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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> 晶體管

      “晶體管、剛性智能卡、二極管”加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)起草工作啟動

      •     工信部(工信運(yùn)行簡函[2008]2號)文《關(guān)于下達(dá)等產(chǎn)品單耗制定計(jì)劃的通知》:經(jīng)海關(guān)總署及國家發(fā)改委審定,晶體管、剛性、兩極管三個產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)列為2008年度加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)制定計(jì)劃(署辦發(fā)[2008]186號文),并要求由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會組織有關(guān)企業(yè)開展起草上述三個單耗標(biāo)準(zhǔn)工作。   為此,近日上海協(xié)會召開了“晶體管、剛性智能卡、兩極管三個產(chǎn)品的加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)起草小組會議”。產(chǎn)品的加工貿(mào)易單耗標(biāo)準(zhǔn)關(guān)系到企業(yè)進(jìn)口業(yè)務(wù)、物流通暢、關(guān)稅、成本等重要環(huán)節(jié),今后
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      晶體管線性直流電源,可控硅直流穩(wěn)壓電源,開關(guān)電源原理簡介

      • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
      • 關(guān)鍵字: 晶體管  直流電源  開關(guān)電源  穩(wěn)壓電源  

      美國科學(xué)家制成首個等離子晶體管

      •     據(jù)國外媒體報道,自從20世紀(jì)40年代晶體管出現(xiàn)以來,它一直是電腦和其他現(xiàn)代電子裝置的核心元件。晶體管的作用是接通、關(guān)閉或者增強(qiáng)電流,晶體管有各種形狀、大小和材質(zhì),這些主要根據(jù)它的用途而定。最近科學(xué)家制作出一種新晶體管——一個微型電子計(jì)大小的等離子晶體管。   美國伊利諾斯大學(xué)的研究人員將一個常規(guī)微腔等離子裝置和一個電子發(fā)射體結(jié)合,研發(fā)出這種微束等離子晶體管。陳國鋒和光學(xué)物理及工程學(xué)實(shí)驗(yàn)室主管加里·艾頓教授將他們的研究結(jié)果發(fā)表在最近的
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      金融危機(jī)影響電子元器件市場

      •   由于全球金融市場的大動蕩,市場上幾乎沒有什么好消息,而要確定這次金融動蕩對元器件市場的影響則更加困難。消費(fèi)者的信心己經(jīng)降到歷史低點(diǎn),由于消費(fèi)市場占了元器件市場的70%以上,預(yù)計(jì)年底的假日消費(fèi)市場將會十分低迷,并最終導(dǎo)致電子元器件需求下降。通常,元器件市場是買方市場,對部分產(chǎn)品而言,買方一直占據(jù)著主導(dǎo)的位置。但是,由于原材料和能源價格的上漲,供貨商們面臨著成本上升,因此,電子元器件的價格也不會自動地下降。   盡管如此,元器件市場仍然有一線曙光:供貨商們對庫存的管理十分嚴(yán)格,因此,庫存會持續(xù)地下
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      OLED的結(jié)構(gòu)原理及優(yōu)缺點(diǎn)

      • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
      • 關(guān)鍵字: OLED  晶體管  顯示  MP3  

      低功耗CMOS電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)

      •   1 引 言   電壓基準(zhǔn)可以在溫度及電源電壓變化環(huán)境中提供穩(wěn)定的參考電壓,被廣泛應(yīng)用于比較器,A/D,D/A轉(zhuǎn)換器,信號處理器等集成電路中。目前已有不少和工藝的電壓基準(zhǔn)應(yīng)用于實(shí)際中,并且獲得了很高的精度和穩(wěn)定性。然而隨著各種便攜式移動通信和計(jì)算產(chǎn)品的普及,對電池的需求大大加強(qiáng),但是電池技術(shù)發(fā)展相對落后,降低電路的功耗成為IC設(shè)計(jì)關(guān)注的一個焦點(diǎn);電路的功耗會全部轉(zhuǎn)換成熱能,過多的熱量會產(chǎn)生焦耳熱效應(yīng),加劇硅失效,導(dǎo)致可靠性下降,而快速散熱的要求又會導(dǎo)致封裝和制冷成本提高;同時功耗大將導(dǎo)致溫度高,載流子
      • 關(guān)鍵字: 運(yùn)算放大器  晶體管  PTAT  

