使用多鰭片突出了FinFET與平面架構(gòu)之間的重大差異。平面工藝使用晶體管寬度和長(zhǎng)度尺寸的二維界面。而在FinFET中，鰭片大小是固定不變的，柵極厚度（其定義了溝道長(zhǎng)度）也是固定不變的。改變FinFET的唯一參數(shù)是鰭片數(shù)量，而且必須是整數(shù)。比如：不可能有2？（兩個(gè)半）鰭片。

　　圖2：平面架構(gòu)與FinFET架構(gòu)對(duì)比

FinFET降低了工作電壓，提高了晶體管效率，對(duì)靜態(tài)功耗（線性）和動(dòng)態(tài)功耗（二次方）都有積極作用。可節(jié)省高達(dá)50%的功耗。性能也更高——在0.7V上，性能（吞吐量）比平面工藝高37%。

FinFET復(fù)雜性帶來了制造困難

與平面工藝相比，FinFET的復(fù)雜性一般會(huì)導(dǎo)致更加昂貴的制造工藝，至少初期是這樣。隨著代工廠經(jīng)驗(yàn)不斷豐富和對(duì)工藝過程的控制越來越嫻熟，這些成本可能會(huì)下降，但就目前而言，放棄平面工藝的話會(huì)增加成本。

FinFET還存在熱挑戰(zhàn)。由于鰭片直立，晶片的基體（襯底）起不到散熱片的作用，這可能導(dǎo)致性能下降和老化。熱挑戰(zhàn)還會(huì)影響修復(fù)，因?yàn)樵谀承┣闆r下，存儲(chǔ)器不僅需要在生產(chǎn)測(cè)試中修復(fù)，以后還需要在現(xiàn)場(chǎng)修復(fù)。

在使該工藝投產(chǎn)、擴(kuò)大到量產(chǎn)等情況下，代工廠必須考慮這些挑戰(zhàn)。一般來說，代工廠還要負(fù)責(zé)存儲(chǔ)器位單元，需要對(duì)其做全面分析（通過模擬）和鑒定（通過運(yùn)行晶圓）。IP提供商，無論是存儲(chǔ)器、標(biāo)準(zhǔn)單元還是接口提供商，也要在構(gòu)建自己的布局的同時(shí)考慮這些問題。

SoC設(shè)計(jì)人員受到的影響不大，至少對(duì)于數(shù)字設(shè)計(jì)流程來說是這樣。一般來說，設(shè)計(jì)人員見到鰭片的次數(shù)絕不會(huì)比他們以往見到晶體管的次數(shù)更多，除非他們想在其布局與布線工具所使用的，采用金屬結(jié)構(gòu)進(jìn)行連接的標(biāo)準(zhǔn)單元內(nèi)部一探究竟。

STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)

Synopsys生態(tài)系統(tǒng)（圖3）包括創(chuàng)建布局、完成提取、模擬等需要的所有工具。Synopsys內(nèi)部各IP小組能夠充分利用完整的Synopsys工具套件來設(shè)計(jì)、驗(yàn)證并測(cè)試Synopsys IP，包括存儲(chǔ)器在內(nèi)。

　　圖3：Synopsys工具套件

Synopsys已經(jīng)從最底層起搭建了自己的專門知識(shí)。他們與所有不同的FinFET廠家均構(gòu)建了多個(gè)測(cè)試芯片：三星、TSMC、英特爾、GLOBALFOUNDRIES和UMC。截止2015年8月，Synopsys運(yùn)行過的FinFET測(cè)試芯片有50個(gè)以上。這些芯片均使用了被稱之為DesignWare？STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)？的Synopsys測(cè)試和修復(fù)解決方案，其中STAR表示自測(cè)試與修復(fù)。

自測(cè)試和修復(fù)曾經(jīng)在很多代工藝制程上使用過，不只是FinFET。通過不斷投入，Synopsys改善了STAR存儲(chǔ)器系統(tǒng)。圖