與快速和標(biāo)準(zhǔn)速度的平面器件相比，開(kāi)關(guān)速度為20kHz的超快速溝道型IGBT可以提供最低的總導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)功率損耗。同樣，對(duì)于低壓端開(kāi)關(guān)電路，工作在60Hz的標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT可以提供最低的功率損耗。

　　研究高壓(600V)超快速溝道型IGBT的開(kāi)關(guān)特性可以清楚地發(fā)現(xiàn)，這些器件工作在20kHz時(shí)具有最佳性能。這些器件在這些頻率點(diǎn)可以提供最小的開(kāi)關(guān)損耗，包括更低的集電極到發(fā)射極飽和電壓(VCE(on))和總開(kāi)關(guān)能量(ETS)，從而使總導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)功率損耗保持最小。因此，高壓端功率器件通常選用超快速溝道型IGBT，如IRGB4062DPBF。

　　事實(shí)上，為進(jìn)一步降低開(kāi)關(guān)功率損耗，IRGB4062DPBF在同一封裝內(nèi)還集成了一個(gè)超快速軟恢復(fù)二極管。高壓端晶體管的開(kāi)關(guān)頻率選在20kHz的另一個(gè)好處是輸出電感可以做得很小，使諧波分量的濾除非常容易。此外，這些IGBT不要求短路率，因?yàn)楫?dāng)逆變器輸出短路時(shí)，輸出電感L1和L2將限制電流di/dt，從而給控制器留出足夠的反應(yīng)時(shí)間。

　　此外，有短路率要求的IGBT可以比相同尺寸的無(wú)短路率IGBT提供更高的VCE(on)和更高的ETS。這樣，有短路率要求的IGBT的功率損耗會(huì)更大，從而降低電源逆變器的效率。

　　除了能在相同封裝內(nèi)提供更低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗、更大的電流密度外，超快速溝道型IGBT可以提供正方形反向偏置工作區(qū)和175°的最大結(jié)點(diǎn)溫度，并能承受4倍的額定電流。

　　與高壓端器件不同，導(dǎo)通損耗是低壓端IGBT的主要因素。因?yàn)榈蛪憾司w管的工作頻率只有60Hz，所以這些器件的開(kāi)關(guān)損耗不是很明顯。標(biāo)準(zhǔn)速度的平面IGBT是專門(mén)針對(duì)低頻率和低導(dǎo)通損耗優(yōu)化了的器件。因此當(dāng)?shù)蛪憾似骷_(kāi)關(guān)頻率為60Hz時(shí)，這些低壓端器件可以使用標(biāo)準(zhǔn)速度的平面IGBT實(shí)現(xiàn)最低功率損耗。

　　由于這些器件的開(kāi)關(guān)損耗不大，所以不會(huì)影響標(biāo)準(zhǔn)速度平面IGBT的總功率損耗。因此，標(biāo)準(zhǔn)速度IGBT IRG4BC20SD是低壓端功率器件的正確選擇。

　　封裝內(nèi)集成了超快速、軟恢復(fù)、反平行二極管的第四代IGBT，針對(duì)最小飽和電壓與低工作頻率(1kHz)作了優(yōu)化，典型的VCE(on)在電流為10A時(shí)是1.4V。跨接低壓端IGBT的同封裝二極管具有特別低的前向電壓降和反向泄漏電流，可以使續(xù)流(freewheeling)和反向恢復(fù)期間的損耗達(dá)到最小。

　　這個(gè)設(shè)計(jì)中的開(kāi)關(guān)技術(shù)具有如下優(yōu)勢(shì)：通過(guò)允許高壓端和低壓端IGBT獨(dú)立優(yōu)化實(shí)現(xiàn)很高的效率;高壓端、同封裝的軟恢復(fù)二極管沒(méi)有續(xù)流時(shí)間，從而消除了不必要的開(kāi)關(guān)損耗;低壓端IGBT的開(kāi)關(guān)頻率只有60Hz，因此導(dǎo)通損耗是這些IGBT的主要因素;沒(méi)有交叉導(dǎo)通，因?yàn)槿魏螘r(shí)間點(diǎn)的開(kāi)關(guān)都發(fā)生在對(duì)角的兩個(gè)器件上(Q1和Q4或Q2和Q3);不存在總線直通的可能性，因?yàn)闃虻耐贿吷系腎GBT永遠(yuǎn)不可能以互補(bǔ)方式開(kāi)關(guān);跨接低壓端IGBT的同封裝、超快速、軟恢復(fù)二極管經(jīng)過(guò)優(yōu)化可以使續(xù)流和反向恢復(fù)期間的損耗達(dá)到最小。

　　功能和性能

　　在系統(tǒng)級(jí)電源逆變器電路中，H橋的每條邊都使用高電壓、高速柵極驅(qū)動(dòng)器IC進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且這些IC具有獨(dú)立的低壓端和高壓端參考輸出通道(圖3)。驅(qū)動(dòng)器IRS2106SPBF的浮動(dòng)通道允許對(duì)高壓端功率晶體管進(jìn)行自舉電源操作。

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