      交叉耦合門防止推挽驅(qū)動器交疊

      •   交疊是推挽驅(qū)動器的兩個晶體管同時處于導(dǎo)通狀態(tài)的短暫時間。在中心抽頭變壓器的初級中,這是常見的問題。交疊導(dǎo)致很大的電流尖峰和更多的開關(guān)損耗。飽和的晶體管關(guān)斷速度慢于接通速度,導(dǎo)致了這個問題。防止交疊的一種方法是在關(guān)斷一個晶體管之后并在接通另一個晶體管之前提供延時。該方法需要幾個額外元件,并且必須為最壞情形包含足夠長的延時。本設(shè)計(jì)實(shí)例利用交叉耦合門來防止晶體管在另一個晶體管關(guān)斷之前被接通(圖1)。為簡化起見,該圖并未描繪旁路電容器、緩沖器網(wǎng)絡(luò)和其它無需用來描繪該方法的元件。   門IC2A防止Q1在
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      L波段低噪聲放大器的設(shè)計(jì)

      •   引言   低噪聲放大器(LNA)是雷達(dá)、通信、電子對抗、遙測遙控等電子系統(tǒng)中關(guān)鍵的微波部件,有廣泛的應(yīng)用價值。由于微波系統(tǒng)的噪聲系數(shù)基本上取決于前級放大器的噪聲系數(shù),因此LNA噪聲系數(shù)的優(yōu)劣會直接影響整個系統(tǒng)性能的好壞。低噪聲放大器的設(shè)計(jì)主要包括輸入、輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和直流偏置網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)以及改善晶體管穩(wěn)定的措施。   本文首先介紹放大器提高穩(wěn)定性的源極串聯(lián)負(fù)反饋原理,然后設(shè)計(jì)了一個L波段的低噪聲放大器實(shí)例,并給出了放火器輸入、輸出回波損耗、增益、噪聲系數(shù)等參數(shù)的仿真結(jié)果。   低噪聲放大器的設(shè)計(jì)
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      處理器再次更新 IBM納米技術(shù)新突破

      •   IBM研究人員在一篇新的論文中詳細(xì)介紹了IBM所說的在納米技術(shù)領(lǐng)域取得的重要技術(shù)突破。這項(xiàng)技術(shù)突破將推動處理器技術(shù)和光子領(lǐng)域的新發(fā)展。IBM研究人員詳細(xì)介紹了他們?nèi)绾慰刂铺技{米管晶體管的發(fā)光。   這將是開發(fā)和推動新的處理器的新方法。在納米技術(shù)領(lǐng)域,IBM、惠普和英特爾都在通過自己的研究部門研究新的開發(fā)處理器的技術(shù)。   IBM研究人員稱,在新興的納米技術(shù)領(lǐng)域的一項(xiàng)重大的技術(shù)突破將改變工程師和IT行業(yè)開發(fā)微處理器的方法和思路。IBM研究人員8月25日在《自然納米技術(shù)》雜志上發(fā)表的論文中介紹了他們?nèi)?/li>
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      半導(dǎo)體特征循環(huán)與可重構(gòu)芯片

      •   1 引言   1965 年,摩爾用三個集成電路產(chǎn)品集成度隨時間的增長數(shù)據(jù),外加1959 年的晶體管(集成度為1)和1965 年預(yù)計(jì)可推出的實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品(有64 個元件),用半對數(shù)坐標(biāo),外插預(yù)測到十年后集成電路的集成度將達(dá)到65,000 個元件。1975 年預(yù)測成真,隨后被稱為“摩爾定律”。近40 年來,“摩爾定律”作為半導(dǎo)體發(fā)展的指南針對整個產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生了重大影響。由此我們可以體會到總結(jié)規(guī)律、預(yù)測發(fā)展的重要意義。半導(dǎo)體產(chǎn)品是半導(dǎo)體技術(shù)的載體,也是半導(dǎo)體
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      低壓差線性穩(wěn)壓器在開關(guān)電源中的應(yīng)用

