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面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時VTH 測量（一）
- 引言在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對偏壓溫度不穩(wěn)定性——負偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和正偏壓溫 度不穩(wěn)定性(PBTI)——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。 當(dāng)前NBTI1 的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)將“測量間歇期
- 關(guān)鍵字： VTH
基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)
- 摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級管PN結(jié)具有負溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個閾值電壓VT
- 關(guān)鍵字： CMOS VTH 電壓基準(zhǔn)
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