碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線
- 11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車續(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項目基于東風(fēng)集團“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項目于2021年進行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項為量產(chǎn)
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應(yīng)對汽車檢測認證機構(gòu)測試需求,泰克提供SiC性能評估整體測試解決方案
- _____近年來，在國家“雙碳”戰(zhàn)略指引下，汽車行業(yè)油電切換提速，截至2022年新能源汽車滲透率已經(jīng)超過25%。汽車電動化浪潮中，半導(dǎo)體增量主要來自于功率半導(dǎo)體，根據(jù) Strategy Analytics，功率半導(dǎo)體在汽車半導(dǎo)體中的占比從傳統(tǒng)燃油車的21%提升至純電動車的55%，躍升為占比最大的半導(dǎo)體器件。同其他車用電子零部件一樣，車規(guī)級功率半導(dǎo)體也須通過AEC-Q100認證規(guī)范所涵蓋的7大類別41項測試要求。對于傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體器件，業(yè)界已經(jīng)建立了一套成熟有效的測試評估流程。而對于近兩年被普遍應(yīng)用于開發(fā)
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滿足市場對下一代碳化硅器件的需求
- 一些新出現(xiàn)的應(yīng)用使地球的未來充滿了激動人心的可能性，但同時也是人類所面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)之一。例如，雖然太陽能可以提供無限的能源，但要想成功商業(yè)化，設(shè)計人員必須提供更高的功率和效率，同時不增加成本或尺寸。在汽車領(lǐng)域，目前電動汽車 (EV) 已經(jīng)非常普及，但由于人們擔心可用充電基礎(chǔ)設(shè)施、充電所需時間和續(xù)航里程有限等問題，電動汽車的普及仍然受到了限制。在這種情況下，設(shè)計人員面臨的挑戰(zhàn)包括如何提高電氣效率、優(yōu)化動力總成的尺寸和重量，包括主驅(qū)逆變器和車載充電器 (OBC) 等元件，并不斷降低成本。碳化硅器件的優(yōu)勢硅
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通過碳化硅(SiC)增強電池儲能系統(tǒng)
- 電池可以用來儲存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量，這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時，就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美(onsemi) 的EliteSiC 方案，可作為硅MOSFET 或IGBT開關(guān)的替代方案，改善 BESS 的性能。BESS的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種，分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲能系統(tǒng)，具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點。此外，鋰離子電池技術(shù)成熟，因
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良率超 50%，全球第三大硅晶圓廠環(huán)球晶明年試產(chǎn) 8 英寸 SiC
- IT之家 10 月 27 日消息，全球第三大硅晶圓生產(chǎn)商環(huán)球晶圓控股（GlobalWafers）董事長徐秀蘭表示，公司克服了量產(chǎn)碳化硅（SiC）晶圓的重重技術(shù)難關(guān)，已經(jīng)將 SiC 晶圓推進至 8 英寸，和國際大廠保持同步。徐秀蘭預(yù)估將會在 2024 年第 4 季度開始小批量出貨 8 英寸 SiC 產(chǎn)品，2025 年大幅增長，到 2026 年占比超過 6 英寸晶圓。環(huán)球晶圓表示目前較好地控制了 8 英寸晶圓良率，已經(jīng)超過 50%，而且有進一步改善的空間，明年上半年開始交付相關(guān)樣品。IT之家從報道中
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中芯集成正式設(shè)立碳化硅公司，上汽/立訊精密/寧德時代等現(xiàn)身股東榜
- 10月25日，中芯集成發(fā)布公告稱，新設(shè)立合資公司芯聯(lián)動力科技（紹興）有限公司（以下簡稱“芯聯(lián)動力”）已完成了工商注冊登記手續(xù)，并取得紹興市越城區(qū)市場監(jiān)督管理局核發(fā)的《營業(yè)執(zhí)照》。根據(jù)中芯集成公告，芯聯(lián)動力將運營碳化硅（SiC）業(yè)務(wù)項目，注冊資本人民幣5億元，中芯集成使用自有資金出資人民幣2.55億元，占注冊資本總額51.00%?；诤腺Y公司的股權(quán)結(jié)構(gòu)，合資公司將被納入公司合并報表范圍，系公司控股子公司。從投資股東上看，芯聯(lián)動力創(chuàng)始股東包括中芯集成、芯聯(lián)合伙和博原資本、立訊精密家族辦公室立翎基金、上汽集團旗
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安森美韓國碳化硅工廠擴建完工 年產(chǎn)能將超百萬片
- 安森美位于韓國富川的先進碳化硅超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mm SiC晶圓。10月25日消息，安森美發(fā)布消息稱，其位于韓國富川的先進碳化硅（SiC）超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工，目標明年完成設(shè)備安裝，到2025年該廠SiC半導(dǎo)體產(chǎn)量預(yù)計將增至每年100萬顆。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓，在2025年完成200mm SiC工藝驗證后，將轉(zhuǎn)為生產(chǎn)200mm晶圓。為了支持SiC產(chǎn)能的提升，安森美計劃在未來三年內(nèi)雇傭多達1000名當?shù)貑T工來填補大部分高
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安森美韓國富川碳化硅工廠擴建正式落成
