在线看毛片网站电影-亚洲国产欧美日韩精品一区二区三区,国产欧美乱夫不卡无乱码,国产精品欧美久久久天天影视,精品一区二区三区视频在线观看,亚洲国产精品人成乱码天天看,日韩久久久一区,91精品国产91免费

<menu id="6qfwx"><li id="6qfwx"></li></menu>
    1. <menu id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></menu>

      <label id="6qfwx"><ol id="6qfwx"></ol></label><menu id="6qfwx"></menu><object id="6qfwx"><strike id="6qfwx"><noscript id="6qfwx"></noscript></strike></object>
        1. <center id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></center>

            首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
            EEPW首頁 >> 主題列表 >> v-nand

            DRAM跌價襲擊 模塊廠1月營收處變不驚

            •   2010年1月農(nóng)歷春節(jié)前的補貨行情落空,DRAM價格大跌,所幸NAND Flash價格比預(yù)期強勢,存儲器模塊廠1月營收可望維持平穩(wěn),與2009年12月相較,呈現(xiàn)小漲或小跌的局面,整體第1季營收受到2月農(nóng)歷過年工作天數(shù)減少影響,而呈現(xiàn)下滑,但整體行情不看淡;模塊廠認為,DDR3目前仍是缺貨,往下修正的幅度有限,一方面DDR3利潤較高,另一方面DDR3短期會被DDR2價格帶下來,但整體第1季DDR3供貨仍相對吃緊。   存儲器模塊廠2009年交出豐厚的成績單,創(chuàng)見、威剛都賺足1個股本,但2010年1月立
            • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  DDR3  

            韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能

            •   韓聯(lián)社(Yonhap)引述首爾大學(xué)說法指出,1組韓國工程師已改良手機用芯片技術(shù),可大幅提升手機性能。   首爾大學(xué)表示,該團隊研發(fā)的NOR芯片,可克服過去的諸多缺點。負責(zé)人表示,盡管NOR芯片能快速回溯資料,但卻因為NOR芯片的容量上限僅有1GB,且更較耗能,而被NAND芯片擊敗。相較之下,NAND Flash可儲存32GB的資料,占據(jù)更大優(yōu)勢。NAND芯片可用于MP3、攝影機和USB存儲器等裝置上。   一般的NOR芯片通常并不特別,不過首爾大學(xué)工程師所開發(fā)的芯片卻有重要特點。該團隊負責(zé)教授表示
            • 關(guān)鍵字: Samsung  NAND  NOR芯片  

            英特爾和美光計劃下周公布閃存芯片的新進展

            •   英特爾公司和美光科技計劃下周公布閃存芯片的新進展。   兩家公司有一個生產(chǎn)NAND閃存芯片的合資企業(yè),這種芯片應(yīng)用于手機,音樂播放器和其他驅(qū)動器上。   2009年,兩家公司表示,它們正開發(fā)提高閃存芯片性能的技術(shù),在芯片的存儲單元上存儲三位數(shù)據(jù)。大多數(shù)NAND芯片單元儲存一位或兩位數(shù)據(jù)。   這樣,兩家公司就能以更高的存儲性能,更低的成本生產(chǎn)芯片。
            • 關(guān)鍵字: 英特爾  NAND  閃存芯片  

            2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化

            •   NAND Flash市場未脫傳統(tǒng)淡季,仍在等待蘋果(Apple)補貨效應(yīng)出現(xiàn),2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平,高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調(diào)漲,低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構(gòu)的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手,但高容量產(chǎn)品新增產(chǎn)能又相當(dāng)有限,因此2010年NAND Flash價格發(fā)展持續(xù)兩極化。   近期NAND Flash現(xiàn)貨價和合約價都有止跌的跡象,1月下旬NAND Flash合約價持平開出,在高容量32Gb和64Gb
            • 關(guān)鍵字: Hynix  NAND  

            海力士第4季獲利6,570億韓元 創(chuàng)3年新高

            •   全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報,隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫,海力士獲利創(chuàng)下3年來新高。   2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元),較第3季大幅成長32%,海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長,同時,DRAM平均售價也上揚,此外,第4季海力士凈利為6,570億韓元,更較第3季大幅成長167%。   和2009年第3季相較,2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%,至于N
            • 關(guān)鍵字: Hynix  DRAM  NAND  

