碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術(shù)社區(qū)
意法半導(dǎo)體將斥資50億歐元在意大利新建SiC晶圓廠
- 12月1日消息，近日，據(jù)外媒報道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）將于意大利西西里島Catane投資50億歐元，新建一座碳化硅、超級半導(dǎo)體晶圓廠。該晶圓廠將專門生產(chǎn)碳化硅芯片，為電動車關(guān)鍵技術(shù)并具強大成長潛力。報道稱，此舉是意法半導(dǎo)體繼與格芯在法國東南部Crolles的75億歐元晶圓廠計劃后為平衡集團在意法兩國布屬所為。值得一提的是，今年6月，意法半導(dǎo)體宣布將與三安光電在中國重慶成立200mm碳化硅器件制造合資企業(yè)，預(yù)計2025年第四季度投產(chǎn)，預(yù)計到2030年碳化硅收入將超過50億美元。
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Nexperia首款SiC MOSFET提高了工業(yè)電源開關(guān)應(yīng)用的安全性、穩(wěn)健性和可靠性標(biāo)準(zhǔn)
- 奈梅亨，2023年11月30日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200 V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后Nexperia將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動
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英飛凌已開始生產(chǎn)8英寸SiC晶圓樣片
- 11月28日消息，據(jù)外媒報道，日前，英飛凌綠色工業(yè)動力部門（GIP）總裁Peter Wawer在受訪時透露，英飛凌正在其位于Villach的工廠生產(chǎn)8英寸SiC晶圓的電子樣品。他表示，英飛凌目前使用6英寸晶圓，但已經(jīng)在工廠制備了第一批8英寸晶圓機械樣品，很快將它們轉(zhuǎn)化為電子樣品，并將在2030年之前大規(guī)模量產(chǎn)應(yīng)用。在產(chǎn)能方面，英飛凌正在通過大幅擴建其Kulim工廠（在2022年2月宣布的原始投資之上）獲得更多產(chǎn)能，信息稱，英飛凌將建造世界上最大的200毫米晶圓廠SiC（碳化硅）功率工廠。值得一提的是該計劃
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三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
- 11月，日本三菱電機、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。雙方將聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。目前芯片供應(yīng)量尚未確認(rèn)，預(yù)計最早將于2023年內(nèi)開始供應(yīng)。公開消息顯示，安世半導(dǎo)體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導(dǎo)體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導(dǎo)體公司，三菱電機與安世半導(dǎo)體的側(cè)重點不同，前者以“多個離散元件組合
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理想自研芯片進展曝光：在新加坡設(shè)立辦公室，團隊規(guī)模已超160人
- 11 月 21 日消息，據(jù)晚點 LatePost 報道，在芯片自研方面，理想同時在研發(fā)用于智能駕駛場景的 AI 推理芯片，和用于驅(qū)動電機控制器的 SiC 功率芯片。報道稱，理想目前正在新加坡組建團隊，從事 SiC 功率芯片的研發(fā)。在職場應(yīng)用 LinkedIn 上，已經(jīng)可以看到理想近期發(fā)布的五個新加坡招聘崗位，包括：總經(jīng)理、SiC 功率模塊故障分析 / 物理分析專家、SiC 功率模塊設(shè)計專家、SiC 功率模塊工藝專家和 SiC 功率模塊電氣設(shè)計專家。報道還稱，用于智能駕駛的 AI 推理芯片是理想目前的研發(fā)重
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Omdia：人工智能將在電動汽車革命中超越下一代半導(dǎo)體
- 倫敦2023年11月15日 /美通社/ -- 隨著Omdia預(yù)測電動汽車 (EV) 革命將引發(fā)新型半導(dǎo)體激增，電力半導(dǎo)體行業(yè)的幾十年舊規(guī)范正面臨挑戰(zhàn)。人工智能熱潮是否會產(chǎn)生類似的影響？功率分立器件、模塊和IC預(yù)測Omdia半導(dǎo)體元件高級分析師卡勒姆·米德爾頓表示：“長期以來依賴硅技術(shù)的行業(yè)正受到新材料制造的設(shè)備的挑戰(zhàn)和推動。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件的開發(fā)始于上個世紀(jì)，但它們的技術(shù)成熟度與可持續(xù)發(fā)展運動相匹配，新材料制造的設(shè)備在能源匱乏的世界中有著顯著的效率提升?！?018 年，特斯拉首次
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Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導(dǎo)體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導(dǎo)體快速增長的需求。三菱電機的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設(shè)備和牽引電機等眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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氮化鎵取代碳化硅，從PI開始？
- 在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅有了顯著提升，但是如何定量分析這三類產(chǎn)品的不同？Power Intergrations（PI）資深培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan日前結(jié)合公司新推出的1250V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品，詳細(xì)解釋了三類產(chǎn)品的優(yōu)劣，以及PI對于三種產(chǎn)品未來的判斷，同時還介紹了PI氮化鎵產(chǎn)品的特點及優(yōu)勢。在功率器件選擇過程中，以氮化鎵、碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體越來越受到了人們的重視，在效率、尺寸以及耐壓等方面都相較于硅
