v-nand 文章進(jìn)入v-nand技術(shù)社區(qū)

iPad將成今年NAND閃存成長(zhǎng)動(dòng)力

　　據(jù)市場(chǎng)研究公司iSuppli星期五發(fā)表的研究報(bào)告稱(chēng)，隨著消費(fèi)者越來(lái)越多地使用平板電腦，蘋(píng)果的iPad今年將推動(dòng)NAND閃存芯片的應(yīng)用增長(zhǎng)將近五倍。　　iSuppli稱(chēng)，用于制作移動(dòng)設(shè)備中使用的固態(tài)硬盤(pán)的NAND閃存芯片今年的消費(fèi)量預(yù)計(jì)將達(dá)到23億GB，比2010年消費(fèi)的4768億GB增長(zhǎng)382.4%。iSuppli預(yù)計(jì)到2014年，NAND閃存芯片的出貨量將達(dá)到123億GB?！　?/li>
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三星2010年NAND Flash市占直逼40%　產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)率達(dá)58%

　　2010年的NAND Flash產(chǎn)業(yè)由平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)及智能型手機(jī)(Smartphone)稱(chēng)霸應(yīng)用端，傳統(tǒng)的快閃記憶卡和優(yōu)盤(pán)一直等到2010年第4季都沒(méi)有表現(xiàn)的舞臺(tái)，整體2010年NAND Flash市場(chǎng)營(yíng)收成長(zhǎng)達(dá)58.7%，為191.7億美元，其中三星電子(Samsung Electronics)持續(xù)稱(chēng)王，美光(Micron)在第4季市占率持續(xù)超越海力士(Hynix)，但差距相當(dāng)少，雙方持續(xù)纏斗意味濃厚。　　2010年快閃記憶卡和優(yōu)盤(pán)等NAND Flash應(yīng)用風(fēng)光不再，取而代之的
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2011年NAND閃存銷(xiāo)售額將進(jìn)一步增長(zhǎng)

　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲(chǔ)媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。　　2010年NAND閃存銷(xiāo)售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長(zhǎng)38%。預(yù)計(jì)今年銷(xiāo)售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長(zhǎng)18%。而NAND閃存比特出貨量增長(zhǎng)幅度更大，預(yù)計(jì)2011年增長(zhǎng)72%，達(dá)到193億GB。　　盡管增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁，但2011年底市場(chǎng)形勢(shì)可能發(fā)生變化?？紤]到目前市場(chǎng)中樂(lè)觀(guān)氣氛彌漫，而且供應(yīng)商可能過(guò)度投資擴(kuò)大生產(chǎn)，風(fēng)險(xiǎn)可能在2011年底浮現(xiàn)，屆時(shí)供應(yīng)可能超過(guò)需求。預(yù)計(jì)201
關(guān)鍵字： NAND 閃存

2011年NAND閃存銷(xiāo)售額將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)

　　據(jù)iSuppli公司，作為多種消費(fèi)電子產(chǎn)品的事實(shí)性存儲(chǔ)媒介，NAND閃存2011年將再度實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長(zhǎng)。　　2010年NAND閃存銷(xiāo)售額創(chuàng)下最高紀(jì)錄，增長(zhǎng)38%。預(yù)計(jì)今年銷(xiāo)售額將達(dá)到220億美元，比2010年的187億美元增長(zhǎng)18%。而NAND閃存比特出貨量增長(zhǎng)幅度更大，預(yù)計(jì)2011年增長(zhǎng)72%，達(dá)到193億GB。　
關(guān)鍵字：三星電子 NAND

英特爾亞太NAND Flash操盤(pán)手離職引發(fā)業(yè)者嘩然

　　英特爾(Intel)跨足NAND Flash產(chǎn)業(yè)邁入第5年，但近期在策略上有諸多調(diào)整，引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)界高度關(guān)注，包括日前合作伙伴美光(Micron)宣布新加坡廠(chǎng)將于2011年投產(chǎn)，卻不見(jiàn)英特爾投資身影，近期英特爾在亞太區(qū)NAND Flash操盤(pán)手、亦是嵌入式產(chǎn)品事業(yè)群暨微型移動(dòng)裝置事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)陳武宏閃電離職，更引發(fā)存儲(chǔ)器業(yè)者一陣嘩然，目前該職務(wù)由英特爾亞太區(qū)技術(shù)營(yíng)銷(xiāo)服務(wù)事業(yè)群執(zhí)行總監(jiān)黃逸松暫代，而相關(guān)模塊廠(chǎng)對(duì)此表示，雙方合作關(guān)系不會(huì)受影響。　　
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平板計(jì)算機(jī)起飛帶動(dòng)NAND Flash需求