            內(nèi)存業(yè)醞釀地震:傳金士頓1億美元購買海力士

            •   業(yè)內(nèi)人士日前透露,美國金士頓科技公司(Kingston Technology )預(yù)付了1億美元給韓國海力士半導(dǎo)體公司以購買其2010年需要的內(nèi)存和NAND閃存.   此外,該業(yè)內(nèi)人士還表示,總部在臺灣的威剛科技(a-data technology)正在尋求途徑,增加其2010年的芯片供應(yīng)商數(shù)量并且保證能通過預(yù)付款的方式獲得足夠多的芯片供應(yīng),而威剛所需要的內(nèi)存此前主要來自韓國供應(yīng)商.   內(nèi)存模塊制造商正在擺脫對三星電子的依賴,因為三星電子優(yōu)先向PC和系統(tǒng)OEM廠商供貨.   另外有消息稱,海力士
            • 關(guān)鍵字: 金士頓  內(nèi)存  NAND  

            為什么存儲器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

            •   存儲器通常包括DRAM,NAND,NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類,DRAM及閃存類。由于其兩大特征,能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場面寬,使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。   縱觀DRAM發(fā)展的歷史,幾乎每8至10年一次大循環(huán),最終一定有大型的存儲器廠退出,表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝,日立及NEC退出,如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。   在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中,存儲器也是走在前列,如
            • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  NAND  NOR  SRAM  

            金士頓砸1億美元 綁樁海力士產(chǎn)能

            •   2010年存儲器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫,許多熬過景氣低潮期但口袋空空的存儲器大廠,紛積極募資搶錢,而最直接方式便是向下游存儲器模塊廠借錢,未來再以貨源抵債,近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達1億美元金援,未來將以DRAM和NAND Flash貨源償還,形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進32奈米,全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座,并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
            • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  NAND   

            三星推出64GB moviNAND閃存芯片

            •   三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片,單片封裝的最大容量可達64GB,封裝內(nèi)部堆疊了16塊超薄設(shè)計的4GB芯片,并集成了閃存控制器,而整個芯片封裝的厚度僅不足0.06英寸。     64GB moviNAND   另外,三星還計劃升級自己的microSDHC閃存卡產(chǎn)品。將三星microSDHC閃存卡的最高容量提升為32GB(內(nèi)部由8片4GB芯片堆疊而成),比目前的最高容量提升了一倍。于此同時,閃存卡的最
            • 關(guān)鍵字: 三星  NAND  

            重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

            •   編者點評(莫大康 SEMI China顧問):國際上有許多市場分析公司與機構(gòu),如 Gartner,iSuppli,IC Insight,Semico,VLSI及SEMI,SIA,WSTS等。為什么它們的預(yù)測值不同,有時差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測都有三類,即樂觀、中等和悲觀。另外,由于每個市場分析公司其數(shù)據(jù)來源及分析的范圍各不同,所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來觀察與判斷呢?通常要找品牌,即有些公司的數(shù)據(jù)相對可靠(經(jīng)驗值),如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS,SIA,Gartner,iSuppli,而設(shè)備材
            • 關(guān)鍵字: IC  NAND  DRAM  

            飚速度355MB/s 鎂光將發(fā)布6Gbps SSD

            •   鎂光剛剛宣布了其34納米NAND SSD產(chǎn)品線,一個原生6Gbps的SATA設(shè)備引起了廣泛注意,鎂光透露它將被置于其子公司Lexar Media的Crucial品牌下發(fā)布。   這款SSD具體型號RealSSD C300,2.5寸外形設(shè)計,包含128和256GB兩種型號,讀取速度高達355MB/s,寫入速度達215MB/s,向下兼容3Gbps SATA。預(yù)計將面向北美、英國和歐洲大陸發(fā)布,128GB版售價大約450美元。   
            • 關(guān)鍵字: 鎂光  34納米  NAND  SSD  

