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安全工作區(qū)
安全工作區(qū) 文章 進(jìn)入安全工作區(qū)技術(shù)社區(qū)
關(guān)于IGBT 安全工作區(qū) 你需要了解這兩個(gè)關(guān)鍵
- 在 IGBT 的規(guī)格書(shū)中，可能會(huì)看到安全工作區(qū)（SOA, Safe Operating Area），例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個(gè)安全工作區(qū)是指什么？圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作區(qū) （圖片來(lái)源ROHM）IGBT 的安全工作區(qū)（SOA）是使IGBT在不發(fā)生自損壞或性能沒(méi)有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實(shí)際上，不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT，還需對(duì)其所在區(qū)域?qū)嵤囟?/li>
- 關(guān)鍵字： IGBT 安全工作區(qū) SOA
功率MOSFET安全工作區(qū)，真的安全嗎？
- 本文論述了功率MOSFET數(shù)據(jù)表中安全工作區(qū)每條曲線的含義，詳細(xì)說(shuō)明最大的脈沖漏極電流的定義。分析了基于環(huán)境溫度、最大允許結(jié)溫和功耗計(jì)算的安全工作區(qū)不能作為實(shí)際應(yīng)用中MOSFET是否安全的標(biāo)準(zhǔn)原因。特別說(shuō)明了功率MOSFET完全工作在線性區(qū)或較長(zhǎng)的時(shí)間工作在線性區(qū)的應(yīng)用中，必須采用實(shí)測(cè)的安全工作區(qū)理由。
- 關(guān)鍵字： 功率MOSFET 安全工作區(qū) 線性區(qū) 熱電效應(yīng) 201903
MOSFET安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在
- 即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問(wèn)題?？刂破?IC 驅(qū)動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開(kāi)關(guān) (圖 1)。電路板插入后，MOSFE
- 關(guān)鍵字： 安全工作區(qū) MOSFET LTC4233 熱插拔 熱插拔控制器
從安全工作區(qū)探討IGBT的失效機(jī)理
- 摘要：本文闡述了各安全工作區(qū)的物理概念和超安全工作區(qū)工作的失效機(jī)理。討論了短路持續(xù)時(shí)間Tsc和柵壓Vg、集電極—發(fā)射極導(dǎo)通電壓Vce(on)及短路電流Isc的關(guān)系。 關(guān)鍵詞：安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc 1、 引言 半導(dǎo)體功率器件失效的原因多種多樣。換效后進(jìn)行換效分析也是十分困難和復(fù)雜的。其中失效的主要原因之一是超出安全工作區(qū)（Safe Operating Area簡(jiǎn)稱SOA）使用引起的。因此全面了解SOA，并在使用中將IGBT的最大直流電流IC和集電極—發(fā)射極電
- 關(guān)鍵字： 安全工作區(qū) 失效機(jī)理 短路電流Tsc 電源
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安全工作區(qū)介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條安全工作區(qū)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)安全工作區(qū)的理解，并與今后在此搜索安全工作區(qū)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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