- 該MAT12是雙匹配的NPN晶體管配對,專門設計以滿足超低噪音的要求,音響系統(tǒng)。憑借其極低的輸入基地擴展電阻(成果 ...
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雙匹配 音頻NPN 晶體管 MAT12
- 中心議題: 功率晶體管二次擊穿的原因 避免功率晶體管二次擊穿的措施 開關電源中可選用的緩沖電路解決方案: 耗能式關斷緩沖電路 耗能式開通緩沖電路 無源回饋關斷緩沖電路 無源回饋開通緩沖電
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防護 擊穿 晶體管 功率 開關電源
- (一)晶體管材料與極性的判別 1.從晶體管的型號命名上識別其材料與極性 國產(chǎn)晶體管型號命名的第二部分用英文字母AD表示晶體管的材料和極性。其中,“A”代表鍺材料PNP型管,“B”代表鍺材料
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晶體管 檢測 經(jīng)驗
- 1功率放大器用場效應管或雙極型晶體管(以下簡稱晶體管)作前級和后級對信號進行放大處理。而采用場效應管做的 ...
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音響 場效應管 雙極型 晶體管
- 晶體管聲,數(shù)碼聲和電磁干擾聲介紹晶體管聲:聽過晶體管放大器(分立元件)的和聽過集成電路放大器的人一定都會說 ...
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晶體管 數(shù)碼聲 電磁干擾聲
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級半導體廠商瑞薩電子株式會社(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出新款SiGe:C異質接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺:碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達到領先業(yè)界的低噪聲效能。
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瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
- 新型低VCEsat BJT技術為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設計人員設計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?! ”銛y式產(chǎn)品(如手機、數(shù)碼照相機、
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比較 MOSFET 晶體管 雙極結 VCEsat
- 在某些直流/直流轉換器中,芯片上的逐周期限流措施在短路期間可能不足以防止故障發(fā)生。一個非同步升壓轉換器...
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晶體管 短路保護
- 雙極結型三極管相當于兩個背靠背的二極管 PN 結。正向偏置的 EB 結有空穴從發(fā)射極注入基區(qū),其中大部分空穴能 ...
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晶體管 三極管
- 據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)8月29日報道,一個國際科研團隊首次研制出了一種含巨大分子的有機半導體材料,其結構穩(wěn)定,擁有卓越的電學特性,而且成本低廉,可被用于制造現(xiàn)代電子設備中廣泛使用的場效應晶體管??茖W家們表示,最新突破將會讓以塑料為基礎的柔性電子設備“遍地開花”。相關研究發(fā)表在材料科學領域最著名的雜志《先進材料》上。
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有機半導體 晶體管
- 在電費占運營成本 (OPEX) 很大一部分,而運營成本則占總成本約 70% 的情況下,降低功耗對運營商來說已刻不容緩。以前,芯片提供商想辦法通過晶體管和工藝技術來降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗的主要原因,但并非唯一因素,而且通過晶體管來降低功耗作用是有限的。
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賽靈思 晶體管
- 今年年初,Intel正式發(fā)布了SandyBridge架構,從筆記本、臺式機到服務器都一應俱全,幾個月內SnB大潮就已經(jīng)席卷了整個市場。如今在桌面平臺方面,已經(jīng)更新到第二代Z68等芯片組了,推陳出新速度非常之快。
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Intel 晶體管
- 圖Z1013為常用典型七管超外差收音機電路,它主要由輸入回路、變頻級、中放級、檢波級、低放級、功率輸出級和AGC電路組成。
一、輸入回路
從磁性天線感應的調幅信號送入C1a、C2和L1組成的輸入回路進行調
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分析 電路 整機 收音機 晶體管
- 晶體管的檢測: 1、檢測小功率晶體二極管
A、判別正、負電極
(a)、觀察外殼上的的符號標記。通常在二極管的外殼上標有二極管的符號,帶有三角形箭頭的一端為正極,另一端是負極。
(b)、觀察外
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晶體管 檢測方法
- 晶體管(又稱三極管)可分為NPN 型和PNP 型,目前常用的NPN 型三極管有8050、9013、2N5551 等,PNP 型三極管有8550、9012、2N5401 等。在電子制作時,經(jīng)常涉及到需要控制蜂鳴器、繼電器、電機等元件,發(fā)現(xiàn)晶體管負載
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探索 負載 驅動 晶體管
晶體管介紹
【簡介】
晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關,基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關,和一般機械開關(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極管,是內部含有兩個P [
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