半導(dǎo)體C-V測(cè)量基礎(chǔ)
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圖5. 利用吉時(shí)利4200-SCS進(jìn)行參數(shù)提取的實(shí)例表現(xiàn)了半導(dǎo)體的摻雜特征(左邊的藍(lán)線)，它與1/C2 與Vg的關(guān)系呈倒數(shù)關(guān)系(紅線)。右圖給出了摻雜分布，即每立方厘米的載流子數(shù)與襯底深度的函數(shù)關(guān)系。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/96649.htm通常，人們都希望工程技術(shù)人員和研究人員在幾乎沒有任何儀器使用經(jīng)驗(yàn)或培訓(xùn)的情況下就能夠進(jìn)行C-V測(cè)量。具有直觀用戶界面和簡(jiǎn)單易用特征的測(cè)試系統(tǒng)使得這一點(diǎn)成為現(xiàn)實(shí)。其中包括簡(jiǎn)單的測(cè)試配置、序列控制和數(shù)據(jù)分析。否則，用戶在掌握系統(tǒng)方面就要比采集和使用數(shù)據(jù)花費(fèi)更多的時(shí)間。對(duì)測(cè)試系統(tǒng)其它考慮因素包括：
· 緊密集成的源-測(cè)量單元、數(shù)字示波器和C-V表
· 方便集成其他外部?jī)x器
· 基于探針的高分辨率和高精度測(cè)量(直流偏壓低至毫伏級(jí)，電容測(cè)量低至飛法級(jí))
· 測(cè)試配置和庫(kù)易于修改
· 提供檢測(cè)/故障診斷工具幫助用戶確定系統(tǒng)是否正常工作
評(píng)論