- 中心議題： 開關電源中開關晶體管的損耗 開關電源中開關晶體管的電子輻照實驗 電子輻照雙極晶體管和鉗位型雙極晶體管的比較
功率雙極晶體管的損耗是開關電源總損耗中的最多的器件之一， 采用10M eV電子輻照
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晶體管 損耗 影響 雙極 功率 輻照 開關電源 電子
- 1、接續(xù)損耗及其解決方案1.1接續(xù)損耗光纖的接續(xù)損耗主要包括：光纖本征因素造成的固有損耗和非...
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光纖 損耗 解決方案
- 為您的電源選擇最佳的工作頻率是一個復雜的權衡過程，其中包括尺寸、效率以及成本。通常來說，低頻率設計往...
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電源 工作頻率 損耗
- 本文設計了一種低導通損耗的USB 電源開關電路。該電路采用自舉電荷泵為N 型功率管提供足夠高的柵壓， 以降低USB 開關的導通損耗。在過載情況下， 過流保護電路能將輸出電流限制在0. 3 A?！ ? 引言： 通用串行總
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設計 開關 電源 USB 損耗
- 一引言DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)?？梢詼y量出這些特征參數(shù)，...
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熱源功率 損耗 MOSFET
- 一 引言 DC-DC轉(zhuǎn)換器的效率和功率損耗是許多電子系統(tǒng)的一個重要特征參數(shù)。可以測量出這些特征參數(shù)，并用下面的直觀方式進行表達： 效率 = 輸出功率 / 輸入功率 （1） 功率損耗 = 輸入功率-輸出功率
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方法 損耗 功率 每個 求解
- Flash損耗均衡的嵌入式文件系統(tǒng)設計,引言
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲器多采用Flash存儲器實現(xiàn)擴展，由于Flash存儲器具有有限寫入次數(shù)的壽命限制，因此對于Flash存儲器局部的頻繁操作會縮短Flash存儲器的使用壽命。如何設計出一個合理的、針對嵌入式應用
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系統(tǒng) 設計 文件 嵌入式 損耗 均衡 Flash
- 負載曲線的平均負載系數(shù)越高，為達到損耗電能越小，要選用損耗比越小的變壓器；負載曲線的平均負載系數(shù)越低，為達到損耗電能越小，要選用損耗比越大的變壓器。將負載曲線的平均負載系數(shù)乘以一個大于1的倍數(shù)，通?？扇?/li>
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公式 方法 計算 損耗 變壓器 10KVA
- 1 鏈路預算 上行和下行鏈路都有自己的發(fā)射功率損耗和路徑衰落。在蜂窩通信中，為了確定有效覆蓋范圍，必須確定最大路徑衰落、或其他限制因數(shù)。在上行鏈路，從移動臺到基站的限制因數(shù)是基站的接受靈敏度。對下行鏈路來
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傳播 損耗 計算 無線 空間 基本知識 應用 鏈路 天線
- 摘要：在一般EMI濾波器的共模和差模等效電路的基礎上，分析了源阻抗和負載阻抗對濾波器插入損耗的影響。提出了共模插入損耗和差模插入損耗的計算方法，推導了濾波器插入損耗與阻抗關系的表達式，并且對這一關系作了仿
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損耗 分析 插入 濾波器 電源 EMI
- 摘要：升壓變換器通常應用在彩色監(jiān)視器中。為提高開關電源的效率，設計者必須選擇低開關損耗的MOSFET。在升壓變換器中，利用QFET新型MOSFET能夠有效地減少系統(tǒng)損耗。1引言 在開關電源設計中，效率是一個關鍵性的參
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減少 開關 損耗 MOSFET 新型 變換器 利用 升壓
- IGBT技術進步主要體現(xiàn)在兩個方面：通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場終止”概念(也有稱為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。此外，帶有單片二極
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應用 損耗 開關 優(yōu)化 新型 IGBT 采用
- 今天我們來討論下電源電路中磁性元件的損耗?！ ‰娫粗械拇判栽话憔褪侵鸽姼信c變壓器，這里我們這種討論初次級隔離的變壓器，因為這種變壓器在開關電源中應用最為廣泛?！ ∽儔浩鞯淖饔么笾率翘峁┏醮渭壍?/li>
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問題 詳解 損耗 元件 磁性 變壓器
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