晶體管文章進入晶體管技術(shù)社區(qū)

光伏產(chǎn)業(yè)：中國半導(dǎo)體支撐業(yè)的新機遇

　??? 1947年貝爾實驗室肖克萊等人發(fā)明晶體管，1958年仙童公司RobertNoyce(羅伯特·諾伊斯)和德州儀器JackKilby(杰克·基爾比)分別發(fā)明基于硅和基于鍺的集成電路，1971年英特爾推出1KBDRAM(動態(tài)隨機存儲器)，1984年日本推出1MBDRAM和256KBSRAM(靜態(tài)隨機存儲器)，在集成電路的技術(shù)和工藝的每一次躍變過程中，都離不開半導(dǎo)體設(shè)備與材料的不斷推陳出新。　??? 支撐業(yè)是集成
關(guān)鍵字：集成電路晶體管光伏 EDA LED

特瑞仕推出內(nèi)置晶體管600mA雙路降壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

　　特瑞仕半導(dǎo)體株式會社開發(fā)了XCM517 系列內(nèi)置晶體管600mA 同步整流雙路降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器。　　XCM517 系列是在一個封裝組件中搭載兩個XC9235/XC9236 系列的同步整流降壓DC/DC 轉(zhuǎn)換器而組成的實裝芯片(IC)。工作電壓范圍從2.7V 到6.0V。內(nèi)置時鐘控制器分為1.2MHz 和3.0MHz 兩種，可以根據(jù)具體應(yīng)用來選擇合適的工作頻率。工作模式可選擇PWM 控制模式或PWM/PFM 自動轉(zhuǎn)換控制模式，即使是紋波控制難度較大的產(chǎn)品，也能實現(xiàn)從小負載到大負載的
關(guān)鍵字：轉(zhuǎn)換器特瑞仕晶體管 PWM

WLR測試中所面臨的新挑戰(zhàn)

　　就像摩爾定律驅(qū)動半導(dǎo)體幾何尺寸的縮小一樣，有關(guān)解決半導(dǎo)體可靠性問題的活動也遵循一個似乎有點可以預(yù)測的周期。例如，技術(shù)演進到VLSI時，為了保持導(dǎo)線的電路速度，引入了鋁線連接。此時，很快就發(fā)現(xiàn)了電子遷移這類的可靠性問題。一旦發(fā)現(xiàn)了問題所在，就會通過實驗來對退化機制進行建模。利用這些模型，工藝工程師努力使新技術(shù)的可靠性指標達到最佳。隨著技術(shù)的進一步成熟，焦點轉(zhuǎn)移到缺陷的降低上面。而隨著ULSI的引入，由于使用了應(yīng)力硅、銅和低K介電材料等，又開始一輪新周期。　　隨著引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 VLS 可靠性測試晶體管

飛思卡爾推出全球首款50V LDMOS功率晶體管

　　飛思卡爾半導(dǎo)體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達應(yīng)用的50V LDMOS RF功率晶體管產(chǎn)品的神秘面紗。這一產(chǎn)品線非常適合于各種高功率RF應(yīng)用，包括空中交通管理和長射程氣象雷達。? 　　RF產(chǎn)品線包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驅(qū)動。當頻率在1200 － 1400 MHz之間時， MRF6V14300H生成330 W的RF脈沖輸出功率；與競爭性雙極場效晶體管（FET）器件相比，它重新設(shè)立了該功率和頻率級的新的效率、增益和熱阻標準。? 　　先進的RF功率
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ST推出VIPer17開關(guān)式離線電源轉(zhuǎn)換器

　　2008年5月23日，意法半導(dǎo)體推出VIPer17開關(guān)式離線電源轉(zhuǎn)換器。新產(chǎn)品集成一支800V抗雪崩MOSFET晶體管和多項有助于節(jié)省外部組件和提高待機能效的先進功能，新轉(zhuǎn)換器內(nèi)置可調(diào)設(shè)置點，恒流開關(guān)操作，能夠配合所有的市電電壓，最高可適用于12W的開關(guān)電源（SMPS）設(shè)計。　　通過集成一個高壓啟動電流電源以及必要的保護功能，VIPer17不再需要外部感應(yīng)元件和啟動電阻器。保護功能包括精確可調(diào)的過壓和超載保護、延時過熱保護和兩級過流保護。故障檢測電路激活轉(zhuǎn)換器的自動重啟功能，以防浪涌對電源或負載造
關(guān)鍵字： ST 意法半導(dǎo)體電源轉(zhuǎn)換器晶體管 SMPS

