碳化硅(sic)mosfet 文章 進入碳化硅(sic)mosfet技術社區(qū)
基于Infineon S7 MOSFET 主動式電源整流方案
- 因應日趨嚴苛的能源效率規(guī)范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態(tài)切換的應用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統(tǒng)效率，與傳統(tǒng)bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
- 關鍵字： Infineon S7 MOSFET 電源整流
同時實現(xiàn)業(yè)內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近年來，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節(jié)能。據(jù)了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時所產生的噪聲，主要通過添加部件和改變
- 關鍵字： 超快反向恢復時間 Super Junction MOSFET MOSFET
功率半導體市場需求攀升，盛美上海首獲Ultra C SiC襯底清洗設備采購訂單
- 今日，盛美上海宣布，首次獲得Ultra C SiC碳化硅襯底清洗設備的采購訂單。盛美上海指出，該訂單來自中國領先的碳化硅襯底制造商，預計將在2023年第三季度末發(fā)貨。當前，以碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）為主的第三代半導體迅速發(fā)揮發(fā)展，其中整體產值又以碳化硅占80%為重。據(jù)悉，碳化硅襯底用于功率半導體制造，而功率半導體被廣泛應用于功率轉換、電動汽車和可再生能源等領域。碳化硅技術的主要優(yōu)勢包括更少的開關能量損耗、更高的能量密度、更好的散熱，以及更強的帶寬能力。汽車和可再生能源等行業(yè)對功率半導體需求的增加
- 關鍵字： 功率半導體 盛美上海 Ultra C SiC 襯底清洗
連接與電源：新Qorvo為行業(yè)提供更全面的解決方案
- ３月下旬，全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo? 在京召開了以“連接與電源——新主題、新Qorvo”的媒體活動。通過此次活動，Qorvo旨在向業(yè)內介紹Qorvo在自身移動產品和基礎設施應用上的射頻領導地位進面向電源、物聯(lián)網(wǎng)和汽車等領域的最新進展。Matter出世，化解萬物互聯(lián)生態(tài)壁壘物聯(lián)網(wǎng)讓我們曾經(jīng)暢想的萬物互聯(lián)生活逐漸成為現(xiàn)實，但要將數(shù)以百億計的設備進行有效的互聯(lián)還面臨巨大壁壘，Matter 標準的出現(xiàn)打破了這個局面。作為Matter的積極參與者，Qorvo 率先打造符合 Matter 標準的
- 關鍵字： Qorvo Matter SiC FET UWB
SiC功率半導體市場分析；廠商談IGBT大缺貨
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023 SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON Semi等與汽車、能源業(yè)者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規(guī)模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規(guī)?？赏_53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規(guī)模預估2022年全球車用MCU市場規(guī)模達82
- 關鍵字： SiC 功率半導體 IGBT 美光
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業(yè)設備功率模塊系列
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”（非常適用于高耐壓三相直流電機驅動）和半橋模塊“SA110”“SA111”（非常適用于眾多高電壓應用）兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的
- 關鍵字： ROHM SiC MOSFET SiC SBD Apex 工業(yè)設備功率模塊
OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大
- EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現(xiàn)高達數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關領域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據(jù)明顯的優(yōu)勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯(lián)結構，其效率高于 IGBT，且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關乎轉換系統(tǒng)的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
- 關鍵字： Qorvo OBC SiC
TechInsights：2029 年碳化硅市場規(guī)模將增長至 94 億美元，中國占一半
- IT之家?3 月 22 日消息，TechInsights（前 Strategy Analytics）今日發(fā)布報告稱，隨著電池電動汽車的發(fā)展，汽車半導體的需求激增，寬帶隙技術的使用也有所增加。SiC MOSFET 為動力系統(tǒng)提供了 Si IGBT 和 SiC MOSFET 的替代方案。TechInsights 表示，碳化硅市場收益在 2022 年至 2027 年期間將以 35% 的復合年增長率從 12 億美元（IT之家注：當前約 82.44 億元人民幣）增長到 53 億美元（當前約 364.11
- 關鍵字： 碳化硅
Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET
- 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進的電信和計算設備。 憑借數(shù)十年開發(fā)先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產品組合中的首選，
- 關鍵字： Nexperia SMD 銅夾片 LFPAK88 MOSFET
英飛凌持續(xù)賦能數(shù)字化和低碳化，多維度推動社會永續(xù)發(fā)展
- 日前，英飛凌科技大中華區(qū)在京舉辦了2023年度媒體交流會。英飛凌科技全球高級副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技大中華區(qū)電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部負責人潘大偉率大中華區(qū)諸多高管出席，分享公司在過去一個財年所取得的驕人業(yè)績，同時探討數(shù)字化、低碳化行業(yè)發(fā)展趨勢，并全面介紹英飛凌前瞻性的業(yè)務布局。 2022財年英飛凌全球營收達到142.18億歐元，利潤達到33.78億歐元，利潤率為23.8%，均創(chuàng)下歷史新高。其中，大中華區(qū)在英飛凌全球總營收中的占比高達37%，繼續(xù)保持英飛凌全球最大區(qū)域市場的地位，為公司全球業(yè)務的發(fā)展提供
- 關鍵字： 英飛凌 數(shù)字化 低碳化 SiC
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