如電動汽車充電基礎設施）和可再生能源系統(tǒng)（如太陽能光伏 (PV)）應用中，MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而，平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn)，必須在不增加太陽
- 關鍵字： 碳化硅 SiC
意法半導體為博格華納提供SiC，“上車”沃爾沃？
- 近日，意法半導體官微宣布，將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢，意法半導體和博格華納技術團隊密切合作，力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開關匹配，最大限度提高逆變器性能，縮小電驅架構尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導體汽車和分立器件產(chǎn)品部（ADG）總裁Marco Monti表示，意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
- 關鍵字： 意法半導體 博格華納 SiC 沃爾沃
國內8英寸碳化硅加速布局！
- 近期，三安半導體發(fā)布消息稱，公司攜碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈產(chǎn)品亮相SEMICON Taiwan 2023。除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。三安半導體表示，展會上有多家重要客戶在詳細詢問三安半導體產(chǎn)品參數(shù)后，表示已經(jīng)確認采購意向。圖：三安半導體湖南三安半導體屬于三安光電下屬子公司，主要業(yè)務涵蓋碳化硅、氮化鎵化合物半導體功率芯片的研發(fā)、設計、制造及服務，目前建立具有自主知識產(chǎn)權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。湖南三安半導體是三安
- 關鍵字： 8英寸 碳化硅
基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案
- STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源，使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正（PFC）和諧波失真（THD）抑制，后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案，在230 VAC輸入時，測量峰值效率為96.3%
- 關鍵字： ST 第三代半導體 SIC GNA 圖騰柱PFC 無橋PFC 全橋LLC 數(shù)字電源
從硅到碳化硅，更高能效是功率器件始終的追求
- 隨著新能源汽車和電動飛機概念的興起，在可預見的未來里，電能都將會是人類社會發(fā)展的主要能源。然而，隨著電氣化在各行各業(yè)的滲透率不斷提升，每年全社會對電能的消耗量都是一個天文數(shù)字。比如在中國，根據(jù)國家能源局發(fā)布的數(shù)據(jù)，2022年全社會用電量86,372億千瓦時，同比增長3.6%；其中，高速發(fā)展的新能源汽車在整車制造方面，用電量大幅增長71.1%。圖1：全社會用電量統(tǒng)計（圖源：貿澤電子）各行業(yè)電氣化進程逐漸深入后，我們也必須要考慮到一個嚴峻的問題，那就是節(jié)能。當前，任何一種用電設備在設計之初，都會將高能效和低能
- 關鍵字： Mouser 碳化硅 功率器件
100W MOSFET功率放大器電路
- 我們設計了一個使用 MOSFET 的功率放大電路，可產(chǎn)生 100W 的輸出功率，驅動約 8 歐姆的負載。 所設計的功率放大電路具有效率高、交叉失真和總諧波失真的優(yōu)點。工作原理：該電路采用多級功率放大原理，包括前置放大器、驅動器和使用 MOSFET 的功率放大。 前置放大器采用差分放大器，驅動級是帶有電流鏡負載的差分放大器，功率放大采用 MOSFET AB 類工作方式。與 BJT 相比，MOSFET 具有驅動電路簡單、熱穩(wěn)定性較低、輸入阻抗高等優(yōu)點。前置放大器由兩級差分放大器電路組成，用于產(chǎn)生無噪聲放大信號
- 關鍵字： 功率放大器 MOSFET
碳化硅(sic)mosfet介紹
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