            東芝32nm制程NAND閃存SSD硬盤將于二季度上市

            •   日本東芝公司在NAND閃存制造領(lǐng)域的地位可謂舉足輕重,其有關(guān)產(chǎn)品的產(chǎn)銷量僅次于三星公司,目前東芝公司推出的SSD硬盤產(chǎn)品中采用了自己設(shè)計的 NAND閃存控制器,這種產(chǎn)品在OEM廠商中口碑甚好。去年第三季度,東芝已經(jīng)開始量產(chǎn)32nm NAND閃存芯片,不過目前東芝所售出的SSD硬盤產(chǎn)品仍以43nm NAND型產(chǎn)品為主力,這樣OEM廠商乃至終端客戶便無法享受到32nm制程技術(shù)帶來低成本實惠。   不過東芝近日宣布,他們將開始測試部分采用32nm NAND閃存芯片試制的SSD硬盤產(chǎn)品,并將于本季度推出
            • 關(guān)鍵字: 東芝  32nm  NAND  閃存制造  

            一季度半導(dǎo)體供應(yīng)商將繼續(xù)維持低庫存

            •   據(jù)iSuppli公司,經(jīng)過2009年對膨脹的庫存大幅削減 ,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計將在2010年第一季度維持低量庫存,以期在不明朗的經(jīng)濟環(huán)境中能獲益。   半導(dǎo)體供應(yīng)商的庫存天數(shù)(DOI)預(yù)計將在第一季度下降到68.3,比2009年第四季度的68.5低。由于第四季度的DOI已經(jīng)比歷史平均水平低了2.9%,第一季度的庫存預(yù)計比這一標(biāo)準(zhǔn)還低6.9%。而第一季度的庫存會維持在可滿足要求的平衡水平上,庫存將達到非常低的水平--甚至有幾種具體設(shè)備會接近短缺的邊緣。     圖示為iSuppli
            • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  NAND  

            iSuppli:全球芯片庫存保持緊縮 NAND閃存或短缺

            •   據(jù)市場研究公司iSuppli的調(diào)查,全球半導(dǎo)體供應(yīng)商預(yù)計將在第一季度保持輕庫存,以便在不確定的經(jīng)濟形勢下保持盈利。   第一季度末庫存天數(shù)預(yù)計將減少至68.3天,上季度為68.5天。去年第四季度,庫存天數(shù)已經(jīng)少于歷史平均水平2.9%,第一季度預(yù)計將較普通水平少6.9%。   iSuppli預(yù)測,由于庫存量仍將保持在較低水平,某些特殊器件將面臨短缺。   2010年,預(yù)計庫存天數(shù)將穩(wěn)定在近70天左右。緊縮的庫存管理將幫助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)獲得兩位數(shù)增長,增長幅度預(yù)計為15.4%,而2009年減少12.4%
            • 關(guān)鍵字: 芯片  NAND  

            威剛陳立白:今年DRAM市場多處于缺貨狀態(tài)

            •   存儲器模塊大廠威剛2009年獲利交出賺進1個股本的豐碩成績單,董事長陳立白表示,2010年的DRAM產(chǎn)業(yè)多數(shù)時間將處于缺貨的狀態(tài),只要價格維持平穩(wěn),預(yù)計對于模塊產(chǎn)業(yè)絕對是好事,往年會是傳統(tǒng)淡季的第2季,2010年將會見到淡季不淡,也不見五窮六絕;而NAND Flash產(chǎn)業(yè)價格則預(yù)計會起起伏伏,整體而言,DRAM表現(xiàn)會優(yōu)于NAND Flash產(chǎn)業(yè)。   威剛2009年進行高層人士調(diào)整,延攬前三星電子(Samsung Electronics)存儲器部門資深營銷副總金一雄擔(dān)任威剛總經(jīng)理一職,與原有的總經(jīng)理
            • 關(guān)鍵字: 威剛  存儲器  NAND   
            共1116條 57/75 |‹ « 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 » ›|

            v-nand介紹

            您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條v-nand!
            歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對v-nand的理解,并與今后在此搜索v-nand的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

            熱門主題

            V-NAND    樹莓派    linux   
            關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
            Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
            《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
            備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473