      •   1 引言    電源是各種電子設(shè)備必不可缺少的組成部分,其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)及能否安全可靠地工作。目前常用的直流穩(wěn)壓電源分線性電源和開關(guān)電源兩大類,由于開關(guān)電源內(nèi)部關(guān)鍵元器件工作在高頻開關(guān)狀態(tài),本身消耗的能量很低,開關(guān)電源效率可達(dá)80%~90%,比普通線性穩(wěn)壓電源提高近一倍,目前已成為穩(wěn)壓電源的主流產(chǎn)品。   2 開關(guān)穩(wěn)壓電源的結(jié)構(gòu)   圖(1)畫出了開關(guān)穩(wěn)壓電源的原理圖及等效原理框圖,它是由全波整流器,開關(guān)管Vi,激勵信號,續(xù)流二極管VD,儲能電感和濾波電容C
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      電子測量儀器的分類及應(yīng)用

      • 電子測量儀器按其工作原理與用途,大致劃為以下幾類。 1.多用電表   模擬式電壓表、模擬多用表(即指針式萬用表VOM)、數(shù)字電壓表、數(shù)字多用表(即數(shù)字萬用表DMM)都屬此類。這是經(jīng)常使用儀表。它可以用來測量交流/直流電壓、交流/直流電流、電阻阻值、電容器容量、電感量、音頻電平、頻率、晶體管NPN或PNP電流放大倍數(shù)β值等。 2.示波器   示波器是一種測量電壓波形的電子儀器,它可以把被測電壓信號隨時間變化的規(guī)律,用圖形顯示出來。使用示波器不僅可以直觀而形象地觀察被測物理量的變化全
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      安森美半導(dǎo)體推出新微封裝的晶體管和二極管

      •   安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充分立器件封裝系列,推出新微封裝的晶體管和二極管。新增加的封裝拓展了公司的微封裝晶體管和二極管系列,配合當(dāng)今空間受限型便攜應(yīng)用的嚴(yán)峻設(shè)計(jì)需求。   安森美半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品部全球市場營銷副總裁麥滿權(quán)說:"對我們的便攜產(chǎn)品客戶來說,小尺寸、低高度且同時具備功率密度是相當(dāng)關(guān)鍵的參數(shù)。安森美半導(dǎo)體提供用于電源管理、開關(guān)和保護(hù)應(yīng)用的微封裝二極管和晶體管,使便攜產(chǎn)品能集成更多功能,而無須增加終端產(chǎn)品的尺寸或降低能效。"   新的微封裝晶體管
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      葡萄牙成功研制全球首個紙質(zhì)晶體管

      •   葡萄牙新里斯本大學(xué)(New University of Lisbon)的研究人員于日前成功研制了全球首款用紙層制成的晶體管,這種晶體管比采用氧化物半導(dǎo)體制成的普通薄膜晶體管(TFT)更具競爭力。   據(jù)負(fù)責(zé)此項(xiàng)研究的Elvira Fortunato和Rodrigo Martins透露,這種新型晶體管具備與采用氧化物半導(dǎo)體制成的薄膜晶體管一樣的性能,紙質(zhì)晶體管可以用在紙質(zhì)顯示屏、智能標(biāo)簽、生物程序和RFID(無線射頻識別)電子標(biāo)簽等新型電子設(shè)備中。雖然目前業(yè)界十分看重采用生物高聚物的低成本電子產(chǎn)品
      • 關(guān)鍵字: 晶體管  新里斯本大學(xué)  場效應(yīng)晶體管    

      系統(tǒng)控制器免費(fèi)IP 核的應(yīng)用

      •   1.前言   隨著集成電路業(yè)工藝的發(fā)展,單位面積晶體管的數(shù)量急劇增加。按傳統(tǒng)的方法,能滿足芯片功能和時序要求設(shè)計(jì)的IC設(shè)計(jì)工程師,產(chǎn)能約為100門/天,要完成 1200萬門的芯片設(shè)計(jì)需要500人年。設(shè)計(jì)復(fù)用(Design Reuse)技術(shù)成為解決問題的有效方法。根據(jù)業(yè)界經(jīng)驗(yàn),任何模塊如果不作任何修改就可以在10個或更多項(xiàng)目中復(fù)用,都應(yīng)該開發(fā)成IP 。基于IP的數(shù)字IC設(shè)計(jì)方法是有效提高設(shè)計(jì)產(chǎn)能的關(guān)鍵技術(shù)。IP核又稱IP (Intellectual Property)Core指具有獨(dú)立知識產(chǎn)權(quán)的電路核
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      共400條 24/27 |‹ « 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 »

      晶體管介紹

      【簡介】   晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。   半導(dǎo)體三極管,是內(nèi)部含有兩個P [ 查看詳細(xì) ]
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