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            EEPW首頁 >> 主題列表 >> z-nand

            預計明年NAND閃存銷售量漲價跌

            •   集邦科技發(fā)布近日報告稱,明年全球閃存芯片銷售額將達到215億美元,同比上漲16%,但是其平均價格將同比下降35%。   集邦科技稱,新款智能機、平板機的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購將緩解明年一季度閃存市場受到的季節(jié)性銷售因素影響。到二季度時,閃存市場的供需就會更加平衡,價格下降幅度不會太大。   
            • 關(guān)鍵字: NAND  20nm  

            全球IC市場喜憂參半

            •   根據(jù)VLSIResearch發(fā)布的報告,該公司預測2010年度全球IC市場將成長32%,2011年度將成長8%;2010年度設(shè)備市場將成長103%,2011年度將成長10.6%。該公司認為目前的全球IC市場呈現(xiàn)出一些正面與負面的跡象; 
            • 關(guān)鍵字: IC  NAND  

            用于SD卡的NAND flash控制芯片的設(shè)計

            •   O 引言  Flash是一種非易失存儲器,它在掉電條件下仍然能夠長期保持數(shù)據(jù)。由于它具有容量大、速度快、功耗低、抗震性能好等優(yōu)點,近幾年在U盤、SD卡、SSD硬盤等各種移動存儲設(shè)備中得到了廣泛的應(yīng)用。本文給出了
            • 關(guān)鍵字: 芯片  設(shè)計  控制  flash  SD  NAND  用于  

            未來幾年NAND閃存將面臨過剩隱憂

            •   據(jù)iSuppli公司,由于智能手機以及平板電腦的使用量增加,2010年全球NAND閃存營業(yè)收入將達到最高紀錄。   預計2010年NAND閃存營業(yè)收入將達到187億美元,比去年的135億美元勁增38%,部分利益于智能手機和蘋果iPad等消費電子產(chǎn)品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需雙雙增長,2011年NAND閃存市場將繼續(xù)增長,盡管不及今年強勁。iSuppli公司的數(shù)據(jù)顯示,預計明年NAND閃存市場上升25%至225億美元。   
            • 關(guān)鍵字: NAND  智能手機  

            2011年全球DRAM經(jīng)營慘淡

            •   2010年對于全球半導體產(chǎn)業(yè)而言,可說是值得紀念的一年,拓墣產(chǎn)業(yè)研究所研究員陳蘭蘭表示,2010年全球半導體產(chǎn)業(yè)年成長率將高達30%,創(chuàng)下10年以來新高紀錄。然而,受到PC產(chǎn)業(yè)成長趨緩影響,2011年全球半導體產(chǎn)業(yè)僅將成長5%,移動通訊產(chǎn)品反成為支撐整體產(chǎn)業(yè)成長的重要動能。預估2011年移動通訊用產(chǎn)品占總體半導體比重將從2010年的26%提升至30%,Mobile DRAM和NAND Flash的重要性,也將隨著智能手機等移動通訊產(chǎn)品興起而與日俱增。   
            • 關(guān)鍵字: SAMSUNG  DRAM  NAND  

            NAND Flash的壞塊管理設(shè)計

            • NAND Flash的壞塊管理設(shè)計,摘要:主要介紹了基于嵌入式Linux的NAND Flash壞塊管理設(shè)計和實現(xiàn)方案,詳細闡述了壞塊映射表的建立、維護及其相關(guān)算法,同時分析了此壞塊算法在Linux內(nèi)核及Bootloader中的具體應(yīng)用。測試結(jié)果表明該算法能夠處理NAND
            • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  管理  Flash  NAND  

            NAND Flash管理算法的設(shè)計及實現(xiàn)

            • 給出了一款基于8051的高性能、低成本的NAND flash控制芯片的設(shè)計方法,文中集中研究了其中的軟件部分,探討了管理flash物理塊的算法,提出了塊級和頁級兩級地址映射機制以及映射信息在flash的存儲定義,同時還提出了對flash的分區(qū)方法。
            • 關(guān)鍵字: 設(shè)計  實現(xiàn)  算法  管理  Flash  NAND  

