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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> 臺(tái)積電

            挑戰(zhàn)蘋果!曝谷歌自研Soc Tensor G5進(jìn)入流片階段:臺(tái)積電代工

            • 7月5日消息,縱觀目前手機(jī)市場幾大巨頭,無一例外都擁有自家的Soc芯片,頭部谷歌自然而然會(huì)走向制造SoC的道路。從Pixel 6系列開始,Pixel機(jī)型搭載谷歌定制的Tensor芯片,這顆芯片是基于三星Exynos魔改而來,只有TPU、ISP以及搭配的TitanM2安全芯片是谷歌自家的技術(shù)。但從Tensor G5開始,谷歌將實(shí)現(xiàn)芯片的完全自研,據(jù)報(bào)道,Tensor G5將由臺(tái)積電代工,采用3nm工藝制程,目前已經(jīng)進(jìn)入到了流片階段。所謂流片,就是像流水線一樣通過一系列工藝步驟制造芯片,該環(huán)節(jié)處于芯片設(shè)計(jì)和芯
            • 關(guān)鍵字: 谷歌  Soc  臺(tái)積電  Pixel  

            目標(biāo) 2026 年量產(chǎn),初探臺(tái)積電背面供電半導(dǎo)體技術(shù):最直接高效,但生產(chǎn)難度、成本高

            • IT之家 7 月 4 日消息,根據(jù)工商時(shí)報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)解決方案,所采用方式最直接、高效,但代價(jià)是生產(chǎn)復(fù)雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò)?由于晶體管越來越小,密度越來越高,堆疊層數(shù)也越來越多,因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號,需要穿過 10-20 層堆棧,大大提高了線路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。背面供電技術(shù)(BSPDN)將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布,也是晶體管三維結(jié)構(gòu)上的一種創(chuàng)新。該技術(shù)可以在增加單位面積內(nèi)晶體管密度的同時(shí),避免晶體管
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  晶圓代工  

            FOPLP導(dǎo)入AI GPU 估2027年量產(chǎn)

            • 源自臺(tái)積電2016年之InFO(整合扇出型封裝)的FOWLP(扇出型晶圓級封裝)技術(shù),伴隨AMD、輝達(dá)等業(yè)者積極洽談以FOPLP(扇出型面板級封裝)進(jìn)行芯片封裝,帶動(dòng)市場對FOPLP(扇出型面板級封裝)關(guān)注。集邦科技指出,該應(yīng)用將暫時(shí)止步于PMIC(電源管理IC)等制程成熟、成本敏感的產(chǎn)品,待技術(shù)成熟后才導(dǎo)入至主流消費(fèi)性IC產(chǎn)品,AI GPU則要到2027年才有望進(jìn)入量產(chǎn)。 集邦科技分析,F(xiàn)OPLP技術(shù)目前有三種主要應(yīng)用模式,首先是OSAT(封裝測試)業(yè)者將消費(fèi)性IC封裝從傳統(tǒng)方式轉(zhuǎn)換至FOPLP,其次是
            • 關(guān)鍵字: FOPLP  AI  GPU  臺(tái)積電  

            目標(biāo)2026年量產(chǎn),初探臺(tái)積電背面供電技術(shù):最直接高效,但也更貴

            • 7 月 4 日消息,根據(jù)工商時(shí)報(bào)報(bào)道,臺(tái)積電提出了更完善的背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)解決方案,所采用方式最直接、有效,但代價(jià)是生產(chǎn)復(fù)雜且昂貴。為什么要背面供電網(wǎng)絡(luò)?由于晶體管越來越小,密度越來越高,堆疊層數(shù)也越來越多,因此想要為晶體管供電和傳輸數(shù)據(jù)信號,需要穿過 10-20 層堆棧,大大提高了線路設(shè)計(jì)的復(fù)雜程度。背面供電技術(shù)(BSPDN)將原先和晶體管一同排布的供電網(wǎng)絡(luò)直接轉(zhuǎn)移到晶體管的背面重新排布,也是晶體管三維結(jié)構(gòu)上的一種創(chuàng)新。該技術(shù)可以在增加單位面積內(nèi)晶體管密度的同時(shí),避免晶體管和電源網(wǎng)絡(luò)之間的信號
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  背面供電技術(shù)  BSPDN  

