事實(shí)上，積極與臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)先進(jìn)制程的英特爾，其CEO Pat Gelsinger 在推動(dòng)重返晶圓代工服務(wù)上，準(zhǔn)備以4 年發(fā)展5 個(gè)節(jié)點(diǎn)制程的計(jì)劃，也就是分別完成intel7 及intel4 制程之后，預(yù)計(jì)將在2023 年底前進(jìn)入intel3 制程，2024 年上半年推進(jìn)Intel 20A 制程，以及在2024 年下半年推進(jìn)Intel 18A 制程。如此計(jì)劃，將使得英特爾的先進(jìn)制程技術(shù)能在2025 年重返晶圓代工的技術(shù)龍頭。

對(duì)此，魏哲家表示，臺(tái)積電N3 制程技術(shù)，在包括PPA 晶體管技術(shù)上，已經(jīng)都是業(yè)界最先進(jìn)的技術(shù)。而且，N3 制程技術(shù)在有優(yōu)秀的良率下，根據(jù)已公布的第三季財(cái)報(bào)顯示，3 納米制程出貨占臺(tái)積電2023 年第三季晶圓銷售金額6%。預(yù)計(jì)接下來在高效能運(yùn)算、智能手機(jī)相關(guān)領(lǐng)域的支持下將會(huì)有強(qiáng)勁需求。整體來說，2023 年3 納米將貢獻(xiàn)全年晶圓營(yíng)收的中個(gè)位數(shù)（mid-single digit，即4%-6%）百分比。

魏哲家還強(qiáng)調(diào)，臺(tái)積電N3 制程技術(shù)家族中，將陸續(xù)推出N3E、N3P、N3X 等改良型制程。其中N3E 為3 納米家族的延伸，具備強(qiáng)化的效能、功耗和良率，將為高效能運(yùn)算和智能手機(jī)相關(guān)應(yīng)用提供完整的支持平臺(tái)。目前N3E 已通過驗(yàn)證并達(dá)成效能與良率目標(biāo)，預(yù)計(jì)在2023 年第四季量產(chǎn)。除此之外，臺(tái)積電也將進(jìn)一步持續(xù)強(qiáng)化N3 制程技術(shù)，包括N3P 和N3X 等制程。

魏哲家還進(jìn)一步指出，觀察到N2 制程技術(shù)在高效能運(yùn)算和智能手機(jī)相關(guān)應(yīng)用方面所引起的客戶興趣和參與，與N3 制程技術(shù)在同一階段時(shí)不相上下，甚至更高。臺(tái)積電的2 納米制程技術(shù)在2025 年推出時(shí)，在密度和能源效率上都將會(huì)是業(yè)界最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)。而N2 制程技術(shù)研發(fā)進(jìn)展順利，也將如期在2025 年進(jìn)入量產(chǎn)。

臺(tái)積電的N2 制程技術(shù)將采用納米片(Nanosheet) 晶體管結(jié)構(gòu)，其納米片技術(shù)展現(xiàn)了絕佳的能源效率，這使得N2 制程技術(shù)將效能及功耗效率提升一個(gè)世代，以滿足日益增加的節(jié)能運(yùn)算需求。做為N2 制程技術(shù)平臺(tái)的一部分，臺(tái)積電亦在N2 發(fā)展出背面電軌(backside power rail) 解決方案，此一設(shè)計(jì)最適于高效能運(yùn)算相關(guān)應(yīng)用。而根據(jù)臺(tái)積電的規(guī)劃，目標(biāo)是在2025 年下半年推出背面電軌供客戶采用，并于2026 年量產(chǎn)。隨著臺(tái)積電持續(xù)強(qiáng)化的策略，N2 及其衍生技術(shù)將進(jìn)一步擴(kuò)大臺(tái)積電的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

來源：淄博日?qǐng)?bào)

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