　　集邦科技(Trendforce)旗下研究部門(mén)DRAMeXchange表示，在A(yíng)ndroid可望逐漸成熟，市場(chǎng)接受度提高，預(yù)期2011年平板計(jì)算機(jī)出貨量由今年的1500萬(wàn)臺(tái)大增至5000萬(wàn)臺(tái)的規(guī)模，可說(shuō)是平板計(jì)算機(jī)起飛年，將帶動(dòng)內(nèi)建式NAND Flash應(yīng)用，預(yù)估2011年平板計(jì)算機(jī)占整體NAND Flash的消耗量比重將從今年的5%提升至10%以上。　　
關(guān)鍵字：平板計(jì)算機(jī) NAND

NAND芯片漲價(jià)15% 或引iPad漲價(jià)

　　亞洲最大半導(dǎo)體交易市場(chǎng)Dramexchange分析師西恩·楊15號(hào)(周三)表示，東芝旗下一家芯片工廠(chǎng)突發(fā)短時(shí)電力故障，以致NAND芯片出現(xiàn)停產(chǎn)。該分析師還表示，到2011年1月中旬之前，包括iPad在內(nèi)等多款產(chǎn)品均在使用的這款NAND閃存芯片價(jià)格或?qū)⑸蠞q15%。　　
關(guān)鍵字： NAND iPad

Gartner下調(diào)2011年度半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)預(yù)測(cè)

　　根據(jù)Gartner發(fā)布的報(bào)告，該公司下調(diào)對(duì)于明(2011)年度半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的預(yù)測(cè);原先該公司預(yù)期將成長(zhǎng)4.9%，現(xiàn)在預(yù)期將縮減1%。另外，Gartner原先預(yù)估今年成長(zhǎng)113%，現(xiàn)在估計(jì)可達(dá)131%至384億美元。該公司分析家KlausRinnen指出，今年產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了有史以來(lái)最強(qiáng)勁的成長(zhǎng)，不過(guò)2011年度的市場(chǎng)將比較疲軟，屆時(shí)設(shè)備采購(gòu)主要的重點(diǎn)將在于產(chǎn)能的擴(kuò)充而不是在技術(shù)設(shè)備上。他表示由于媒體平板電腦的拉抬，NAND將是記憶體領(lǐng)域中資本投資最多者。
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備 NAND

2011年半導(dǎo)體市場(chǎng)回歸正常軌道

　　2010年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)成長(zhǎng)幅度超過(guò)30%，這是在歷經(jīng)過(guò)去幾年全球不景氣之后，經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇所展現(xiàn)出的成果。而據(jù)Semico預(yù)測(cè)，2011年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額年成長(zhǎng)幅度大約小于10%。乍看之下，這比2010年成長(zhǎng)率要低得多，它代表壞消息嗎?事實(shí)上，這個(gè)溫和的成長(zhǎng)數(shù)據(jù)代表著半導(dǎo)體市場(chǎng)正在回歸正常軌道。　　
關(guān)鍵字：東芝半導(dǎo)體 NAND

美光新加坡廠(chǎng)明年投產(chǎn)

　　美系存儲(chǔ)器大廠(chǎng)美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進(jìn)，已擠下海力士(Hynix)坐穩(wěn)全球三哥寶座，在擴(kuò)產(chǎn)速度上，美光在2011年也不會(huì)缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠(chǎng)也將在2011年第2季開(kāi)始投產(chǎn)，對(duì)于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫(huà)，美光表示不擔(dān)心供過(guò)于求，在產(chǎn)能增加的同時(shí)，平板計(jì)算機(jī)等應(yīng)用也大幅崛起，預(yù)計(jì)2011年NAND Flash市場(chǎng)供需可維持健康的狀態(tài)。　　
關(guān)鍵字：美光 NAND

