英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導(dǎo)體公司之間的專利侵權(quán)訴訟已達(dá)成和解。2008年11月，英飛凌向美國(guó)特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標(biāo)的包括與超結(jié)功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關(guān)的14項(xiàng)專利。

　　通過(guò)廣泛的半導(dǎo)體技術(shù)專利交叉許可，雙方就上述訴訟達(dá)成和解。根據(jù)和解協(xié)議，飛兆半導(dǎo)體將向英飛凌支付許可費(fèi)，但協(xié)議的具體條款和條件保密。

　　英飛凌和飛兆半導(dǎo)體將通知美國(guó)特拉華州地方法院，雙方已經(jīng)達(dá)成和解，并將申請(qǐng)撤訴。

　　作為半導(dǎo)體行業(yè)的全球領(lǐng)袖，英飛凌目前正在和多家半導(dǎo)體公司進(jìn)行專利許可談判。英飛凌認(rèn)為，這些談判對(duì)持續(xù)保護(hù)其知識(shí)產(chǎn)權(quán)和商業(yè)利益至關(guān)重要。