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            關于IGBT 安全工作區(qū) 你需要了解這兩個關鍵

            作者: 時間:2023-12-15 來源:得捷電子DigiKey 收藏

            在  的規(guī)格書中,可能會看到, Safe Operating Area),例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個是指什么?

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/202312/453943.htm

            圖片

            圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR  (圖片來源ROHM)

            的安全工作區(qū)()是使在不發(fā)生自損壞或性能沒有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實際上,不僅需要在安全工作區(qū)內使用IGBT,還需對其所在區(qū)域實施溫度降額。安全工作區(qū)分為正向偏置安全工作區(qū)(FB, Forward Bias Safe Operating Area)和反向偏置安全工作區(qū)(RBSOA, Reverse Bias Safe Operating Area)。

            1 正向偏置安全工作區(qū)

            正向偏置安全工作區(qū)定義了IGBT導通期間的可用電流和電壓條件。

            圖片

            圖2. RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作區(qū) (圖片來源ROHM)

            上圖是RGS30TSX2DHR 的正向偏置安全工作區(qū),可以根據具體情況分為4個領域,如下所述:

            ① 受集電極最大額定電流限制的區(qū)域

            ② 受集電極耗散限制的區(qū)域

            ③ 受二次擊穿限制的區(qū)域 (該區(qū)域會因器件設計而有所不同)

            ④ 受集電極-發(fā)射極最大額定電壓限制的區(qū)域

            2  反向偏置安全工作區(qū)

            反向偏置安全工作區(qū)定義了IGBT關斷期間的可用電流和電壓條件。

            圖片

            圖3. RGS30TSX2DHR 的反向偏置安全工作區(qū) (圖片來源ROHM)

            上圖是 RGS30TSX2DHR的反向偏置安全工作區(qū)可以簡單分為2個有限區(qū)域,如下所述:

            1.受集電極最大額定電流值限制的區(qū)域

            2.受集電極-發(fā)射極最大額定電壓限制的區(qū)域。

            請注意,當設計的 VCE-IC 工作軌跡偏離產品本身安全工作區(qū)時,產品可能會發(fā)生出現意外故障。因此,在設計電路時,在確定與擊穿容限相關的具體特性和電路常數時,必須密切注意耗散和其他性能問題。例如,反向偏置安全工作區(qū)具有溫度特性(在高溫下劣化),VCE-IC 的工作軌跡根據柵極電阻 Rg 和柵極電壓 VGE 而變化。

            因此,有必要在了解工作環(huán)境和關斷時的最小柵極電阻值后,才進行 Rg 和 VGE 設計。



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