半導(dǎo)體文章進(jìn)入半導(dǎo)體技術(shù)社區(qū)

SIA：2013年全球芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展強(qiáng)勁

　　通信世界網(wǎng)訊(CWW)3月12日消息，國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SIA)根據(jù)3個(gè)月以來市場(chǎng)平均數(shù)據(jù)測(cè)算，今年一月份全球芯片銷售額達(dá)到240.5億美元，比去年同期增長(zhǎng)3.8%，表現(xiàn)出良好的趨勢(shì)。　　SIA首席執(zhí)行官Brian Toohey表示，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在維持了2012年年底強(qiáng)勁的發(fā)展基礎(chǔ)上， 2013年又展現(xiàn)出了令人鼓舞的開端。不過，他補(bǔ)充說，盡管芯片產(chǎn)業(yè)在美國(guó)持續(xù)走強(qiáng)，可經(jīng)濟(jì)的不確定性依然阻礙了全球芯片業(yè)更強(qiáng)勁的增長(zhǎng)趨勢(shì)。2012年12月份的芯片銷售總額為247.4億美元，而
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電源設(shè)計(jì)小貼士 51：了解寄生電容器

電源設(shè)計(jì)小貼士 51：了解寄生電容器,電源紋波和瞬態(tài)規(guī)格會(huì)決定所需電容器的大小，同時(shí)也會(huì)限制電容器的寄生組成設(shè)置。圖 1 顯示一個(gè)電容器的基本寄生組成，其由等效串聯(lián)電阻(ESR)和等效串聯(lián)電感(ESL)組成，并且
關(guān)鍵字：電源、電容器、ESL、ESR、電源設(shè)計(jì)小貼士電源管理模擬半導(dǎo)體

中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值增幅是全球10倍

　　普華永道6日在上海發(fā)布《2012半導(dǎo)體市場(chǎng)——中國(guó)新勢(shì)力》報(bào)告指出，過去兩年中國(guó)內(nèi)地的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值增幅是全球的10倍多。　　報(bào)告中的數(shù)據(jù)顯示，2010年到2012年，中國(guó)的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)總額從1320億美元增長(zhǎng)到1512億美元，增幅為14.6%;這兩年間中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值從3810億美元增長(zhǎng)到4350億美元，增幅為14.4%。同期，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從2983億美元增長(zhǎng)到2995億美元，增幅僅為0.4%。　　報(bào)告稱，中國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)14.6%的增長(zhǎng)率使其在全球市場(chǎng)的份額
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中國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)額已占全球市場(chǎng)47%

　　普華永道最新發(fā)布的《2012半導(dǎo)體市場(chǎng)--中國(guó)新勢(shì)力》報(bào)告指出，中國(guó)的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)和產(chǎn)業(yè)增長(zhǎng)速度是全球的10倍多。該報(bào)告同時(shí)顯示，中國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)總額占了全球整體市場(chǎng)的一半以上。　　中國(guó)半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)14.6%的增長(zhǎng)率使其在全球市場(chǎng)的份額達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的47%。這一超出預(yù)期的增長(zhǎng)速度歸結(jié)于中國(guó)在智能手機(jī)和平板電腦產(chǎn)品生產(chǎn)中的重要地位。　　中國(guó)的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng)增長(zhǎng)速度之所以能夠超越全球市場(chǎng)，主要是因?yàn)槿虻碾娮釉O(shè)備產(chǎn)品的生產(chǎn)不斷向中國(guó)轉(zhuǎn)移，這些電子設(shè)備中半導(dǎo)體零件的比重超過了全球平均水平。中國(guó)
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半導(dǎo)體廠先進(jìn)制程進(jìn)度

　　半導(dǎo)體廠先進(jìn)制程布局在28奈米階段被炒熱，主要是受惠通訊晶片對(duì)于省電、高效能的要求，使得28奈米需求旺盛。2012年僅臺(tái)積電有產(chǎn)能，但仍無法滿足大客戶需求，到2013年初，臺(tái)積電28奈米制程的產(chǎn)能已擴(kuò)增倍數(shù)，目前單月產(chǎn)能約7萬片12寸晶圓。　　臺(tái)積電28奈米產(chǎn)能開出之際，同業(yè)也積極拉升28奈米良率，以卡位第二供應(yīng)商策略進(jìn)入戰(zhàn)場(chǎng)，日前GlobalFoundries的良率大幅提升，已搶下高通(Qualcomm)、聯(lián)發(fā)科等訂單。　　在28奈米制程以下是20奈米制程，但部分客戶轉(zhuǎn)進(jìn)意愿不高，因?yàn)?0奈
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SIA發(fā)布統(tǒng)計(jì)報(bào)告一月份半導(dǎo)體銷售額同比增長(zhǎng)

