基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)
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3．2 有效負(fù)載電路
由圖2可知，電流I流過(guò)MOS管M15，ML1時(shí)：
由式(2)可知，載流子遷移率μ是溫度的高階函數(shù)，若近似認(rèn)為μN，μP的溫度變化量相等，可將K看作常數(shù)，可得：
由式(3)和式(13)可知，取恰當(dāng)?shù)腒值，即合理選擇MOS管M15和ML1的寬長(zhǎng)比，就可以使閾值電壓VTHN和VTHP的溫度系數(shù)相抵消，使VREF幾乎不隨環(huán)境溫度的變化而變化。
3．3 電路的優(yōu)化
在圖2中MOS管M12，M13，M14，M15起電流鏡像作用，可以將這4個(gè)管子省去，直接將負(fù)載管ML1接到M10和M11的漏極。這樣將圖2優(yōu)化成圖3就可以少4個(gè)MOS管，節(jié)省版圖面積。本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/187387.htm
評(píng)論