v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

爾必達(dá)與Spansion簽署NAND Flash代工協(xié)議

　　日廠爾必達(dá)(Elpida)將與飛索半導(dǎo)體(Spansion)擴(kuò)大合作范圍，雙方除共同研發(fā)NAND Flash制程技術(shù)與產(chǎn)品外，爾必達(dá)將為飛索半導(dǎo)體代工生產(chǎn)NAND Flash。另外，爾必達(dá)亦在研擬雙方合作研發(fā)NOR Flash，并為其代工的可能性。　　據(jù)悉，爾必達(dá)已取得飛索的NAND IP技術(shù)的授權(quán)，該項(xiàng)技術(shù)乃是以其稱為MirrorBit的獨(dú)家技術(shù)為基礎(chǔ)。此外，爾必達(dá)計(jì)劃自2011年起透過旗下的廣島12寸廠，為飛索代工生產(chǎn)高階NAND Flash，而雙方亦將各自進(jìn)行客戶營銷。　　路透(Reut
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三星東芝支持高速DDR 2.0 NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)

　　三星和東芝今天共同宣布，雙方將協(xié)力支持新一代高性能NAND閃存技術(shù)：擁有400Mbps接口的DDR NAND閃存，即toggle DDR 2.0規(guī)范。兩家公司將支持這一規(guī)范成為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，被業(yè)界廣泛接受使用。　　最初的SDR NAND閃存架構(gòu)接口速度僅為40Mbps，現(xiàn)行的DDR 1.0標(biāo)準(zhǔn)將接口帶寬提高到了133Mbps。三星和東芝推動(dòng)的toggle DDR 2.0規(guī)范則進(jìn)一步提升到400Mbps，是DDR 1.0的3倍，普通SDR NAND閃存的10倍。　　高速閃存接口的優(yōu)勢(shì)不言而喻，未來將
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三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

　　閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達(dá)400Mbit/s。不過兩家公司并沒有透露他們什么時(shí)候會(huì)完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作，另外也沒有說明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲(chǔ)密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動(dòng)和消費(fèi)級(jí)電子類應(yīng)用。　　現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
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爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

　　據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣，未來將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。　　據(jù)悉，爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達(dá)與臺(tái)灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達(dá)互動(dòng)密切，爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書，經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。　　官員透露，爾必達(dá)來臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
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亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐

　　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來看，含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷售比重已過半并持續(xù)成長中，已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長仍持疑慮，2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。　　美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2
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SEMICON West來臨之際那些分析師說些什么？

　　編者點(diǎn)評(píng)：每年的SEMICON West時(shí)，時(shí)間己經(jīng)過半，所以業(yè)界都會(huì)關(guān)心下半年與未來會(huì)是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對(duì)于設(shè)備業(yè)看似今年的增長幅度達(dá)90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來，因?yàn)?010年業(yè)績的增長仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來的前景有點(diǎn)模糊，增長點(diǎn)來自哪里?似乎誰也說不清楚。　　SEMICON West美國半導(dǎo)體設(shè)備展覽會(huì)即將開幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。　　按市場(chǎng)調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長96%
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力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

　　近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來投入新臺(tái)幣70億元，是臺(tái)灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國際大廠仍晚1個(gè)世代，但若未來成功走向20納米制程，對(duì)臺(tái)灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。　　事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
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NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。　　今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
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因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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三星電子擬向其美國芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

　　6月10日消息，據(jù)路透社報(bào)道，全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國三星電子周四表示，計(jì)劃投資36億美元，擴(kuò)大其在美國的芯片生產(chǎn)能力。　　三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國得克薩斯州的奧斯汀，此次產(chǎn)能擴(kuò)增主要是針對(duì)生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。　　奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱，工廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃還包括增聘500名員工。
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10個(gè)理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)

　　至此，對(duì)于今年全球電子工業(yè)的看法是樂觀的，而且是有相當(dāng)大的增長。　　但是作為一個(gè)編輯者仍有些擔(dān)憂，以下是對(duì)于2010年有10個(gè)理由來看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。　　1. IC熱，然后冷　　Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導(dǎo)體銷售額達(dá)2900億美元，與2009年銷售額2280億美元相比增長27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測(cè)，2010年增長19.9%相比有明顯提高。　　芯片銷售額的增長明顯超過系統(tǒng)產(chǎn)品銷售額的增
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲 20大IC供應(yīng)商重排座次

　　按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。　　同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達(dá)50%以上。　　三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元，也即表示
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金士頓創(chuàng)辦人稱：看好DRAM下半年銷售

　　6月3日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，全球DRAM模組龍頭美國金士頓創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)昨天在臺(tái)表示，DRAM廠的制程轉(zhuǎn)換技術(shù)門檻不低，再加上智能手機(jī)等新的應(yīng)用產(chǎn)品，帶動(dòng)DRAM需求，他認(rèn)為下半年的DRAM市況應(yīng)該會(huì)好。　　孫大衛(wèi)表示，DRAM制造廠越來越少，各大廠多進(jìn)入制程轉(zhuǎn)換的階段，總產(chǎn)出量恐比實(shí)際預(yù)期要低。而在智能手機(jī)、3D電視等多元化的新應(yīng)用產(chǎn)品紛紛出線下，下半年的DRAM供需不僅趨于平衡，甚至可能出現(xiàn)供不應(yīng)求的情況。　　南韓三星電子大舉提高資本支出的計(jì)劃，讓臺(tái)系廠商非常緊張。孫大衛(wèi)則認(rèn)為，目前全球的
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NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁，塊是擦
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存儲(chǔ)器市場(chǎng)高漲引發(fā)全球前20大IC供應(yīng)商排名大變

　　按IC Insight報(bào)告，在DRAM 及NAND市場(chǎng)高漲下，導(dǎo)致與之相關(guān)連的全球前20大半導(dǎo)體制造商排名中有10家位置發(fā)生更迭。　　IC Insight的McLean的5月最新報(bào)告表示，Toshiba、Hynix、Micron及Elpida存儲(chǔ)器廠，它們的排名至少前進(jìn)了一位，其中 Elpida前進(jìn)了6位，列于第10。　　同時(shí)列于第2的三星電子，估計(jì)2010年它的銷售額離300億美元僅一步之遙，IC銷售額增長達(dá)50%以上。　　三星在本月初時(shí)，它將擴(kuò)大今年半導(dǎo)體的投資達(dá)96億美元，也即表示
關(guān)鍵字： Hynix 存儲(chǔ)器 DRAM NAND