基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)
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4 仿真與分析
通過(guò)上面的分析，初步確定該電路各器件尺寸，在0．6μm CMOS工藝下采用HSpice軟件進(jìn)行仿真可以得出，在3．3 V電源電壓下對(duì)溫度在-40～+85℃范圍內(nèi)進(jìn)行直流掃描，基準(zhǔn)電壓曲線如圖4所示。在25℃下，對(duì)電源電壓在2．6～5．5 V的范圍內(nèi)進(jìn)行直流掃描，基準(zhǔn)電壓曲線如圖5所示。據(jù)此計(jì)算出的基準(zhǔn)電壓電源電壓調(diào)整率、溫度系數(shù)見(jiàn)表1。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/187387.htm
與國(guó)際上已有的和CMOS兼容的電壓基準(zhǔn)電路的主要指標(biāo)進(jìn)行比較，結(jié)果如表2所示?？梢钥闯?，本文設(shè)計(jì)的CMOS基準(zhǔn)的溫度漂移率TFC遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于國(guó)際上已有的和CMOS兼容的電壓基準(zhǔn)電路。
5 結(jié)語(yǔ)
本文所設(shè)計(jì)的基于CMOS工藝的基準(zhǔn)電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，既沒(méi)有放大器，也沒(méi)有BJT，適合于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝生產(chǎn)。通過(guò)HSpice驗(yàn)證，其輸出基準(zhǔn)電壓為1．22 V，在-40～+85℃內(nèi)溫度系數(shù)僅為30 ppm／℃。當(dāng)電源電壓為2．6～5．5 V時(shí)，電源電壓調(diào)整率為1．996 mV／V，且溫度漂移率TFC遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于國(guó)際上已有的和CMOS兼容的電壓基準(zhǔn)電路，比較適合于標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝。
評(píng)論