?nand flash 文章 進入?nand flash技術社區(qū)
3D NAND技術謹慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放
- 全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是，預測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進一步下降6.7%。 DRAM市場2016年供過于求 近期，我們對于DRAM市場的預測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
- 關鍵字： 3D NAND
Toshiba準備出售NAND以外的半導體業(yè)務
- 根據(jù)日本當?shù)氐呢斀?jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日報導，大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導體業(yè)務，僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉虧為盈之必要步驟。 未來東芝將專注并強化在快閃記憶體與核能業(yè)務的投資與經(jīng)營，該公司并將上述兩大業(yè)務做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應商，這也是該公司保留記憶體業(yè)務、將出售其他半導體業(yè)務的原因。 將出售的東芝半導體業(yè)務包括類
- 關鍵字： Toshiba NAND
手機標稱16G內存，為何實際卻少于16G
- 摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢? 我們總是在說手機內存，那到底是用什么介質存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下： 我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
- 關鍵字： NAND FLASH eMMC
韓廠進入14納米平面NAND時代 三星、SK海力士2016年相繼投產(chǎn)
- 韓國兩大存儲器廠前進14納米平面NAND Flash時代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產(chǎn)，而SK海力士(SK Hynix)則預定在新的一年結束研發(fā)作業(yè)，并導入量產(chǎn)體制。 韓媒ET News報導，三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成，將于2016年上半投產(chǎn)。三星預定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上，公開14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產(chǎn)16納米的SK海力士，也進入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據(jù)悉，SK海力士計劃將
- 關鍵字： 三星 NAND
中國下個購并標的：NAND Flash控制芯片
- 中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈?，F(xiàn)階段，邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導體自制比例過低的情形，現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領域皆具有本土廠商或已與外商
- 關鍵字： NAND Flash 芯片
TrendForce：經(jīng)濟前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限
- 全球經(jīng)濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2016年NAND Fl
- 關鍵字： NAND Flash TLC
掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應用效能增
- NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進行壞區(qū)塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。 NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術演進快速，平均每1∼2年就前進一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍光播放器、電視、數(shù)位相機、印表機等應用均采用NAND低成本的優(yōu)勢，取代原本使用的NOR型快閃記
- 關鍵字： NAND Flash
市場供過于求 NAND廠商利潤面臨挑戰(zhàn)
- TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查報告顯示，2015年第三季NAND Flash價格下滑速度加快，整體營收僅較第二季成長約2.4%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，第三季原先看好的旺季效應需求并未出現(xiàn)，來自于總體經(jīng)濟面的雜音讓各種NAND Flash終端需求銷售不如預期，也讓第三季整體NAND Flash市場呈現(xiàn)供過于求的格局，價格下滑的力道加強也讓業(yè)者營收成長與利潤保衛(wèi)也面臨挑戰(zhàn)，第四季供過于求的情況將持續(xù)，營收再度成長的動能也備受考驗。
- 關鍵字： NAND 美光
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