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            IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
            


            如圖所示為一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)， N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。P+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannel region）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Drain injector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）。
            

            IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關斷。IGBT的驅(qū)動方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。
            


								
					
            
				
            
				
				
				
															
				
			
				
									
								
				
				
			
				
				
				
				
				
			
				
				
			
			
			
				

				
				
				
				
						
				
								
            
            
			
			
			
			
            		
			
			
            
	
	
            						
		
		
            
	
            

            			
			
			

			
    		
            
  		
            
	  	
            
	    
		
            
					
					
            						
				
            	
				
            	
					
					

            
					
					
            驗證碼： 
					
            
					
            
						
					
            
				
            	
				
            
												
            
					
            42# EEPW網(wǎng)友 說：2018-09-26 16:40
            
					
            真牛逼
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            41# EEPW網(wǎng)友 說：2017-04-04 22:02
            
					
            一般的igbt的開通和關斷時間是多長呢
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            40# 廣州華工科技 說：2016-10-21 16:38
            
					
            富士IGBT模塊中國總代理,廣州華工科技開發(fā)有限公司，? 歡迎咨詢020-85511281  李生
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            39# EEPW網(wǎng)友 說：2016-07-13 14:15
            
					
            全
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            38# EEPW網(wǎng)友 說：2016-07-13 14:12
            
					
            贊
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            37# EEPW網(wǎng)友 說：2016-07-13 14:12
            
					
            是大幅度發(fā)
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            36# EEPW網(wǎng)友 說：2016-07-13 14:08
            
					
            富士IGBT模塊中國一級總代理, 廣州華工科技開發(fā)有限公司，歡迎咨詢020-85511281 李生
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            35# EEPW網(wǎng)友 說：2016-07-13 14:08
            
					
            富士IGBT模塊中國一級總代理, 廣州華工科技開發(fā)有限公司，歡迎咨詢020-85511281 李生
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            34# EEPW網(wǎng)友 說：2016-07-13 14:08
            
					
            富士IGBT模塊中國一級總代理, 廣州華工科技開發(fā)有限公司，歡迎咨詢020-85511281 李生 www.scut-co.com
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            33# EEPW網(wǎng)友 說：2015-12-23 14:50
            
					
            大聯(lián)大品佳-英飛凌一級代理  劉志平 QQ：185609588/Tel:18521067611
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            32# EEPW網(wǎng)友 說：2014-09-03 17:43
            
					
            請問汽車級IGBT國際知名生產(chǎn)企業(yè)都有哪些？有知道的麻煩給說一下，謝謝！
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            31# 云端 說：2014-07-21 06:57
            
					
            IGBT 管的好壞可以用萬用表來測量嗎？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            30# soothmusic 說：2014-07-20 06:13
            
					
            回答29# wyf86：
            
這個問題很難回答，有的30年以上
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            29# wyf86 說：2014-07-19 22:20
            
					
            IGBT的壽命一般多長？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            28# EEPW521 說：2014-06-20 07:06
            
					
            回答27# eepwlover：
            
是的，設計的時候多注意。
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            27# eepwlover 說：2014-06-19 22:23
            
					
            變頻器工作時，IGBT的開關動作會產(chǎn)生高頻干擾信號?
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            26# EEPW521 說：2014-06-18 22:10
            
					
            回答25# eepwlover：
            
新能源汽車
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            25# eepwlover 說：2014-06-17 21:37
            
					
            大功率IGBT的主要驅(qū)動力是什么？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            24# 活詞典 說：2014-05-19 21:39
            
					
            當MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對N-層進行電導調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時，也具有低的通態(tài)電壓。
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            23# EEPW網(wǎng)友 說：2014-04-21 16:08
            
					
            基于icepak的igbt溫度場仿真應該采用哪種igbt？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            22# wyf86 說：2014-04-15 22:43
            
					
            回答21# soothmusic：
            
通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP(原來為NPN)晶體管提供基極電流，使IGBT導通
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            21# soothmusic 說：2014-04-14 22:36
            
					
            IGBT的開關作用是什么
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            20# EEPW網(wǎng)友 說：2014-04-13 00:15
            
					
            很希望有IGBT的工藝流程
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            19# EEPW網(wǎng)友 說：2014-03-13 14:42
            
					
            跪求適合傳熱分析的簡單的IGBT的模型？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            18# wyf86 說：2014-03-12 20:10
            
					
            IGBT在關閉期間仍承受著高電壓，且?guī)в袣堄嚯娏?，滋生不小的開關損耗。
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            17# EEPW網(wǎng)友 說：2014-03-04 13:39
            
					
            基于有緣柵極控制的IGBT，其實IGBT就是柵極控制吧？沒什么特別含義吧？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            16# wyf86 說：2014-02-17 21:48
            
					
            回答15# soothmusic：
            
輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs 的關系曲線
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            15# EEPW網(wǎng)友 說：2014-02-16 21:42
            
					
            什么是IGBT的轉(zhuǎn)移特性？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            14# 云端 說：2014-01-16 21:42
            
					
            回答13# wyf86：
            
電流過大是一個原因
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            13# wyf86 說：2014-01-15 22:12
            
					
            IGBT失效的原因是什么？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            12# wyf86 說：2013-11-07 21:16
            
					
            回答11# soothmusic：
            
可使用MOSFET驅(qū)動技術進行觸發(fā)
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            11# soothmusic 說：2013-11-06 21:54
            
					
            IGBT柵極/發(fā)射極阻抗大，應該怎么觸發(fā)？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            10# 活詞典 說：2013-10-05 22:31
            
					
            回答9# 云端：
            
也就是IGBT的開關特性，等效電路為達林頓結(jié)構(gòu)。
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            9# 云端 說：2013-10-04 21:13
            
					
            IGBT漏源電壓與漏極電流的關系是怎樣的？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            8# soothmusic 說：2013-09-30 21:54
            
					
            回答7# eepwlover：
            
簡單來說，就是柵源電壓Ugs與輸出漏極電流Id 的關系曲線。
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            7# eepwlover 說：2013-09-29 22:34
            
					
            IGBT的轉(zhuǎn)移特性是什么？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            6# 活詞典 說：2013-09-28 22:21
            
					
            回答5# 云端：
            
Ugs 越高， Id 越大。
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            5# 云端 說：2013-09-27 23:36
            
					
            選型IGBT，可以參考伏安特性曲線，Ugs與Id的關系是什么樣的？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            4# soothmusic 說：2013-09-25 22:06
            
					
            回答3# eepwlover：
            
它們都有高輸入阻抗特性。
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            3# eepwlover 說：2013-09-24 21:59
            
					
            IGBT的輸入阻抗特性，與MOSFET一樣嗎？
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            2# liyidong 說：2013-09-23 13:01
            
					
            IGBT的飽和壓降低，適合應用在高壓大電流的場合，但是其工作頻率比MOSFET低。
            
														
				
            
				
            
												
            
					
            1# 云端 說：2013-09-22 21:35
            
					
            大功率開關電源中，使用IGBT作為開關管，比MOSFET好在哪里？
            
											
            EEPW521回答:2013-09-23
            
						
            IGBT的飽和壓低，且驅(qū)動功率小。MOSFET載流密度小些，導通壓降較大，開關速度要快，驅(qū)動功率卻很小。