            消息稱蘋果繼 AMD 后成為臺(tái)積電 SoIC 半導(dǎo)體封裝大客戶

            • 7 月 4 日消息,根據(jù)經(jīng)濟(jì)日報(bào)報(bào)道,在 AMD 之后,蘋果公司在 SoIC 封裝方案上已經(jīng)擴(kuò)大和臺(tái)積電的合作,預(yù)估在2025 年使用該技術(shù)。臺(tái)積電正在積極提高 CoWoS 封裝產(chǎn)能的同時(shí),也在積極推動(dòng)下一代 SoIC 封裝方案落地投產(chǎn)。AMD 是臺(tái)積電 SoIC 的首發(fā)客戶,旗下的 MI300 加速卡就使用了 SoIC+CoWoS 封裝解決方案,可將不同尺寸、功能、節(jié)點(diǎn)的晶粒進(jìn)行異質(zhì)整合,目前在位于竹南的第五座封測廠 AP6 生產(chǎn)。臺(tái)積電目前已經(jīng)整合封裝工藝構(gòu)建 3D Fabric 系統(tǒng),其中分為 3
            • 關(guān)鍵字: 蘋果  AMD  臺(tái)積電  SoIC  半導(dǎo)體  封裝  

            臺(tái)積電CoWoS擴(kuò)產(chǎn) 可望落腳云林

            • 晶圓代工龍頭臺(tái)積電將在7月18日舉行法說會(huì),2日業(yè)界先傳出臺(tái)積電可能會(huì)在云林覓地設(shè)先進(jìn)封裝廠,臺(tái)積電表示,一切以公司對外公告為主;法人認(rèn)為臺(tái)積電受惠AI強(qiáng)勁需求,仍看好長線,擠進(jìn)千元俱樂部沒問題。 臺(tái)積電在嘉義的CoWoS先進(jìn)封裝P1廠,在整地時(shí)發(fā)現(xiàn)遺址,因此停工,改興建P2廠,日前傳出臺(tái)積電在屏東或者云林覓地,希望能找到P1的替代場址,2日供應(yīng)鏈傳出臺(tái)積電可能已在云林的虎尾園區(qū)覓地。針對云林設(shè)廠的傳言,臺(tái)積電表示,設(shè)廠地點(diǎn)選擇有諸多考慮因素,公司以臺(tái)灣作為主要基地,不排除任何可能性;將持續(xù)與管理局合作評
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  CoWoS  先進(jìn)封裝  

            臺(tái)積電背面電軌黑科技 供應(yīng)鏈價(jià)量齊揚(yáng)

            • 埃米時(shí)代來臨,背面電軌(BSPDN)成為先進(jìn)制程最佳解決方案,包括臺(tái)積電、英特爾、imec(比利時(shí)微電子研究中心)提出不同解方,鎖定晶圓薄化、原子層沉積檢測(ALD)及再生晶圓三大制程重點(diǎn),相關(guān)供應(yīng)鏈包括中砂、天虹及升陽半導(dǎo)體等受惠。 背面電軌(BSPDN)被半導(dǎo)體業(yè)者喻為臺(tái)積電最強(qiáng)黑科技,成為跨入埃米時(shí)代最佳解決方案,預(yù)估2026年啟用。目前全球有三種解決方案,分別為imec的Buried Power Rail、Intel的PowerVia及臺(tái)積電的Super Power Rail。代工大廠皆開始透過設(shè)
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  背面電軌  BSPDN  

            ASML或?qū)yper-NA EUV光刻機(jī)定價(jià)翻倍,讓臺(tái)積電、三星和英特爾猶豫不決

            • ASML去年末向英特爾交付了業(yè)界首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī),業(yè)界準(zhǔn)備從EUV邁入High-NA EUV時(shí)代。不過ASML已經(jīng)開始對下一代Hyper-NA EUV技術(shù)進(jìn)行研究,尋找合適的解決方案,計(jì)劃在2030年左右提供新一代Hyper-NA EUV光刻機(jī)。據(jù)Trendforce報(bào)道,Hyper-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格預(yù)計(jì)達(dá)到驚人的7.24億美元,甚至可能會(huì)更高。目前每臺(tái)EUV光刻機(jī)的價(jià)格約為1.81億美元,High-NA EUV光刻機(jī)的價(jià)格大概為3.8億美元,是EUV光刻機(jī)的兩倍多
            • 關(guān)鍵字: ASML  Hyper-NA EUV  光刻機(jī)  臺(tái)積電  三星  英特爾  