- 10月24日，安森美宣布其位于韓國富川的先進碳化硅(SiC)超大型制造工廠的擴建工程已經(jīng)完工。全負荷生產(chǎn)時，該晶圓廠每年將能生產(chǎn)超過一百萬片200mmSiC晶圓。據(jù)介紹，新的150mm/200mmSiC先進生產(chǎn)線及高科技公用設(shè)施建筑和鄰近停車場于2022年中期開始建設(shè)，并于2023年9月竣工。150mm/200mmSiC外延(Epi)和晶圓廠的擴建，體現(xiàn)了安森美致力于在棕地（既有地點）建立垂直整合碳化硅制造供應(yīng)鏈的戰(zhàn)略。富川SiC生產(chǎn)線目前主力生產(chǎn)150mm晶圓開始，在2025年完成200mmSiC工藝驗
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2024年中國碳化硅晶圓產(chǎn)能，或超全球總產(chǎn)能的50%
- 2023 年，中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，中國尤其獲得國際 IDM 的認可，導(dǎo)致產(chǎn)量大幅增長。此前中國碳化硅材料僅占全球約 5% 的產(chǎn)能，然而業(yè)界樂觀預(yù)計，2024 年中國碳化硅晶圓在全球的占比有望達到 50%。天岳先進、天科合達、三安光電等公司均斥資提高碳化硅晶圓/襯底產(chǎn)能，目前這些中國企業(yè)每月的總產(chǎn)能約為 6 萬片。隨著各公司產(chǎn)能釋放，預(yù)計 2024 年月產(chǎn)能將達到 12 萬片，年產(chǎn)能 150 萬。根據(jù)行業(yè)消息和市調(diào)機構(gòu)的統(tǒng)計，此前天岳先進、天科合達合計占據(jù)全球
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瑞能半導(dǎo)體CEO:碳化硅驅(qū)動新能源汽車邁入“加速時代”
- 日前，瑞能半導(dǎo)體CEO Markus Mosen先生受邀出席在上海隆重舉行的2023中國國際半導(dǎo)體高管峰會（ISES，原CISES）。作為半導(dǎo)體原廠和設(shè)備制造商云集的平臺，ISES專注于高層管理，來自世界各地的半導(dǎo)體領(lǐng)域高管和領(lǐng)袖受邀聚集于此，旨在探討行業(yè)的未來趨勢和挑戰(zhàn)，分享他們?nèi)绾卧谘杆賱?chuàng)新和變化的行業(yè)中推動技術(shù)進步。ISES通過推動整個微電子供應(yīng)鏈的創(chuàng)新、商業(yè)和投資機會，為半導(dǎo)體制造業(yè)賦能，促進中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。在峰會以“寬禁帶功率半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中的機遇”為主題的單元中，Markus Mose
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2024年全球超過一半的SiC晶圓可能來自中國
- 2023年，中國化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)歷史性突破。 在碳化硅（SiC）晶體生長領(lǐng)域，尤其得到國際IDM廠商的認可，中國廠商產(chǎn)能大幅提升。 此前，來自中國的SiC材料僅占全球市場的5%。 然而，到2024年，預(yù)計將搶占可觀的市場份額。該領(lǐng)域的主要中國公司，包括SICC、TankeBlue和三安，幾乎都將產(chǎn)能擴大了千倍。我國大約有四到五家從事SiC晶體生長的龍頭企業(yè)，為測算我國SiC晶體生長產(chǎn)能提供了依據(jù)。 目前，他們的月產(chǎn)能合計約為60,000單位。 隨著各公司積極增產(chǎn)，預(yù)計到2024年月產(chǎn)能將達到12萬單位
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計
- 本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動器）的 IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計。本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦
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詳解大功率電源中MOSFET功耗的計算
- 功率MOSFET是便攜式設(shè)備中大功率開關(guān)電源的主要組成部分。此外，對于散熱量極低的筆記本電腦來說，這些MOSFET是最難確定的元件。本文給出了計算MOSFET功耗以及確定其工作溫度的步驟，并通過多相、同步整流、降壓型CPU核電源中一個30A單相的分布計算示例，詳細說明了上述概念。也許，今天的便攜式電源設(shè)計者所面臨的最嚴峻挑戰(zhàn)就是為當今的高性能CPU提供電源。CPU的電源電流最近每兩年就翻一番。事實上，今天的便攜式核電源電流需求會高達60A或更多，電壓介于0.9V和1.75V之間。但是，盡管電流需求在穩(wěn)步增
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SiC主驅(qū)逆變器讓電動汽車延長5%里程的秘訣
- 不斷增長的消費需求、持續(xù)提高的環(huán)保意識/環(huán)境法規(guī)約束，以及越來越豐富的可選方案，都在推動著人們選用電動汽車 (EV)，令電動汽車日益普及。高盛近期的一項研究顯示，到 2023 年，電動汽車銷量將占全球汽車銷量的 10%；到 2030 年，預(yù)計將增長至 30%；到 2035 年，電動汽車銷量將有可能占全球汽車銷量的一半。然而，“里程焦慮”，也就是擔心充一次電后行駛里程不夠長，則是影響電動汽車普及的主要障礙之一?？朔@一問題的關(guān)鍵是在不顯著增加成本的情況下延長車輛行駛里程。本文闡述了如何在主驅(qū)逆變器中使用碳化
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25 年資深專家?guī)ш?，三星已布局推進碳化硅功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
- IT之家 10 月 19 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體團隊，已經(jīng)任命安森美半導(dǎo)體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔任副總裁，負責監(jiān)管相關(guān)業(yè)務(wù)。洪錫俊是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗，加入三星后，他負責領(lǐng)導(dǎo)這項工作。洪錫俊負責組建和帶領(lǐng)這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時積極與韓國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學(xué)術(shù)機構(gòu)合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
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