半導(dǎo)體C-V測量基礎(chǔ)
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圖1中的金屬/多晶層是電容的一極，二氧化硅是絕緣層。由于絕緣層下面的襯底是一種半導(dǎo)體材料，因此它本身并不是電容的另一極。實際上，其中的多數(shù)載流子是電容的另一極。物理上而言，電容C可以通過下列公式中的變量計算出來：
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/96649.htmC = A (κ/d), 其中
A是電容的面積，
κ是絕緣體的介電常數(shù)
d是兩極的間距
因此，A 和 κ越大，絕緣體厚度越薄，電容值就越高。通常而言，半導(dǎo)體電容的大小范圍從幾納法到幾皮法，甚至更小。
進(jìn)行C-V測量時要在電容的兩極加載直流偏壓同時利用一個交流信號進(jìn)行測量(如圖1所示)。通常情況下，這類測量使用的交流頻率范圍從10kHz到10MHz。所加載的偏壓作為直流電壓掃描驅(qū)動MOSCAP結(jié)構(gòu)從累積區(qū)進(jìn)入耗盡區(qū)，然后進(jìn)入反型區(qū)(如圖2所示)。
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