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      特斯拉明年將采用臺(tái)積電3nm芯片

      作者: 時(shí)間:2023-12-28 來源:SEMI 收藏

      據(jù)外媒,除了傳統(tǒng)客戶聯(lián)發(fā)科、AMD、英偉達(dá)、英特爾、高通外,也已確認(rèn)參與(TSMC)明年的 NTO芯片設(shè)計(jì)定案(New Tape-Outs,NTOs)。報(bào)道稱,成為N3P的客戶也表明,其打算利用該尖端技術(shù)生產(chǎn)下一代全(FSD)智能駕駛芯片。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202312/454310.htm

      據(jù)了解,N3P工藝計(jì)劃預(yù)計(jì)在2024年投產(chǎn),與N3E工藝相比,N3P的性能提高5%,功耗降低5%到10%,芯片密度提高1.04倍。臺(tái)積電表示,N3P的性能、功耗和面積(PPA)指標(biāo),以及技術(shù)成熟度,都超過了英特爾的18A工藝。



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