深度應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域的IGBT晶圓
中等功率驅(qū)動(dòng)器的應(yīng)用場(chǎng)景?包括各種工業(yè)生產(chǎn)領(lǐng)域中對(duì)電機(jī)運(yùn)動(dòng)精度和效率要求較高的場(chǎng)合,如機(jī)床加工、自動(dòng)化生產(chǎn)線、物流運(yùn)輸?shù)?。此外,在冶金、石化、航空、船舶等行業(yè)中也廣泛應(yīng)用了中等功率驅(qū)動(dòng)器,其優(yōu)越的性能和穩(wěn)定可靠的使用效果得到了廣泛認(rèn)可?。
?中等功率驅(qū)動(dòng)器的工作原理?主要包括以下幾個(gè)步驟:
?信號(hào)轉(zhuǎn)換?:驅(qū)動(dòng)器接收來自控制器的輸入信號(hào),這些信號(hào)可能是電壓、電流或數(shù)字信號(hào),表示所需的速度或位置。驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的電路將這些輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為電機(jī)控制信號(hào)。對(duì)于直流電機(jī),這通常涉及到將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為PWM(脈沖寬度調(diào)制)信號(hào),而對(duì)于交流電機(jī),則可能涉及到將輸入信號(hào)轉(zhuǎn)換為三相電壓?。
?功率放大?:驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部的功率電子器件(如晶體管、MOSFET或IGBT)將控制信號(hào)放大到足以驅(qū)動(dòng)電機(jī)的功率水平。這一過程確保了電機(jī)能夠獲得足夠的能量來執(zhí)行所需的動(dòng)作?。
?電壓級(jí)轉(zhuǎn)換?:由于不同的外部設(shè)備可能需要不同的電壓和頻率,驅(qū)動(dòng)器還需要進(jìn)行電壓級(jí)轉(zhuǎn)換,將信號(hào)調(diào)整為適合外部設(shè)備工作的特定電壓和頻率?。
?保護(hù)和監(jiān)控?:驅(qū)動(dòng)器包含保護(hù)電路,以防止電機(jī)過載、過熱或過電流。此外,它還監(jiān)控電機(jī)的狀態(tài),如電流、電壓和溫度,以確保安全運(yùn)行?。
?反饋控制?:在閉環(huán)系統(tǒng)中,驅(qū)動(dòng)器還會(huì)接收來自電機(jī)的反饋信號(hào)(如編碼器信號(hào)),以實(shí)現(xiàn)精確的速度或位置控制。通過比較實(shí)際輸出與目標(biāo)值,系統(tǒng)可以自動(dòng)調(diào)整輸出,使電機(jī)達(dá)到期望的運(yùn)行狀態(tài)?。
由于IGBT電流容量和電壓等級(jí)的不同,對(duì)其驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)要求也存在差異。在小功率應(yīng)用中,由于驅(qū)動(dòng)電流比較小,大多采用集成化的驅(qū)動(dòng)器,而在大功率、高電壓的應(yīng)用中,比如:大功率ups電源,高壓變頻器等,要求驅(qū)動(dòng)器提供更大的驅(qū)動(dòng)電流,更高的隔離電壓和更完善的保護(hù)功能。
目前國(guó)內(nèi)的晶閘管、晶圓片部分二極管、防護(hù)器件等仍以4寸線為主流;平面可控硅芯片、肖特基二極管、IGBT模塊配套用高電壓大通流整流芯片,低電容、低殘壓等保護(hù)器件芯片和部分MOSFET等以6寸線為主流。
IGBT晶圓 - MWGC075N120H1是一款1200V、75A、FS工藝的6寸IGBT晶圓片;1200V壕溝和現(xiàn)場(chǎng)停止技術(shù);低開關(guān)損耗;正溫度系數(shù);簡(jiǎn)單的平行技術(shù)。廣泛應(yīng)用在中等功率驅(qū)動(dòng)器、1200V光伏、電焊機(jī)、工業(yè)縫紉機(jī)、伺服馬達(dá)等等領(lǐng)域。
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