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      EEPW首頁 >> 主題列表 >> 損耗

      一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算,圖文結(jié)合+計算公式步驟

      • 今天給大家分享的是:IGBT的損耗與結(jié)溫計算。與大多數(shù)功率半導體相比,IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝,同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度,有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。這里將主要介紹一下:如何測量功率計算二極管和IGBT芯片的溫升。一、損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件,兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導
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      PCB哪些因素影響損耗

      • 我們經(jīng)常討論PCB中損耗大小的問題。有的工程師就會問,哪些因為會影響損耗的大小呢?其實,最常見的答案通常會說PCB材料的損耗因子、PCB傳輸線的長度、銅箔粗糙度,其實答案肯定遠不至于此。下面我們分別就相應參數(shù)做一些實驗給大家介紹下PCB板中哪些因素對傳輸線損耗有影響。首先看看介質(zhì)損耗因子Df對損耗的影響,以Df為變量,分析Df的變化對損耗的影響,下圖是分析的原理圖:仿真對比結(jié)果如下,顯然,隨著PCB介質(zhì)損耗因子的變大,損耗越來越大:長度也是損耗的主要因素之一,把傳輸線長度設(shè)定為Len變量,分析Len的變化
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      高速的挑戰(zhàn) – 傳輸鏈路的損耗和均衡

      • 高速總線升級迭代的矛盾在于,消費者對性能的需求驅(qū)動著信號速率成倍的增長,消費者對便捷性的需求使得傳輸線無法縮短,消費者對低成本的追求要求PCB板材和傳輸線不能太貴,這就導致ISI抖動變得越來越嚴重。均衡(Equalization)就是為了應對ISI抖動,而被廣泛應用的黑科技。既然ISI抖動的根源,是傳輸鏈路對不同頻率信號損耗的差異,均衡就是要想辦法補償?shù)暨@個差異,讓不同頻率信號的幅度都能保持均勻。根據(jù)均衡技術(shù)所使用的位置,一般分為發(fā)送端均衡(Tx EQ)和接收端均衡(Rx EQ)。發(fā)送端均衡一般采用前向均
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      圖騰柱 PFC 級受益于CoolSiC? MOSFET

      • 無橋式圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC) 級可用于滿足嚴格的效率標準,但使用硅 MOSFET 時出現(xiàn)的較高損耗是不可接受的,而解決方案則是使用寬帶隙碳化硅(SiC)器件。本文將討論能夠?qū)崿F(xiàn)這些改進的 SiC器件性能參數(shù)。
      • 關(guān)鍵字: 碳化硅  圖騰柱 PFC  體二極管  恢復  電荷  效率  損耗  輸出電容  

      新型IGBT軟開關(guān)在應用中的損耗

      • 本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200V RC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應用的1,200V逆導型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面:
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      一種降低肖特基PIN限幅器損耗的方法

      •   介紹   無線通信接收器前端可能會因同步或異步信號傳輸形成過載[1],在時域雙工系統(tǒng)中,交換器或循環(huán)器連接端口間的非完美隔離會造成前者,后者則由兩個未相關(guān)系統(tǒng)天線間造成的非故意耦合產(chǎn)生,在核磁共振(NMR, Nuclear Magnetic Resonance)接收器中,另一個造成過載的原因為發(fā)出刺激脈沖后探針線圈上儲存能量所帶來的振鈴信號[2],縮小低噪聲放大器(LNA, Low Noise Amplifier)器件尺寸的作法雖然可以改善射頻性能,但卻會犧牲過載的承受能力,例如采用0.25μ
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      80GHz頻段E-Band微波應用介紹

      • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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      基于手機功耗的能量節(jié)省難點挑戰(zhàn)及損耗要素分析

      • 為了保證設(shè)備的運行速率以及低功耗要求,必須優(yōu)化設(shè)備性能。為了提高電他壽命,在系統(tǒng)級、芯片級以及晶體管級...
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      看版主講解電源效率的磁性元件損耗

      • 電源中的磁性元件一般就是指電感與變壓器,這里我們這種討論初次級隔離的變壓器,因為這種變壓器在開關(guān)電源中應...
      • 關(guān)鍵字: 電源效率  磁性元件  損耗  

      無電解電容LED驅(qū)動電路

      • 針對現(xiàn)有LED驅(qū)動電路存在電解電容限制壽命的不足,提出了一種無電解電容的LED驅(qū)動電路的設(shè)計方法。該方法采用Panasonic松下MIP553內(nèi)置PFC可調(diào)光LED驅(qū)動電路的芯片,與外部非隔離底邊斬波電路合成作為基本的電路結(jié)構(gòu),輸出穩(wěn)定的電流用以滿足LED工作的需要。同時設(shè)計保護電路來保護負載。實驗結(jié)果表明,控制器芯片能穩(wěn)定工作,并且可以實現(xiàn)27 V的恒壓輸出和350 mA的恒流輸出。
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      基于MOSFET設(shè)計優(yōu)化的功率驅(qū)動電路

      • 摘要:在分析了功率MOSFET其結(jié)構(gòu)特性的基礎(chǔ)上,討論驅(qū)動電路的設(shè)計,從而優(yōu)化MOSFET的驅(qū)動性能,提高設(shè)計的可靠性。
        關(guān)鍵詞:MOSFET;急聚點;損耗

        功率MOSFET具有開關(guān)速度快,導通電阻小等優(yōu)點,因此在開關(guān)
      • 關(guān)鍵字: MOSFET  急聚點  損耗  

      損耗/功率因數(shù)測試鮮為人知的事實

      • 隨著變電站電氣設(shè)備故障率的不斷上升,供電公司和重工業(yè)必須著手進行預防和預測性維護,確保電力系統(tǒng)的完整性和可靠性。電氣絕緣問題是電氣設(shè)備故障的一個常見原因,而介質(zhì)損耗/功率損耗/功率因數(shù)(PF)測試則經(jīng)常用于
      • 關(guān)鍵字: 損耗  功率因數(shù)  測試    

      最大化規(guī)避散熱系統(tǒng)能量損耗

      • LED燈中的LED芯片是熱流密度很大的電子元件,它們在運行過程中,由于其靜態(tài)與動態(tài)的損耗,產(chǎn)生大量的多余熱量,通過散熱系統(tǒng)發(fā)散到外部,維持其工作溫度的穩(wěn)定。目前LED的發(fā)光效率還是比較低,從而引起結(jié)溫升高,壽命
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      創(chuàng)新的低待機損耗解決方案應用于反激式轉(zhuǎn)換器

      • 節(jié)能技術(shù)在當今電子行業(yè)中,已成為一個熱點,其中最受關(guān)注的是待機功耗。相當一部分產(chǎn)品有一定比例的時間處于輕載或待機(空載)工作模式,而“能源之星”等規(guī)范標準在致力于提升電子設(shè)備所用電源適配器工作
      • 關(guān)鍵字: 應用  轉(zhuǎn)換器  解決方案  損耗  待機  創(chuàng)新  

      光波導的折射率及損耗系數(shù)

      • 目前為止,我們認為折射率是實數(shù),但是一般情況下,它是一個復數(shù)。復折射率定義為    因此,有一項為exp(-kON1z),這一項經(jīng)常被寫為exp(-a),a稱為損耗系數(shù), 之所以包含在里面,是因為a通常為強度損耗系數(shù),因此我
      • 關(guān)鍵字: 系數(shù)  損耗  折射  波導  
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