　　日前，半導(dǎo)體聯(lián)盟SIA發(fā)布統(tǒng)計(jì)報(bào)告稱，2013年一月半導(dǎo)體總銷售額為240.5億美元，同比增長(zhǎng)3.8%，環(huán)比下降2.8%。　　具體按區(qū)域來說，北美和亞太地區(qū)都出現(xiàn)了同比增長(zhǎng)，其中北美為10.5%，亞太為7.8%。而歐洲與日本分別下滑4.9%與12.3%。　　而環(huán)比增長(zhǎng)率方面來講，歐洲成為了僅有的增長(zhǎng)區(qū)，增幅為0.4%,其他亞太、北美與日本分別下滑2.5%、3.5%以及5.5%。
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鄧中翰兩會(huì)提案：建議國(guó)家扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

　　全國(guó)人大代表、中星微董事局主席鄧中翰今天下午表示，在今年的兩會(huì)中他將建議國(guó)家出臺(tái)政策大力扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，并在國(guó)家層面推廣某些領(lǐng)域的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，以尋找市場(chǎng)突破口。　　鄧中翰今天就兩會(huì)提案與媒體展開溝通。他透露，今年提交的的3項(xiàng)建議中，其中一項(xiàng)就是，建議國(guó)家在未來5到10內(nèi)出臺(tái)扶持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的政策，引導(dǎo)更多資源向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)傾斜，使得中國(guó)從制造大國(guó)走向半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)。　　鄧中翰指出，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)底子薄、企業(yè)還很少，在人才、資金方面也很缺乏，雖然過去進(jìn)行了很多研究，但是實(shí)踐卻很少，沒有形成有效的產(chǎn)業(yè)突破點(diǎn)
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中芯國(guó)際首席執(zhí)行官邱慈云博士出任燦芯半導(dǎo)體董事長(zhǎng)

　　國(guó)際領(lǐng)先的IC設(shè)計(jì)公司及一站式服務(wù)供應(yīng)商燦芯半導(dǎo)體(上海)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“燦芯半導(dǎo)體”)今日宣布，中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(“中芯國(guó)際”，紐交所代號(hào)：SMI，港交所股份代號(hào)：981)首席執(zhí)行官邱慈云博士出任燦芯半導(dǎo)體董事長(zhǎng)。　　邱慈云博士是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資深人士，擁有超過30 年的半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)、商務(wù)拓展、運(yùn)營(yíng)和公司管理經(jīng)驗(yàn)，曾先后擔(dān)任華虹NEC總裁兼首席執(zhí)行官、Silterra Malaysia總裁兼首席運(yùn)營(yíng)官、中芯國(guó)際高級(jí)運(yùn)營(yíng)副總裁及臺(tái)積電運(yùn)
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半導(dǎo)體市場(chǎng)今年可翻身

市場(chǎng)調(diào)研公司Databeans于2012年10月23日曾詳細(xì)羅列數(shù)字，預(yù)測(cè)2012年世界半導(dǎo)體市場(chǎng)將比上年微增0.2%，達(dá)3000億美元，不到2個(gè)月于12月10日馬上改口，預(yù)測(cè)當(dāng)年市場(chǎng)將下降2%，計(jì)2926億美元，提出的主要原因一是世界經(jīng)濟(jì)疲軟，二是產(chǎn)品供應(yīng)過剩?？梢姡闆r變化太快，公司跟不上，不得不隨時(shí)修正。
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全球工業(yè)電子半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入預(yù)測(cè) 今年前景將改善