ST推出一系列新型的絕緣柵雙極晶體管

　　近日，意法半導(dǎo)體（ST）推出一系列創(chuàng)新的絕緣柵雙極晶體管（IGBT），新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT（包括STGxL6NC60D 600V PowerMESH），用于工作頻率超過20kHz的照明等鎮(zhèn)流器節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。　　開關(guān)性能的改進容許設(shè)計工程師把IGBT用于以硬開關(guān)拓撲和諧振電路為特點的高度競爭力產(chǎn)品。新產(chǎn)品關(guān)斷能耗降低，使用很小的緩沖電容器即可在低結(jié)溫下工作，帶來
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處理器核改進引發(fā)能耗地震

　　根據(jù)摩爾定律，每18個月（起初是24個月）芯片上的晶體管密度就會翻番，但是前幾年功耗問題曾一度困擾Intel等公司的發(fā)展。為此，Intel對摩爾定律進行了大膽的修正，指出摩爾定律是晶體管密度、性能和功耗的折中發(fā)展規(guī)律。為此，多核開創(chuàng)了一個嶄新的計算時代。圖1 原摩爾定律不再有助于功耗降低　　通常認為，多核設(shè)計與優(yōu)化的處理器相互協(xié)同作用，才能帶來芯片能耗降低的地震（圖2）。多年來一直倡導(dǎo)在SoC中進行多核設(shè)計，在可配置多核方面獨樹一幟的Tensilica，在多核低功耗方面取得了巨大的突破，產(chǎn)
關(guān)鍵字：摩爾定律芯片晶體管功耗處理器

英飛凌推出行業(yè)最優(yōu)峰值輸出功率的LDMOS射頻功率晶體管

　　英飛凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）發(fā)布兩款面向無線寬帶應(yīng)用的最新LDMOS射頻功率晶體管，例如在2.5至2.7 GHz頻段上運行的WiMAX應(yīng)用。這些產(chǎn)品可提供最高達170 W的峰值輸出功率，進一步壯大了英飛凌目前已包括10 W、45 W和130 W器件的面向WiMAX應(yīng)用的射頻功率晶體管產(chǎn)品陣營。這款LDMOS射頻功率晶體管杰出的峰值功率性能可支持設(shè)計師簡化其射頻功率放大器的設(shè)計。　　　　英飛凌科技公司副總裁兼射頻功率器件業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Helmut Volger表示：&ldqu
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世界最小晶體管問世僅1個原子厚10個原子寬

　　北京時間4月21日消息，據(jù)美國連線雜志報道，目前，英國研究人員研制世界上最小的電子晶體管，其厚度為1個原子，直徑10個原子。　　這項最新研制的新型電子晶體管比之前32納米硅材料電子晶體管小3倍，英國曼徹斯特大學(xué)研究人員科斯特亞·諾沃舍羅夫說，“這種電子晶體管可用于任何半導(dǎo)體制造?！彼土硪晃缓现髡邔⒃撗芯繄蟾姘l(fā)表在《科學(xué)》雜志上。　　電子晶體管形式的邏輯門可加強計算處理能力。根據(jù)摩爾定律，每隔24個月，集成電路上的晶體管的數(shù)量將翻番，從而不斷
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CMOS場效應(yīng)晶體管的發(fā)展趨勢

　　前言　　自從1947年第一支晶體管的發(fā)明，半導(dǎo)體集成電路在二十世紀的后三十年有了一個極大的發(fā)展。這個發(fā)展極大的推動了世界性的產(chǎn)業(yè)革命和人類社會的進步。今天在我們每個人的日常生活中, 英特網(wǎng)，手機的普及和計算機在各個領(lǐng)域的大量應(yīng)用，已經(jīng)使我們進入了信息時代。在這中間起決定性作用的是在硅晶片上工作的CMOS場效應(yīng)晶體管的發(fā)明，它的制造工藝的不斷發(fā)展和以它為基礎(chǔ)的超大規(guī)模集成電路的設(shè)計手段的不斷改進。　　圖1是一個最基本的CMOS邏輯門—反向器的物理結(jié)構(gòu)和電路圖。當輸入為邏輯0時它的輸
關(guān)鍵字： CMOS 晶體管