            消息稱臺(tái)積電 3/5 nm 制程明年漲價(jià):AI 產(chǎn)品漲 5~10% ,非 AI 產(chǎn)品 0~5%

            • IT之家 7 月 2 日消息,中國臺(tái)灣消息人士 @手機(jī)晶片達(dá)人 爆料稱,臺(tái)積電正準(zhǔn)備從明年 1 月 1 日起宣布漲價(jià),主要針對 3/5 nm,其他制程維持原價(jià)。據(jù)稱,臺(tái)積電計(jì)劃將其 3/5 nm 制程的 AI 產(chǎn)品報(bào)價(jià)提高 5%-10% ,非 AI 產(chǎn)品提高 0-5% 。實(shí)際上,上個(gè)月臺(tái)灣工商時(shí)報(bào)也表示臺(tái)積電已經(jīng)開始傳出漲價(jià)消息。全球七大科技巨頭(英偉達(dá)、AMD、英特爾、高通、聯(lián)發(fā)科、蘋果及谷歌)將陸續(xù)導(dǎo)入臺(tái)積電 3nm 制程,例如高通驍龍 8 Gen 4、聯(lián)發(fā)科天璣 9400 及蘋果
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  晶圓代工  

            美國將砸錢解決半導(dǎo)體人力荒

            • 報(bào)導(dǎo)指出,美國政府將動(dòng)用為「國家半導(dǎo)體技術(shù)中心」(National Semiconductor Technology Center,NSTC)所撥備的50億美元聯(lián)邦資金,來支持這項(xiàng)被稱為「勞動(dòng)力合作伙伴聯(lián)盟」的半導(dǎo)體人才培育計(jì)劃。NSTC擬向多達(dá)10個(gè)勞動(dòng)力發(fā)展項(xiàng)目提供介于50萬至200萬美元資金,并在未來幾個(gè)月啟動(dòng)申請流程,在考慮所有提案后,官員將拍板總支出規(guī)模。 這筆50億美元資金是來自于2022年通過的《芯片與科學(xué)法案》(Chips and Science Act)。這項(xiàng)具里程碑意義的法案展現(xiàn)美國強(qiáng)
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  美國  半導(dǎo)體  人力荒  

            臺(tái)積電完勝三星!死忠客戶Google轉(zhuǎn)單

            • 三星3納米制程良率不佳,外傳低于20%,導(dǎo)致原有客戶出走,最新傳出Google Pixel 10搭載的Tensor G5芯片,將改為臺(tái)積電代工生產(chǎn)。 綜合外媒報(bào)導(dǎo),Google Pixel 10系列手機(jī)的Tensor G5處理器(SoC),目前已進(jìn)入 Tape-ou(流片)階段。 Google首款完全自研手機(jī)處理器Tensor G5,前四代Tensor芯片都是三星Exynos修改,由三星代工生產(chǎn),如今已從過往三星獨(dú)家代工轉(zhuǎn)向臺(tái)積電。報(bào)導(dǎo)稱,Tensor G5采用Google自研架構(gòu)、臺(tái)積電3納米制程,芯片
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  三星  Google  

            擴(kuò)展計(jì)算滿足AI需求的兩種解決方案

            • 五十年前,DRAM發(fā)明者和IEEE榮譽(yù)勛章獲得者羅伯特·丹納德(Robert Dennard)創(chuàng)造了半導(dǎo)體行業(yè)不斷提高晶體管密度和芯片性能的道路。這條路徑被稱為 Dennard 縮放,它幫助編纂了 Gordon Moore 關(guān)于設(shè)備尺寸每 18 到 24 個(gè)月縮小一半的假設(shè)。幾十年來,它迫使工程師們不斷突破半導(dǎo)體器件的物理極限。但在 2000 年代中期,當(dāng) Dennard 擴(kuò)展開始耗盡時(shí),芯片制造商不得不轉(zhuǎn)向極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)等奇特解決方案,以試圖保持摩爾定律的步伐。2017年,在訪問紐約州馬耳
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  堆疊GPU  直線加速器  縮小設(shè)備  AI  