臺(tái)灣加入NAND Flash戰(zhàn)局

　　臺(tái)灣長(zhǎng)久缺席的快閃存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)終于出現(xiàn)曙光，由于既有NAND Flash技術(shù)在20納米制程以下面臨天險(xiǎn)，全球大廠(chǎng)紛競(jìng)逐下世代技術(shù)，近期國(guó)家納米元件實(shí)驗(yàn)室(NDL)成功在R-RAM(Resistive Random-Access Memory)技術(shù)架構(gòu)下，研發(fā)出全球最小的9納米電阻式存儲(chǔ)器，計(jì)劃在2011年下半正式成立“16-8納米元件聯(lián)盟”，將廣邀存儲(chǔ)器廠(chǎng)及晶圓代工廠(chǎng)加入，首波會(huì)先洽談臺(tái)系存儲(chǔ)器廠(chǎng)，目標(biāo)5~10年內(nèi)將此技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，讓臺(tái)灣正式加入NAND Flash產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)局。
關(guān)鍵字： NAND 9納米

東芝停電事故或?qū)⒁I(lǐng)NAND閃存漲價(jià)

　　亞洲最大的半導(dǎo)體交易市場(chǎng)Dramexchange分析師周三表示，由于東芝一家芯片工廠(chǎng)因短時(shí)電力故障而停產(chǎn)的影響，到2011年1月中旬之前，NAND閃存芯片的價(jià)格可能會(huì)上漲15%。　　
關(guān)鍵字：東芝 NAND

東芝日本廠(chǎng)跳電受影響產(chǎn)能恐達(dá)20%

　　華爾街日?qǐng)?bào)(WSJ)報(bào)導(dǎo)，東芝(Toshiba)位于四日市(Yokkaichi)的NAND跳電事件恐怕會(huì)影響接下來(lái)的產(chǎn)能，普遍使用于智能型手機(jī)(Smartphone)、平板計(jì)算機(jī)(TabletPC)及數(shù)碼音樂(lè)播放器的NAND價(jià)格將因此跟漲。　　東芝表示，這次的跳電事件可能影響未來(lái)2個(gè)月的產(chǎn)能，減少20%的產(chǎn)出。東芝與新帝(SanDisk)合資生產(chǎn)，總產(chǎn)出約占市場(chǎng)產(chǎn)能的3分之1，出貨量?jī)H次于排名全球第1的三星電子(SamsungElectronics)。　　接下來(lái)幾個(gè)月，全球的快閃存儲(chǔ)器市場(chǎng)的供
關(guān)鍵字：東芝 NAND

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器廠(chǎng)商恢復(fù)大型設(shè)備投資

　　2010年在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器業(yè)界，各廠(chǎng)商紛紛恢復(fù)了在2008年秋季的雷曼事件后處于凍結(jié)狀態(tài)的大型設(shè)備投資。由此，市場(chǎng)上的份額競(jìng)爭(zhēng)再次變得激烈起來(lái)。 2008～2009年導(dǎo)致各廠(chǎng)商收益惡化的價(jià)格下跌在2010年上半年僅出現(xiàn)了小幅下跌。然而，進(jìn)入2010年下半年后，以DRAM為中心、價(jià)格呈現(xiàn)出大幅下降的趨勢(shì)。2011年很有可能再次進(jìn)入殘酷的實(shí)力消耗戰(zhàn)。技術(shù)方面，微細(xì)化競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈，以突破現(xiàn)有存儲(chǔ)器極限為目標(biāo)的新存儲(chǔ)器的開(kāi)發(fā)也越來(lái)越活躍。　　
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 NAND

應(yīng)用材料預(yù)估半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將保持5%的成長(zhǎng)率

　　針對(duì)2011年半導(dǎo)體資本支出的趨勢(shì)，設(shè)備大廠(chǎng)應(yīng)用材料(Applied Materials)指出，2011年NAND Flash廠(chǎng)資本支出將大幅成長(zhǎng)，幅度將勝過(guò)DRAM產(chǎn)業(yè)，晶圓代工也仍然相當(dāng)強(qiáng)勁，預(yù)估整體半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)將有持平至5%的成長(zhǎng)幅度。　　
關(guān)鍵字：應(yīng)用材料 NAND