電源半導(dǎo)體市場擴大相關(guān)廠商研發(fā)活躍

　　近年來地球溫室效應(yīng)問題引起了公眾的廣泛關(guān)注，對節(jié)能電子設(shè)備的呼聲也越來越高。人們強烈要求所有電子設(shè)備所用的電源都要提高效率，節(jié)約能耗，要求手機所代表的電池驅(qū)動移動產(chǎn)品不僅要有節(jié)能的意識，還要能夠提供極高的能效，以延長電池的使用壽命。　　各種電子設(shè)備的電源由原來的通過變壓器調(diào)節(jié)電壓方式，演變?yōu)殚_關(guān)電源、DC—DC變頻器、逆變器調(diào)壓。作為下一代電源，使用DSP對電源實現(xiàn)高精度控制的數(shù)字電源正在開發(fā)并開始上市。　　DC—DC變頻器IC用于調(diào)節(jié)直流電壓、改變基板電壓。其中開關(guān)頻
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借鑒國際經(jīng)驗推動我國IC產(chǎn)業(yè)持續(xù)發(fā)展

　　1947年第一只晶體管在貝爾實驗室誕生，揭開了電子信息技術(shù)發(fā)展新紀元。1958年德州儀器公司和仙童公司成功地開發(fā)出全球第一顆集成電路。半個世紀以來，微電子技術(shù)和集成電路產(chǎn)業(yè)的崛起，大大推動了信息產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，促進了經(jīng)濟繁榮和社會進步。現(xiàn)在，芯片、微處理器、存儲器等集成電路產(chǎn)品，已不再是技術(shù)名詞，而是與人們?nèi)粘Ｉ钚萜菹嚓P(guān)的東西;專業(yè)內(nèi)常用的摩爾定律、晶圓代工線(Foundry)、無制造線集成電路企業(yè)(Fabless)、集成器件制造模式(IDM)等已成為社會經(jīng)濟學(xué)界日常討論的內(nèi)容。當今集成電路技術(shù)已進入納
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單電子晶體管研制成功或重新精確定義電流單位

　　芬蘭與美國的一個研究小組研制出單電子晶體管(SET)它能將振蕩電壓轉(zhuǎn)換成非常精確的電流，這有望更精確重新定義電流的基本單位———安培。該項科研成果刊登在近期出版的《納米科學(xué)與技術(shù)在線資源》網(wǎng)站上。　　安培、伏特及歐姆是電子學(xué)的三大基本單位，后兩者分別通過約瑟夫森電壓和量子化霍爾電阻的測量而得，然而目前的安培測量技術(shù)卻還延續(xù)著十九世紀使用的版本：真空中相距1米的兩根無限長且圓截面可忽略的平行導(dǎo)線內(nèi)通過一恒定電流，當兩導(dǎo)線每米長度之間產(chǎn)生的力等于2
關(guān)鍵字：單電子晶體管研制

壓電振蕩器供給白光LED發(fā)光

　　壓電陶瓷蜂鳴器從單電池為白光LED供能。　　接收單電池供電的LED驅(qū)動器正受到廣泛關(guān)注。為由低電壓電源產(chǎn)生能夠點亮白光LED的高電壓，主要需要某種電子振蕩器，最簡單的為壓電蜂鳴器。壓電轉(zhuǎn)換器特殊地用于振蕩器和驅(qū)動白光LED(圖1)。壓電模片或彎曲板組成壓電陶瓷片，帶雙面電極，用可傳導(dǎo)粘合劑貼在黃銅、不銹鋼或類似材料制成的金屬板上。電路使用三端壓電轉(zhuǎn)換器。在這個轉(zhuǎn)換器中，模片在其中一個電極上有反應(yīng)標記。電感和容性器件之間諧振產(chǎn)生振蕩。工作的頻率為：fOSC=1/(2π 　　　　)，在
關(guān)鍵字： LED 振蕩器晶體管發(fā)光二極管 LED

LSI 慶祝晶體管發(fā)明 60 周年

　　LSI 公司日前宣布向位于加利福尼亞州山景市 (Mountain View) 的計算機歷史博物館捐贈了其首枚晶體管的復(fù)制品，以慶祝晶體管發(fā)明 60 周年。　　晶體管是1947 年 12 月 16 日由貝爾實驗室的科學(xué)家 John Bardeen、Walter Brattain 和 William Shockley 共同發(fā)明的，它是當今集成電路的構(gòu)建塊，而集成電路則是從電腦到手機乃至導(dǎo)彈和心臟起搏器等各種產(chǎn)品的中樞。晶體管于1951 年最早由位于賓夕法尼亞州阿倫敦聯(lián)合大道 (Union Boul
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晶體管介紹

【簡介】　　晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機械開關(guān)（如Relay、switch）不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。　　半導(dǎo)體三極管，是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細 ]