　　據(jù)IHS iSuppli公司的工業(yè)電子市場(chǎng)追蹤報(bào)告，全球經(jīng)濟(jì)萎靡不振以及主要半導(dǎo)體供應(yīng)商業(yè)績(jī)不佳，去年繼續(xù)消磨工業(yè)電子市場(chǎng)的活力，導(dǎo)致總體營(yíng)業(yè)收入下降。　　2012年工業(yè)電子半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入為305億美元，比2011年的314億美元減少2.8%。這證實(shí)了當(dāng)初增長(zhǎng)疲弱的預(yù)測(cè)，同時(shí)亦凸顯該市場(chǎng)的下滑程度是多么驚人——2010年大增36.5%，而2011年亦強(qiáng)勁增長(zhǎng)9.7%。　　但隨著需求增強(qiáng)和預(yù)計(jì)下半年有所復(fù)蘇，2013年前景將會(huì)改善。預(yù)計(jì)隨后幾年市場(chǎng)會(huì)繼續(xù)擴(kuò)張，2011-2
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富士通全盤改革半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 與松下成立SoC設(shè)計(jì)公司

　　富士通代表董事社長(zhǎng)山本正已表示，“這些措施是對(duì)如何(使半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造業(yè)務(wù))留在日本這個(gè)問題進(jìn)行思考之后得出的結(jié)論”。　　2013年2月7日，該公司宣布將與松下合并系統(tǒng)LSI(SoC)業(yè)務(wù)。富士通的全資子公司富士通半導(dǎo)體與松下已經(jīng)達(dá)成一致，雙方將合并SoC業(yè)務(wù)設(shè)計(jì)開發(fā)職能，成立無廠形態(tài)的新公司。今后將協(xié)商正式簽署協(xié)議。與此同時(shí)，富士通還請(qǐng)求日本政策投資銀行為新公司出資。新公司的成立時(shí)間預(yù)定在2013年中期。　　預(yù)計(jì)將有約4500名員工從富士通半導(dǎo)體轉(zhuǎn)職到新的無廠公司及代
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印度電子大國(guó)之路：將設(shè)首家半導(dǎo)體工廠

　　印度正朝著電子大國(guó)的方向發(fā)展。2012年10月，印度政府批準(zhǔn)了電子產(chǎn)業(yè)振興政策“TheNationalPolicyonElectronics2012”。該政策計(jì)劃在2020年之前投資1000億美元培育電子產(chǎn)業(yè)。　　該政策將通過高額的補(bǔ)助金和稅收優(yōu)惠等舉措，推動(dòng)半導(dǎo)體工廠的設(shè)立以及電子設(shè)備制造開發(fā)設(shè)施的引進(jìn)。目的是以印度一直以來的優(yōu)勢(shì)——軟件產(chǎn)業(yè)為核心，將產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域由LSI設(shè)計(jì)制造擴(kuò)大到設(shè)備制造，在印度國(guó)內(nèi)建立可一條龍生產(chǎn)消費(fèi)類產(chǎn)品、醫(yī)療器械和汽車用電子
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創(chuàng)新靈感,一觸即發(fā)!

第十二屆慕尼黑上海電子展electronica China 和慕尼黑上海電子生產(chǎn)設(shè)備展productronica China將于2013年3月19-21日在上海新國(guó)際博覽中心E1、E2、E3、E4館舉行。
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飛兆半導(dǎo)體推出具有高可靠性和卓越開關(guān)性能IGBT

高功率和高頻率感應(yīng)加熱（IH）家用電器需要更低的傳導(dǎo)損耗和卓越的開關(guān)性能，以便在IH電飯煲、臺(tái)式電磁爐和基于逆 ...
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硅芯片大限不遠(yuǎn)：碳納米管將成下一代材料?

　　遲早有一天使用硅為材料制造日益變小的電路的極限將會(huì)到來，從而終結(jié)摩爾定律。碳納米管技術(shù)可將半導(dǎo)體縮小至5納米的極限。　　北京時(shí)間2月21日消息，在未來十年左右的時(shí)間里，蝕刻在硅基電腦芯片上的電路預(yù)計(jì)就將變得小無可小，從而促使人們尋找替代品來取代硅基芯片的地位。在使用什么材料作為替代品的問題上，有些研究者正對(duì)碳納米管寄予厚望。在本周一，斯坦福大學(xué)的一個(gè)研究團(tuán)隊(duì)成功地演示了一個(gè)簡(jiǎn)單的微電子電路，這個(gè)電路是由44個(gè)完全以絲狀纖維制成的晶體管所組成的。　　這個(gè)研究團(tuán)隊(duì)在舊金山展開的一次科技會(huì)議上展示了
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]