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	?nand flash
            

            
	
            
    	
            
    	  	
            
              	
                                
            
                  

                                
            
                    
            Toppan Photomasks, Inc批準在中國建設先進光掩模生產(chǎn)線項目
            
                                                            
              
                    	
            • 　　全球業(yè)界首選光掩模合作伙伴Toppan Photomasks, Inc. (TPI)今天宣布批準對近期擴建的中國上海廠的下一階段投資計劃;該廠由TPI獨資子公司Toppan Photomasks Company Limited, Shanghai (TPCS) 運營。TPI將對此工廠再投資8000萬美元以展現(xiàn)其對中國快速成長的半導體產(chǎn)業(yè)及客戶之長期承諾。TPI先前已投資2000萬美元擴建上海二廠(TPCS Shanghai II);該廠現(xiàn)已量產(chǎn)并且為中國唯一提供全方位技術及產(chǎn)品的商業(yè)光掩模廠。
　　
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            • 關鍵字：
                        DRAM  NAND                          
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            美光科技推出適用于下一代智能手機的移動 3D NAND 解決方案
            
                                                            
              
                    	
            • 　　美光科技有限公司今日推出了首項適用于移動設備的 3D NAND 存儲技術，并推出了基于通用閃存存儲 (UFS) 2.1 標準的首批產(chǎn)品。美光的首項移動 3D NAND 32GB 解決方案主要面向中高端智能手機細分市場，這一細分市場大約占據(jù)全球智能手機總量的 50%[1]。隨著移動設備替代個人電腦成為消費者的主要計算設備，用戶行為對設備的移動內存和存儲要求產(chǎn)生了極大影響。美光的移動 3D NAND 解決了這些問題，實現(xiàn)了無與倫比的用戶體驗，包括流暢傳輸高分辨率視頻、更高的游戲帶寬、更快的啟動時間、更好的
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            • 關鍵字：
                        美光  NAND                           
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            鎂光：3D閃存芯片能讓手機擁有更多內存容量
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　近日在加州圣克拉拉舉行的閃存峰會(Flash Memory Summit)上，鎂光公布了他們的首款 3D NAND 閃存芯片。這種閃存芯片在不改變尺寸的情況下能提供更多的儲存空間。據(jù) PCWorld 報道，鎂光這款 3D 閃存芯片的容量為 32GB，其目標市場為中高端的智能手機。該產(chǎn)品基于新的 UFS 2.1 標準，市面上的智能手機均未使用這種理論上更快的儲存協(xié)議。
　　

 
　　鎂光認為智能手機對內存容量的需求越來越高，虛擬現(xiàn)實應用和流媒體都將占用大量的儲存空間。他們表示，在幾年
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            • 關鍵字：
                        鎂光  NAND                           
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            解讀實現(xiàn)中國存儲器夢的三條路徑
            
                                                            
              
                    	
            • 中中國下決心做存儲器芯片，是個特別重大，而又十分艱難的決定，國存儲器業(yè)要取得成功，總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑，研發(fā)，兼并及合資，合作都是十分有效，然而經(jīng)過一段時間的實踐，有一定進展，但是情況也有些變化，這一切唯有通過研發(fā)的早日成功，才能扭轉被動的局面。
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            • 關鍵字：
                        存儲器  NAND                          
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            面對大陸攻勢　三星海力士強化3D NAND投資
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)韓國經(jīng)濟報導，大陸半導體產(chǎn)業(yè)在政府的強力支援下，清華紫光與武漢新芯采行攻擊性投資策略，迫使南韓、日本、美國等主要半導體業(yè)者也紛紛強化投資。
　　市調業(yè)者DRAM eXchange表示，全球半導體市場中，NAND Flash事業(yè)從2011~2016年以年均復合成長率(CARG)47%的速度成長;清華紫光以新成立的長江存儲進行武漢新芯的股權收購，成立長江存儲科技有限責任公司，未來可能引發(fā)NAND Flash市場版圖變化。
　　清華紫光擁有清華大學的人脈，在社會上擁有一定的影響力，武漢新芯擁有技術方面
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            • 關鍵字：
                        三星  3D NAND                          
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            三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
            
                                                            
              
                    	
            • 　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。
　　SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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            • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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            東芝超車失敗：三星年底前量產(chǎn)64層3D NAND
            
                                                            
              
                    	
            • 　　上周東芝及WD(西部數(shù)據(jù))宣布，已研發(fā)出堆疊64層的3D NAND Flash制程，并將于2017年上半年開始量產(chǎn)，不過恐怕仍無法超車NAND Flash市占王三星。外電報道，三星將搶先于今年底前開始量產(chǎn)64層3D NAND，三星表示，目標是今年生產(chǎn)4G V-NAND，可能意即為64層3D NAND。
　　SSD(固態(tài)硬盤)近年來制程技術演進，成本價格逐漸逼近硬盤(Hard disk)，因此滲透率大增，各大廠陸續(xù)將生產(chǎn)DRAM產(chǎn)能逐漸轉向NAND Flash(儲存型快閃記憶體)，大搶市占率，除了比市
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            • 關鍵字：
                        東芝  NAND                          
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            半導體行業(yè)掀起并購潮 背后的推動力是什么？
            
                                                            
              