            蘋果擴(kuò)大下單A18 臺(tái)積電N3E沖刺

            • 蘋果全新AI手機(jī)iPhone 16拉貨在即,將掀換機(jī)熱潮,全系列產(chǎn)品可望搭載臺(tái)積電第二代3納米制程N(yùn)3E芯片,利用FinFlex技術(shù)平衡性能及功耗,大幅拉高硅含量;供應(yīng)鏈透露,蘋果已調(diào)高A18芯片訂單規(guī)模,加上M4系列芯片蓄勢待發(fā),帶旺臺(tái)積電下半年?duì)I運(yùn)。 蘋果WWDC 2024引領(lǐng)AI落地,市場傳出,蘋果iPhone 16基本款(16與16 Plus)采用A18處理器,延續(xù)原先A17 Pro處理器設(shè)計(jì),但改采臺(tái)積電N3E制程;另iPhone 16 Pro(Pro及Pro Max或Ultra)則采用全新設(shè)計(jì)
            • 關(guān)鍵字: 蘋果  A18  臺(tái)積電  N3E  

            輿論漩渦中的臺(tái)積電 唯獨(dú)沒人愿意談技術(shù)

            • “我們被友商黑慘了”,雖然這句話幾乎適用于任何行業(yè),但它似乎成為中國IT數(shù)碼圈特有的金句。只是這句話如果套用在臺(tái)積電這家公司身上,似乎正好相反,“除了友商之外,我們被其他各界黑慘了”??梢哉f,夾在中美兩大陣營中間的臺(tái)積電,成為整個(gè)中文自媒體和媒體圈在半導(dǎo)體領(lǐng)域的絕對焦點(diǎn),風(fēng)頭完全蓋過了剛剛沖上全球市值第一的英偉達(dá)。為了討口飯吃進(jìn)行各方媒體內(nèi)容搬運(yùn)工作時(shí),基本上每天都能接觸到三兩篇關(guān)于臺(tái)積電的新聞,自認(rèn)為了解的不算多但也希望“厚顏無恥”的寫點(diǎn)東西出來,算是對自己幾個(gè)月新聞搬運(yùn)工作的小結(jié)。 幾句話先
            • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  

            臺(tái)積電EUV大舉拉貨 供應(yīng)鏈集體狂歡

            • 臺(tái)積電2納米先進(jìn)制程產(chǎn)能將于2025年量產(chǎn),設(shè)備廠正如火如荼交機(jī),尤以先進(jìn)制程所用之EUV(極紫外光曝光機(jī))至為關(guān)鍵,今明兩年共將交付超過60臺(tái)EUV,總投資金額上看超過4,000億元。在產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)充之下,ASML2025年交付數(shù)量成長將超過3成,臺(tái)廠供應(yīng)鏈沾光,其中家登積極與ASML攜手投入次世代High-NA EUV研發(fā),另外帆宣、意德士、公準(zhǔn)、京鼎及翔名等有望同步受惠。 設(shè)備業(yè)者透露,EUV機(jī)臺(tái)供應(yīng)吃緊,交期長達(dá)16至20個(gè)月,因此2024年訂單大部分會(huì)于后年開始交付;據(jù)法人估計(jì),今年臺(tái)積電EUV訂
            • 關(guān)鍵字: 2納米  先進(jìn)制程  ASML  EUV  臺(tái)積電  
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            臺(tái)積電介紹

              臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor)   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司網(wǎng)站:http://www.tsmc.com.tw/ 英文   臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司簡介   臺(tái)積公司于1987年在新竹科學(xué)園區(qū)成立,是全球第一家的專業(yè)集成電路制造服務(wù)公司。身為業(yè)界的創(chuàng)始者與領(lǐng)導(dǎo)者,臺(tái)積公司是全球規(guī)模最大的專業(yè)集成電路制造 [ 查看詳細(xì) ]

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