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三菱電機和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體
- 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發(fā)SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關(guān)技術(shù)經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體。三菱電機將利用其寬帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內(nèi)擴大，并有助于推動Si
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電裝5億美元入股這家SiC公司
- 11月6日，株式會社電裝（Denso）宣布對Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長期穩(wěn)定采購。關(guān)于本次投資，市場方面早有相關(guān)消息傳出。今年9月底有報道稱，電裝、三菱電機等多家企業(yè)對投資Coherent的SiC業(yè)務(wù)感興趣，并且已經(jīng)就收購Coherent的SiC業(yè)務(wù)少數(shù)股權(quán)進行過討論。分拆SiC業(yè)務(wù)能夠給投資者提供更多投資機會，同時也是對SiC發(fā)展前景的看好，Coher
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了解 MOSFET 通態(tài)漏源電阻
- 分立 MOSFET 數(shù)據(jù)表中重要的規(guī)格之一是漏源通態(tài)電阻，縮寫為 R DS (on)。這個 R DS (on)想法看起來非常簡單：當(dāng) FET 處于截止?fàn)顟B(tài)時，源極和漏極之間的電阻非常高，以至于我們假設(shè)電流為零。當(dāng) FET 的柵源電壓 (V GS ) 超過閾值電壓 (V TH ) 時，它處于“導(dǎo)通狀態(tài)”，漏極和源極通過電阻等于 R DS(on) 的溝道連接。然而，如果您熟悉 MOSFET 的實際電氣行為，您應(yīng)該很容易認(rèn)識到該模型與事實不符。首先，F(xiàn)ET 并不真正具有“導(dǎo)通狀態(tài)”。當(dāng)未處于截止?fàn)顟B(tài)時（我們在此
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東芝推出30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護
- 中國上海，2023年11月7日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護。該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。 截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產(chǎn)品線重點聚焦于12V產(chǎn)品，主要用于智能手機鋰離子電池組的保護。30V產(chǎn)品的發(fā)布為電壓高于12V的應(yīng)用提供了更廣泛的選擇，如USB充電設(shè)備電源線路的負(fù)載開關(guān)以及筆記本電腦與平板電腦的鋰離子電池組保護。&nbs
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Nexperia與KYOCERA AVX Salzburg合作為功率應(yīng)用生產(chǎn)650 V碳化硅整流二極管模塊
- 奈梅亨，2023年11月6日：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的先進電子器件供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作關(guān)系，共同生產(chǎn)新的650 V、20 A碳化硅（SiC）整流器模塊，適用于3 kW至11 kW功率堆棧設(shè)計的高頻電源應(yīng)用，以滿足工業(yè)電源、EV充電站和板載充電器等應(yīng)用的需要。此次發(fā)布將進一步加深雙方長期以來保持的緊密合作關(guān)系。 制造商對下一代功率應(yīng)用的關(guān)鍵需求是節(jié)省空間和減輕
- 關(guān)鍵字： Nexperia KYOCERA 功率應(yīng)用 650 V 碳化硅 整流二極管
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司
- 先之科半導(dǎo)體科技（東莞）有限公司于2018年成立，旗下子公司先科電子于1991年就開始專注于半導(dǎo)體分立器件研發(fā)及銷售，在半導(dǎo)體行業(yè)闖蕩了32年。作為一家成熟的半導(dǎo)體企業(yè)，先之科擁有占地60畝的生產(chǎn)基地，超過1400名員工，保證了其1.8億只的日產(chǎn)能，讓其旗下產(chǎn)品可以出現(xiàn)在任何需要它們的地方。今天展會之上，先之科為我們帶來了豐富的產(chǎn)品，包括各類二極管、整流管、保護器件、三極管以及MOSFET，橫跨汽車電子、光學(xué)逆變器和通信電源等領(lǐng)域。而本次所展出的AD-SiC MOSFET令人印象深刻，其采用了分立式封裝，
- 關(guān)鍵字： 先之科 半導(dǎo)體分立器件 二極管 整流管 三極管 MOSFET
2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&應(yīng)能微電子（深圳）有限公司
- 應(yīng)能微電子股份有限公司是一家致力于接口保護器件、功率和模擬集成電路 (IC) 設(shè)計、制造和銷售的半導(dǎo)體技術(shù)公司。應(yīng)能成立于2012年，其核心團隊來自美國硅谷，全產(chǎn)品線皆為自研產(chǎn)品，目前已有500多款產(chǎn)品，90%已上為量產(chǎn)狀態(tài)。應(yīng)能微的半導(dǎo)體芯片應(yīng)用市場包括快速增長的消費電子 (智能手機、計算機、平板電腦、高清電視、機頂盒等) ，并在通訊、安防、工業(yè)和汽車上均有廣泛的應(yīng)用。應(yīng)能微銷售總監(jiān)曾總表示，其高性能瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS) 產(chǎn)品系列在漏電、電容和鉗位電壓等關(guān)鍵性能指標(biāo)上表現(xiàn)出色，硅基MOSFET產(chǎn)品
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