            DRAM市場價格持續(xù)下跌

            •   隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌,不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況,下游存儲器模塊廠亦受到牽累,10月營收亦持續(xù)下滑,其中,威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示,預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季,而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況,公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位,將庫存維持在約3~4周水平。   
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  

            DRAM市場價格持續(xù)下跌

            •   隨著DRAM和NANDFlash市場價格持續(xù)崩跌,不僅上游DRAM廠營收紛呈現(xiàn)大幅衰退情況,下游存儲器模塊廠亦受到牽累,10月營收亦持續(xù)下滑,其中,威剛10月營收較9月減少達17.1%。威剛表示,預期11月營收將因為產(chǎn)業(yè)景氣進入淡季,而持續(xù)呈現(xiàn)衰退景況,公司因應(yīng)策略是致力降低庫存水位,將庫存維持在約3~4周水平。   
            • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  

            3C大廠合力推動UFS實現(xiàn)NAND應(yīng)用接口標準統(tǒng)一

            •   集邦科技旗下研究機構(gòu) DRAMeXchange 指出,JEDEC Task group 中的一些主要成員如:三星 (Samsung)、諾基亞(Nokia)、美光(Micron)、高通(Qualcomm)、英特爾(Intel)、東芝(Toshiba)、晟碟(SanDisk)、德州儀器(TI)、意法半導體(ST)等國際大廠,近期正在積極推動新的 NAND Flash 應(yīng)用接口標準 UFS (universal Flash storage)的規(guī)格制定事宜。  
            • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  UFS  

            三星半導體16產(chǎn)線將轉(zhuǎn)產(chǎn)閃存

            •   三星電子(SamsungElectronics)投入總金額12兆韓元(約108.36億美元)于京畿道華城市增設(shè)的半導體廠,決定將先提供閃存(NANDFlash)量產(chǎn)使用。據(jù)南韓電子新聞報導,三星預計于2011年初完工的半導體華城廠16產(chǎn)線,將于2011年下半開始優(yōu)先量產(chǎn)閃存。   
            • 關(guān)鍵字: 三星半導體  NAND  

            固態(tài)硬盤備受關(guān)注

            •   DRAMeXchange 最新發(fā)表的研究報告指出,固態(tài)硬盤(SSD)一直以來為各家 NAND Flash 廠商所寄予厚望的產(chǎn)品,主要是固態(tài)硬盤對于 NAND Flash 的使用量來說是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、U盤與記憶卡的數(shù)倍之多,因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。   
            • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  

            固態(tài)硬盤備受NAND Flash廠商親賴

            •   固態(tài)硬盤一直以來為各家NAND Flash廠商所寄予厚望的產(chǎn)品,主要是固態(tài)硬盤對于NAND Flash的使用量來說是一般內(nèi)建式應(yīng)用產(chǎn)品、隨身碟與記憶卡的數(shù)倍之多,因此對于固態(tài)硬盤對于NAND Flash消耗量來說有很大的幫助。而從消費者的論點來看,固態(tài)硬盤的傳輸速度為傳統(tǒng)硬盤的兩倍以上,同時也兼具了省電與抗震動的特點,因此,DRAMeXchange認為,在未來高畫質(zhì)影音與大容量檔案傳輸?shù)男枨髮⒋蠓嵘?,對于固態(tài)硬盤的需求若能在價格有效下降至可接受的范圍將會開始提升。   
            • 關(guān)鍵字: 固態(tài)硬盤  NAND  

            美光 NAND 產(chǎn)品獲 HLDS 全球首款具有板載儲存的混合光驅(qū)采用

            •   美光科技 (Micron Technology Inc.) 宣布,美光獲獎的25nm NAND 已獲日立LG數(shù)據(jù)儲存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 簡稱 HLDS) 采用作為其新型混合光驅(qū) (ODD) 的閃存解決方案。此款采用美光 25nm NAND 技術(shù)的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量儲存和可修改功能,是針對個人計算機、DVD 播放器和藍光產(chǎn)品的綜合解決方案。   美光的 25nm NAND 處理技術(shù)提供單一設(shè)備中8GB 儲存容量,滿足新應(yīng)用
            • 關(guān)鍵字: 美光  NAND  
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            z-nand介紹

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