                    	
            • 我們獲取和存儲數(shù)據(jù)的方式發(fā)生了巨大轉變，這是近年來半導體行業(yè)出現(xiàn)并購潮的原因所在。
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            • 關鍵字：
                        半導體  NAND                          
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            東芝跑第一，64 層 3D Flash 開始試產(chǎn)送樣
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領先全球同業(yè)，研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見首圖)，且開始進行送樣。
　　東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布，已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術，并自今日起領先全球同業(yè)開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進行生
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            • 關鍵字：
                        東芝  Flash                           
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            陶氏發(fā)表OPTIPLANE 先進半導體制造化學機械研磨液(CMP)平臺
            
                                                            
              
                    	
            • 　　陶氏電子材料是陶氏化學公司的一個事業(yè)部，本日推出 OPTIPLANE™ 化學機械研磨液 (CMP) 平臺。OPTIPLANE 研磨液系列的開發(fā)是為了滿足客戶對先進半導體研磨液的需求：能以有競爭力的成本，符合減少缺陷的要求和更嚴格的規(guī)格，適合用來製造新一代先進半導體裝置。
　　全球 CMP 消耗品市場持續(xù)成長，部分的成長驅動力來自新的 3D 邏輯、NAND 快閃記憶體和封裝應用，這些均要求大幅提高的平坦化效果和最低程度的缺陷率，以符合無數(shù)先進電子裝置的性能需求。
　　「生產(chǎn)先進半導體晶圓
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            • 關鍵字：
                        陶氏  NAND                           
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            英特爾大連55億美元非易失性存儲項目提前投產(chǎn)
            
                                                            
              
                    	
            • 　　經(jīng)過8個多月的努力，英特爾大連非易失性存儲制造新項目7月初實現(xiàn)提前投產(chǎn)。7月25日，記者在英特爾半導體(大連)有限公司廠區(qū)內看到，1000多名英特爾員工和來自全世界的數(shù)千名項目建設供應商員工，正井然有序地忙碌著，他們的共同目標只有一個：全力加速非易失性存儲制造新項目的量產(chǎn)步伐。
　　去年10月，英特爾公司宣布投資55億美元將大連工廠建設為世界上最先進的非易失性存儲器制造工廠。該項目是迄今為止英特爾在中國的最大一筆投資，也是大連市乃至遼寧省改革開放以來最大的外資項目。此前的2010年，作為英特爾在亞洲
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            • 關鍵字：
                        英特爾  NAND　                          
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            NAND快閃記憶體價格上漲 創(chuàng)見威剛笑開懷
            
                                                            
              
                    	
            • 　　NAND快閃記憶體受惠固態(tài)硬盤(SSD)銷售熱絡，加上智能手機搭載容量提高，帶動近月價格持續(xù)上漲，創(chuàng)見、威剛等模組廠營運受惠，市場預期蘋果將推出的iPhone 7拉貨動能如何，將攸關NAND快閃記憶體價格續(xù)漲力道。
　　市場指出，上半年非蘋陣營智能手機產(chǎn)品銷售強勁，產(chǎn)品功能提升帶動記憶體需求大增，加上6月三星西安廠因變電廠爆炸導致停工，帶動NAND快閃記憶體價格上漲，主流產(chǎn)品在1個月內漲幅超過2成。
　　市況變化帶動記憶體模組廠營運增溫，創(chuàng)見表示，在漲價預期心理帶動下，通路拉貨力道明顯回升，DRA
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            • 關鍵字：
                        NAND  DRAM                          
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            三星西安廠事故導致NAND價格爆沖22%
            
                                                            
              
                    	
            • 　　因中國大陸、中國臺灣智能手機廠商紛紛強化產(chǎn)品功能、帶動記憶體需求大增，加上三星電子西安工廠6月因附近變電廠爆炸而一度停工，帶動使用于智能手機、記憶卡的NAND型快閃記憶體(Flash Memory)交易價格轉趨走揚，指標性產(chǎn)品6月份批發(fā)價在1個月期間內飆漲22%。
　　報道指出，6月份MLC(Multi-Level Cell)類型64Gb NAND價格揚升至每個2.75美元、為2年9個月以來首度走升，其中也有部分交易價格超過3美元，且進入7月以來價格仍持續(xù)走揚。據(jù)英國調查公司指出，2016年全球NA
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            • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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            全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
            
                                                            
                                        
              
                    	
            • 　　許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長
　　在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。
　　我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段：
　　第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
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            • 關鍵字：
                        Flash  存儲器                          
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            東芝將領先三星推出64層3D NAND Flash
            
                                                            
              
                    	
            • 　　據(jù)海外媒體報道，東芝(Toshiba)計劃領先三星電子(Samsung Electronics)于2016財年開始量產(chǎn)64層3D NAND Flash存儲器芯片。日經(jīng)亞洲評論(Nikkei Asian Review)報導，東芝于7月15日舉辦日本三重縣四日市(Yokkaichi)半導體二廠啟用儀式，未來將在此工廠生產(chǎn)64層NAND Flash。
　　64層NAND Flash較東芝和三星目前生產(chǎn)的48層NAND Flash容量高30%，雖然價格較高，但每單位容量會比48層版的便宜。若應用于智能型手機
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            • 關鍵字：
                        東芝  NAND                           
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