?nand flash 文章進(jìn)入?nand flash技術(shù)社區(qū)

關(guān)于NAND閃存顆粒你必須知道這些事兒

　　隨著近段時(shí)間以來(lái)，固態(tài)硬盤(pán)、內(nèi)存條甚至優(yōu)盤(pán)等存儲(chǔ)設(shè)備的大幅度一致性漲價(jià)，影響著存儲(chǔ)設(shè)備漲價(jià)的背后關(guān)鍵性元件閃存顆粒，開(kāi)始浮出水面，被越來(lái)越多的業(yè)內(nèi)人士，反復(fù)解讀。　　那么，在價(jià)格上起著關(guān)鍵性因素的閃存顆粒到底是什么?閃存顆粒和存儲(chǔ)設(shè)備的價(jià)格上漲又有什么關(guān)系?2D NAND和3D NAND閃存顆粒之間又有哪些區(qū)別?下面，我們一起來(lái)聊聊NAND閃存顆粒這些年。　　閃存顆粒的釋義及廠商　　閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲(chǔ)器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)，而且是以固定的區(qū)塊為單
關(guān)鍵字： NAND 存儲(chǔ)器

大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例，闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
關(guān)鍵字： Flash NAND 02A 1FT

2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧

　　摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動(dòng)工，整個(gè)項(xiàng)目預(yù)
關(guān)鍵字： SSD 3D NAND

如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

　　被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。　　要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤，這種錯(cuò)誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器

2017年中國(guó)將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存

　　由于智能手機(jī)、SSD市場(chǎng)需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片最近都在漲價(jià)，這也給了中國(guó)公司介入存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)的機(jī)遇。在中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲(chǔ)芯片是最優(yōu)先的，也是全國(guó)各地都爭(zhēng)著上馬的項(xiàng)目，其中國(guó)家級(jí)的存儲(chǔ)芯片基地在武漢，投資超過(guò)240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計(jì)2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點(diǎn)不算低。　　　　2015年中，國(guó)家級(jí)存儲(chǔ)芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
關(guān)鍵字： 3D NAND

大陸發(fā)展存儲(chǔ)器大計(jì)三箭齊發(fā)　明年推首顆自制3D NAND芯片

　　大陸發(fā)展3D NAND、DRAM、NOR Flash存儲(chǔ)器大計(jì)正如火如荼地展開(kāi)，初步分工將由長(zhǎng)江存儲(chǔ)負(fù)責(zé)3D NAND及DRAM生產(chǎn)，武漢新芯則專職NOR Flash和邏輯代工。2016年底長(zhǎng)江存儲(chǔ)將興建首座12吋廠，最快2017年底生產(chǎn)自制32層堆疊3D NAND芯片，盡管落后目前三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)技術(shù)約2個(gè)世代，然大陸終于將全面進(jìn)軍NAND Flash領(lǐng)域。　　盡管大陸并未趕上NAND Flash存儲(chǔ)器世代，但在存儲(chǔ)器技術(shù)改朝換代之際，大
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫(xiě)壽命的方法

摘要在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備E
關(guān)鍵字： MSP430G 單片機(jī) Flash

關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作，EEPROM則按字節(jié)操作，二者尋址方法不同，存儲(chǔ)單元的結(jié)構(gòu)也不同，F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，同樣容量占芯片面積較小，成本自然比EEPROM低，因而適合用作程序存儲(chǔ)器，EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器也行，但操作比EEPROM麻煩的多，所以更“人性化”的MCU設(shè)計(jì)會(huì)集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲(chǔ)器，而廉價(jià)型設(shè)計(jì)往往只有 FLASH，早期可電擦寫(xiě)型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu)，現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
關(guān)鍵字：單片機(jī) flash eeprom

NAND FLASH扇區(qū)管理

首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖：以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例，這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(qū)(sector)組成1個(gè)頁(yè)(page)，64個(gè)頁(yè)(page)組成1個(gè)塊(block)，4096個(gè)塊(block)構(gòu)成整個(gè)Flash存儲(chǔ)器;由于每個(gè)扇區(qū)
關(guān)鍵字： Flash NAND 扇區(qū)管理

西數(shù)超車(chē)三星電子或點(diǎn)燃NAND價(jià)格戰(zhàn)

　　全球硬盤(pán)機(jī)大廠Western Digital(WD)和日廠東芝(Toshiba)合作，打算超車(chē)三星電子，搶先生產(chǎn)64層3D NAND Flash。不過(guò)外資警告，要是WD和東芝真的追上三星，三星可能會(huì)擴(kuò)產(chǎn)淹沒(méi)市場(chǎng)，重創(chuàng)NAND價(jià)格。　　巴倫(Barronˋs)11日?qǐng)?bào)道，Jefferies & Co.的James Kisner表示，WD和東芝計(jì)劃搶在三星之前，生產(chǎn)64層3D NAND flash，此舉可能導(dǎo)致三星擴(kuò)產(chǎn)還擊。報(bào)告稱，當(dāng)前三星在業(yè)界握有主導(dǎo)權(quán)，將密切關(guān)注WD/閃迪(WD去年收購(gòu)了
關(guān)鍵字：西數(shù) NAND

第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯價(jià)格續(xù)揚(yáng)

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤(pán)的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，下半年NAND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來(lái)自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPhone 7的銷(xiāo)售
關(guān)鍵字： NAND 服務(wù)器

TrendForce：第四季NAND Flash缺貨狀況更明顯，價(jià)格續(xù)揚(yáng)

　　TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，在智能手機(jī)及各種固態(tài)硬盤(pán)的強(qiáng)勁需求下，第四季NAND Flash缺貨的情況較第三季更明顯，NAND Flash wafer與卡片價(jià)格將持續(xù)上漲至年底的趨勢(shì)確立，eMMC/eMCP與固態(tài)硬盤(pán)的價(jià)格也呈現(xiàn)上漲，預(yù)期第四季NAND Flash業(yè)者營(yíng)收及利潤(rùn)將較第三季更為出色。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆掳肽闚AND Flash市況逐漸轉(zhuǎn)強(qiáng)的主要因素來(lái)自于智能手機(jī)需求的成長(zhǎng)。雖然iPh
關(guān)鍵字： TrendForce NAND

未來(lái)半導(dǎo)體業(yè)進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折新興驅(qū)動(dòng)力具獨(dú)特優(yōu)勢(shì)

未來(lái)半導(dǎo)體進(jìn)入五大轉(zhuǎn)折，包括邏輯芯片制程技術(shù)推進(jìn)到10/7納米;存儲(chǔ)器推進(jìn)到3D NAND Flash;因應(yīng)芯片愈來(lái)愈小，制圖成型依賴愈來(lái)愈高;移動(dòng)設(shè)備導(dǎo)入OLED比重會(huì)愈來(lái)愈高以及大陸積極扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。
關(guān)鍵字： NAND AR

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對(duì)串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用，并給出其在系統(tǒng)設(shè)計(jì)中的具體應(yīng)用。
關(guān)鍵字： JEDEC Flash JESD

打破半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)三強(qiáng)鼎立局面的機(jī)會(huì)何在？

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是一個(gè)高度壟斷的市場(chǎng)，其三大主流產(chǎn)品DRAM，NANDFlash，NORFlash更是如此，尤其是前兩者，全球市場(chǎng)基本被前三大公司占據(jù)，且近年來(lái)壟斷程度逐步加劇。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND