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英特爾美光公布存儲密度更高的新型閃存芯片
- 英特爾和美光當?shù)貢r間周二公布了存儲密度更高的NAND閃存芯片。新型芯片不僅能減少存儲芯片所占空間，還能增加消費電子產(chǎn)品的存儲容量。 新NAND芯片每個存儲單元可以存儲3位信息，存儲容量高達64G位(相當于8GB)。英特爾和美光稱這是它們迄今為止尺寸最小的NAND閃存芯片。 兩家公司稱，使用NAND閃存的數(shù)碼相機和便攜式媒體播放器等產(chǎn)品的尺寸越來越小。新型芯片還有助于降低制造成本。 兩家公司已經(jīng)向客戶發(fā)送樣品，預(yù)計將于今年底投入量產(chǎn)。新型NAND閃存芯片將采用 25納米工藝生產(chǎn)。與每單
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NAND Flash市況兩極 靜待8月底補貨潮
- 2010年NAND Flash產(chǎn)業(yè)真是十分慘淡的1年，好不容易熬到第3季傳統(tǒng)旺季，8月初合約價卻還是跌不停，存儲器業(yè)者表示，蘋果(Apple)、諾基亞 (Nokida)等大廠需求仍十分強勁，但零售市場買氣不振，模塊廠拿貨意愿不高，把平均合約價給拉下來，其中，三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)主要供應(yīng)蘋果，走貨較順暢，但海力士(Hynix)、美光(Micron)、英特爾(Intel)等傳出庫存水位較高，但又不愿降價，與模塊廠陷入僵局。 近期大陸因為亞運因素，
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第二季DRAM與NAND市場狀況及廠營收排行
- 根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營收在DRAM合約價格穩(wěn)定上揚及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營收數(shù)字達107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營收為47億7,600萬美元，較首季43億6,300萬美元成長約9.5%。 三星第二季營收仍居全球DRAM廠之冠 從市場面觀察，由于第二季 DRAM 合
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Hynix公司宣稱已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb存儲密度NAND閃存
- 南韓內(nèi)存廠商Hynix公司日前宣布已開始量產(chǎn)20nm制程級別64Gb NAND閃存芯片，這款芯片是在公司位于Cheong-ju的300mm M11工廠生產(chǎn)的。Hynix公司表示，升級為2xnm制程節(jié)點后，芯片的生產(chǎn)率相比3xnm制程提升了60%，芯片的成本也有所降低，智能手機，SSD 硬盤等的NAND閃存容量則將大有增長。 ? Hynix Cheong-ju M11工廠 Hynix公司稱首款基于2xnm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品將于今年年底上市銷售。Hynix公司雖然不是I
- 關(guān)鍵字： Hynix NAND 20nm
日本半導(dǎo)體企業(yè)1Q財報喜憂參半
- 日本半導(dǎo)體廠2010年度第1季(4~6月)財報表現(xiàn)明暗兩極。東芝(Toshiba)、爾必達(Elpida)拜內(nèi)存事業(yè)表現(xiàn)亮眼之賜，獲利從谷底攀升;瑞薩電子(RenesasElectronics)則因系統(tǒng)芯片事業(yè)拖累，該季仍難揮別虧損陰霾。 東芝半導(dǎo)體事業(yè)的營業(yè)利益皆為NANDFlash所挹注。副社長村岡富美雄表示，受惠于蘋果(Apple)iPhone等智能型手機需求帶動，加上 NANDFlash均價跌幅趨緩，東芝半導(dǎo)體事業(yè)表現(xiàn)遠超過預(yù)期。小幅虧損的系統(tǒng)芯片事業(yè)亦因NANDFlash的豐沛獲利得以
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND
VLSI提高半導(dǎo)體預(yù)測 但CEO們?nèi)允侵斏鞯臉酚^
- VLSI提高IC預(yù)測，但是該公司看到雖然很多產(chǎn)品供不應(yīng)求，但是有一種可能DRAM市場再次下跌。 同時由于經(jīng)濟大環(huán)境可能對于產(chǎn)業(yè)的影響，目前對于產(chǎn)業(yè)抱謹慎的樂觀，如Marvell.Silicon Image及其它公司的大部分高管都有同樣的看法。 VLSI在它的最新看法中發(fā)現(xiàn)各種數(shù)據(jù)是交叉的，按VLSI的最新預(yù)測，2010年IC市場可能增長30%，但是2011年僅增長3.7%。而2010年半導(dǎo)體設(shè)備增長96%。 而在之前的預(yù)測中認為2010年全球IC市場增長28.1%，其它預(yù)測尚未改變。
- 關(guān)鍵字： 芯片制造 NAND
分析師認為閃存熱 但是供應(yīng)鏈不配套
- 無疑2009年對于閃存市場是可怕之年。 要感謝產(chǎn)業(yè)的很快復(fù)蘇，預(yù)測2010年全球閃存市場已經(jīng)很熱，然而按Web-Feet Research報告，其供應(yīng)鏈部分卻遭受困境。 按Web-Feet剛公布的全球閃存的季度報告，NOR及NAND市場都很熱。NOR市場由2009年的47億美元，上升到2010年的57億美元。而NAND市場與2009年相比增長33.4%，達215億美元。 這是好的消息而壞消息在供應(yīng)鏈中也開始傳了出來。 Apple及其它OEM釆購大量的閃存，使得市場中有些購買者采
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND NOR
蘋果砸中閃存
- iPhone、iPad等蘋果i家族產(chǎn)品的熱銷，正引發(fā)連鎖反應(yīng)。 7月28日，閃存企業(yè)SanDisk全球高級副總裁兼零售業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Shuki Nir在上海接受本報記者專訪時表示，蘋果產(chǎn)品的熱銷消耗了整個閃存芯片市場不少庫存，目前行業(yè)正處于供不應(yīng)求的局面。 受此拉動，閃存芯片巨頭們普遍迎來了一個靚麗的財季。 近期陸續(xù)出爐的最新一季財報顯示，在iPhone以及iPad的拉動下，閃存芯片近期需求及價格大幅上升，英特爾、三星、美光、海力士、東芝、SanDisk等閃存芯片主要提供商在當季的銷售
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存芯片 iPhone
三星電子第二季度凈利潤36億美元 同比增83%
- 據(jù)國外媒體報道，三星電子周五發(fā)布了該公司2010年第二季度財報。財報顯示，受芯片業(yè)務(wù)大幅增長的推動，公司第二季度凈利潤同比增長83%。 在截至6月30日的第二季度，三星電子凈利潤為4.28萬億韓元(約合36億美元)。這一業(yè)績好于上年同期，2009年第二季度，三星電子的凈利潤為2.33萬億韓元。三星電子第二季度運營利潤為5萬億韓元(約合41億美元)，創(chuàng)公司季度運營利潤歷史新高，同比增長87.5%。三星電子第二季度營收為37.9萬億韓元，較去年同期增長17%。三星電子本月初發(fā)布的初步財報顯示，公司第
- 關(guān)鍵字： 三星電子 NAND 閃存芯片
EUV要加大投資強度
- 未來半導(dǎo)體制造將越來越困難已是不爭的事實。巴克萊的C J Muse認為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點時發(fā)現(xiàn)了許多問題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來的2011-2012年，甚至更長一段時期內(nèi)必須要加大投資強度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時間，它是在牛/熊市小組座談會上發(fā)表此看法) 。另一位會議
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體制造 DRAM NAND
三星明年將量產(chǎn)次世代NAND Flash
- 三星電子(Samsung Electronics)宣布，2011年將開始量產(chǎn)較既有快閃存儲器(NAND Flash)速度快10倍的次世代NAND Flash。2011年開始量產(chǎn)后，采用該產(chǎn)品的智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)中所儲存的影片、照片、音樂等再生速度將更上一層樓。 三星近期已完成可支持400Mbps資料處理速度的Toggle DDR2.0規(guī)格NAND Flash開發(fā)作業(yè)，并計劃于2011年投入量產(chǎn)。三星計劃20奈米制程以下的NAND Flash產(chǎn)品將
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三星與東芝聯(lián)合 加快NAND Flash速度
- 三星和東芝公司已經(jīng)宣布了一個合作計劃，旨在制定新規(guī)范推動NAND快閃記憶體的傳輸速率，具體來說，兩家公司致力于發(fā)展DDR 2.0 NAND型快閃記憶體和400MB/s的接口技術(shù)，這比目前版本的NAND閃存接口技術(shù)快了十倍，這項技術(shù)將于英特爾、鎂光和SanDisk共同開發(fā)的ONFI接口進行直接競爭，主要面向高性能產(chǎn)品例如SSD以及智能手機和消費電子產(chǎn)品。 三星和東芝公司目前供應(yīng)NAND快閃記憶體市場70%的貨源，因此它們在行業(yè)內(nèi)具有相當大的話語權(quán)，這對他們的新規(guī)范計劃將非常有利。 三星上個月
- 關(guān)鍵字： 三星 NAND 30nm
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