在未來十年,受電源、光伏(PV)逆變器以及工業(yè)電動機的需求驅動,新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩(wěn)步增長。
據(jù)有關報告稱,至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據(jù)預測,未來十年這一市場的銷售額將實現(xiàn)兩位數(shù)的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年,SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現(xiàn)。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
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趙海軍
4月26日晚間消息,中芯國際今日發(fā)布公告,宣布任命趙海軍為公司首席運營官(COO),自2013年4月25起生效。
趙海軍簡歷:
趙海軍2010年加入中芯國際,2011年9月?lián)伪眳^(qū)運營中心副總裁,2012年6月升任為資深副總裁。此前,趙海軍擔任臺灣茂德科技技術發(fā)展暨產品本部兼大中華事業(yè)部副總裁,并曾在新加坡TECH半導體擔任管理職位。
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中芯國際 半導體
DESIGN West展會在美國硅谷舉辦,匯集了業(yè)界眾多的頂級嵌入式系統(tǒng)開發(fā)公司,ASIC設計服務供應商,器件分銷商,系統(tǒng)集成商和制造商。燦芯半導體首次參加這一全球最大的系統(tǒng)設計工程師盛會,展示了其高速低功耗芯片設計解決方案,備受國際廠商的關注。
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燦芯 ARM 半導體
ASM太平洋行政總裁李偉光表示,公司訂單表現(xiàn)反映半導體行業(yè)周期,已于去年第四季已經(jīng)見底,客戶亦恢復信心,相信未來會維持平穩(wěn)增長,但與去年強勁增速情況不同。他預期,隨著新訂單于首季反彈,整體營業(yè)額及訂單于第二季有改善,未來毛利率亦會大幅提升。
他又指,大股東ASM國際減持公司股份,并不代表對公司失去信心,只是因為ASM國際股值嚴重被低估,與公司的市值有10億美元差距,因此大股東計劃透過分拆旗下業(yè)務上市,以及減持ASM太平洋股份套現(xiàn),以收窄兩公司市值的差距。他相信,ASM國際短期內不會再減持,持股比
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ASM 半導體
全球最大半導體代工企業(yè)臺灣積體電路制造(以下簡稱臺積電)公司將加強投資。2013年計劃將用于智能手機半導體的產能擴大3倍。全年設備投資最多將達到100億美元,有望創(chuàng)歷史新高。
臺積電將以臺灣南部的工廠為中心擴大生產。雖然28納米產品的產能尚未公布,但在使用直徑為300毫米的硅晶圓(半導體材料)的主力工廠中,28納米產品所占的比例到2013年底有望達到20%-30%。同時,臺積電將增加2013年的設備投資額。此前預定為90億美元,較2012年實際投資額增長8%,而該公司董事長張忠謀在日前的財報發(fā)布
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臺積電 半導體
全球最大的半導體制造設備供應商荷蘭ASML今天披露說,他們將按計劃在2015年提供450毫米晶圓制造設備的原型,Intel、三星電子、臺積電等預計將在2018年實現(xiàn)450毫米晶圓的商業(yè)性量產,與此同時,極紫外(EUV)光刻設備也進展順利,將在今年交付兩套新的系統(tǒng)。
ASML在一份聲明中稱:“在客戶合作投資項目的支持下,我們已經(jīng)完成了用于極紫外、沉浸式光刻的450毫米架構的概念設計,將在2015年交貨原型,并兼容2018年的量產,當然如果整個產業(yè)來得及的話?!?
Int
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ASML 半導體 晶圓
4月23日,美新半導體宣布公司同意接受IDG-Accel中國成長基金Ⅱ以及旗下附屬基金(簡稱IDG)發(fā)起的私有化要約,收購價格為每股4.225美元。截至目前IDG以及其附屬基金一共持有美新半導體18,328股普通股,持股比例為19.5%。IDG以及其附屬基金將完全收購其未持有的全部美新半導體的股份,總價值約8850萬美元。
每股4.225美元的收購價格,較美新半導體2012年11月20日收盤價$1.74溢價143%;較美新半導體收到私有化要月前90個交易日平均價格溢價144%;較該公司2013年
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美新 半導體
北京時間4月23日凌晨消息,德州儀器今天公布了2013財年第一季度財報。報告顯示,德州儀器第一季度營收為28.85億美元,比去年同期的31.21億美元下滑8%;第一季度凈利潤為3.62億美元,比去年同期的2.65億美元增長37%。德州儀器第一季度盈利略微超出華爾街分析師預期,營收符合預期,推動其盤后股價小幅上漲不到1%。
在截至3月31日的這一財季,德州儀器的凈利潤為3.62億美元,比去年同期的2.65億美元增長37%;每股收益32美分,較去年同期的每股收益22美分增長45%,超出分析師此前預期
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德州儀器 半導體
市場調查機構IHS iSuppli最新報告指出,全球半導體庫存在第四季度環(huán)比下降11%,超過市場預期。其中英特爾的降幅為最大,削減庫存達5.85億美元,而且,半導體供應商的庫存天數(shù)在第四季度下降了5%,快于市場初步預計的1.5%環(huán)比降幅。與此同時,庫存價值也下跌了近5%,超過預期的3%跌幅。
