先進(jìn)制程成為半導(dǎo)體巨擘兵家必爭之地，臺(tái)積電日前于法說會(huì)上初透口風(fēng)，表示明年資本支將約略高于100億美元，主要將用于16奈米制程的產(chǎn)能布建及10奈米的準(zhǔn)備工作。工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢(shì)研究中心(IEK)則估，臺(tái)積電明年資本支出可望達(dá)到115億美元，超越英特爾、三星。

　　IEK分析，今年全球半導(dǎo)體廠商的資本支出估達(dá)643.6億美元、年增8.4%，其中三星、英特爾、臺(tái)積三強(qiáng)均超過百億美元。如此龐大的資本支出，即是由于在擴(kuò)大產(chǎn)能之余，先進(jìn)制程的研發(fā)投資成本亦跟著水漲船高。舉例來說，一條20奈米產(chǎn)線的投資金額就高達(dá)70億美元。

　　IEK進(jìn)一步指出，半導(dǎo)體廠商資本支出呈現(xiàn)大者恒大趨勢(shì)，2013年前十大半導(dǎo)體廠商的資本支出占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)總資本支出達(dá)8成、前三大廠商資本支出占全球比重更達(dá)到5成。若檢視今年資本支出狀況，可發(fā)現(xiàn)除三星下滑外，其他主要半導(dǎo)體廠商均較去年成長。IEK預(yù)估，受中國大陸政府大力支持的晶圓代工廠中芯(SMIC)，今年資本支出更年增140%、來到15.65億美元，這個(gè)數(shù)字已超越聯(lián)電(2303)今年資本支出的12億美元。

　　展望明年，IEK認(rèn)為，臺(tái)積資本支出可望首度超越三星、英特爾，前提是三星預(yù)訂豪擲150億美元興建的平澤晶片廠，明年尚未開始動(dòng)工。