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IHS 半導體 201304
2012低潮漸退新的一年復蘇在跳動
4月12日,第81屆電子展緩緩落下帷幕,全國電子行業(yè)的企業(yè)家們匯聚在深圳,這里不僅僅是展示自己的產品、變化和技術和平臺,更是展示企業(yè)實力的舞臺。這也讓我們有了近距離接觸這些耕耘在電子行業(yè)里的拼搏者們。
深圳的天氣像是個頑皮的孩童,總是讓人難以捉摸,前幾天還有著些許寒意。兩天后便艷陽高照,或大雨傾盆。春季的步伐還沒有站穩(wěn),便蹦蹦跳跳的進入夏季。記者在一個悶熱的上午,跳上了開往石巖的車。
石巖街道位于深圳市西北部、寶安區(qū)中部。這個總人口40多萬人,其中
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電子 半導體
在全球經(jīng)濟持續(xù)不景氣的影響下,2012年全球半導體市場沒有迎來預期的市場復蘇,市場規(guī)模為2915.6億美元,增速下滑2.7%。反觀中國市場,中國集成電路產業(yè)在經(jīng)濟成長、智能手機爆發(fā)等因素影響下好于全球市場。根據(jù)中國半導體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2012年中國集成電路產業(yè)銷售額為2158.5億元,同比增長11.6%,中國集成電路產業(yè)已形成良好發(fā)展勢頭。
不過,現(xiàn)階段中國集成電路產業(yè)與國外相比差距較大,自身的不足與對手的大者恒大使得我國集成電路產業(yè)發(fā)展面臨著一系列的挑戰(zhàn),中國集成電路已走到產業(yè)變革的十字路口。
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半導體 IC制造
時下一句時髦的流行語叫“改革進入了深水區(qū)”,意指中國的改革開放進入攻堅階段。對于中國半導體產業(yè)而言,這句話同樣適用,即中國半導體產業(yè)的創(chuàng)新也要勇于進入“深水區(qū)”。對于這一點,其外在表現(xiàn)及帶來的影響主要表現(xiàn)在如下三個方面:
1、中國市場日益龐大,同時個性化需求不斷凸顯,這要求中國半導體領域的創(chuàng)新需要由“普適”走向“定制”。中國集成電路市場已經(jīng)已連續(xù)多年穩(wěn)居全球最大市場,且其在全球市場中所占比重還在逐年上
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半導體 存儲器
2013年半導體產業(yè)出現(xiàn)回暖跡象,業(yè)界對今年的發(fā)展形勢也較為看好,但中國市場也呈現(xiàn)新的商機和挑戰(zhàn),需要企業(yè)應需而變。一些半導體上游廠商接受媒體采訪時就他們的發(fā)展策略和布局發(fā)表了自己的看法。
村田:找準投入市場時機點
“為了讓產品找準投入市場的時機點,元器件廠商要看清主要IC廠商的發(fā)展路線?!?
“由于歐洲的不景氣造成出口萎靡不振,電子元器件的市場需求也處于低迷狀態(tài)。不過,也有諸多積極因素在推動電子元器件的市場需求。例如,由于市場上某些芯片的壟斷效應以
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半導體 元器件
LED照明行業(yè)政策暖風頻吹:全球主要國家和地區(qū)相繼出臺全面淘汰白熾燈的政策法規(guī),歐盟、日本等于2012年全面禁止使用白熾燈,美國、加拿大等從2012-2014年逐步淘汰大多數(shù)白熾燈。國內預計2016年后普通照明用白熾燈將退出通用照明市場。同時,國內加大了對LED照明行業(yè)的扶持力度,科技部、國務院等出臺系列措施加大扶持LED照明行業(yè)。
LED照明行業(yè)“甜蜜期”漸行漸近:2010年全球LED行業(yè)市場規(guī)模將近100億美元,其中通用照明領域市場規(guī)模約25億美元,占總市場份額的25
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半導體 電子設備
隨著知識經(jīng)濟與經(jīng)濟全球化的推進,知識產權(包括專利、商標和版權等)成為國家及企業(yè)重要的戰(zhàn)略資源。近10年來,半導體照明市場快速增長,LED知識產權成為國際半導體照明產業(yè)競爭的焦點??v觀全球LED知識產權格局,產業(yè)的核心專利仍由日本的日亞化學公司、豐田合成公司、美國科銳公司、飛利浦流明公司及德國的歐司朗公司等5大廠商主導。雖然近些年我國大陸地區(qū)LED專利申請數(shù)量大幅增長,申請量已經(jīng)超過美國列世界第2位,但我國在全球LED知識產權格局中的地位并沒有因此得到根本改善。相反,LED知識產權問題正成為制約我國L
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LED 半導體
半導體介紹
semiconductor
電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負的電阻溫度系數(shù)的物質。半導體室溫時電阻率約在10-5~107歐·米之間,溫度升高時電阻率指數(shù)則減小。半導體材料很多,按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體;化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物(砷化鎵、磷化鎵等)、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [
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