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NVE對Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟
- 專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開發(fā)商NVR公司表示，該公司已于美國聯(lián)邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。 NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對其侵權(quán)行為造成的NVE財務(wù)損失進行
- 關(guān)鍵字： NVE 內(nèi)存 MRAM
MRAM熱輔助寫入 為實現(xiàn)20nm以下工藝所必需
- 法國研究機構(gòu)SPINTEC與開發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術(shù)國際會議“56th MMM”的首日進行了發(fā)布。 TAS技術(shù)是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進行加熱，邊寫入數(shù)據(jù)的技術(shù)。對存儲層進行加熱后，矯頑力會
- 關(guān)鍵字： MRAM 20nm
Everspin科技推出業(yè)界首款16Mb MRAM
- 磁性隨機存儲器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)廠商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 進一步強化了該公司在MRAM領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位?，F(xiàn)在，所有需要無電數(shù)據(jù)保持以及SRAM性能的應(yīng)用都可使用具有非揮發(fā)性、高性能、以及高可靠性優(yōu)勢的MRAM技術(shù)。 Everspin科技公司首席運營官Saied Tehrani表示：“Everspin將持續(xù)快速擴展MRAM產(chǎn)品組合，以協(xié)助更多客戶實現(xiàn)產(chǎn)品差異化的目標(biāo)。根據(jù)產(chǎn)品發(fā)展藍圖，我們將不斷提高MR
- 關(guān)鍵字： Everspin MRAM
韓國政府?dāng)y手三星與海力士 研發(fā)MRAM芯片
- 根據(jù)韓聯(lián)社(Yonhap)報導(dǎo)，韓國政府宣布，已與半導(dǎo)體廠三星電子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，進行磁性隨機存儲器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory;MRAM)的研發(fā)專案，以維持韓國在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位。 韓國知識經(jīng)濟部半導(dǎo)體與面板部門首長 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研發(fā)完成，韓國于2015年將可掌握大約45%的30奈米制程存儲器芯片市場，并預(yù)估該市場于2
- 關(guān)鍵字： Samsung 芯片制造 MRAM
存儲芯片市場前景令人堪憂
- 去年，一場嚴重的“價格寒流”席卷了整個存儲芯片領(lǐng)域，存儲芯片市場亦受到了前所未有的沖擊。業(yè)界巨頭三星電子2007年第四季度財務(wù)報告顯示，由于計算機存儲芯片的平均銷售價格迅速下滑，該公司的利潤下降了6.6%。DRAM生產(chǎn)商爾必達(Elpida)也宣布其銷售額下滑了34%，并且第三財季凈虧損達1.132億美元。臺灣地區(qū)廠商茂德科技也因存儲芯片價格下跌和供過于求而宣布虧損。 存儲芯片市場陰霾的表現(xiàn)，迫使許多廠商削減生產(chǎn)或推遲了Fab的投產(chǎn)計劃。美光(Micron)近期就宣布，將
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 存儲芯片 MRAM PRAM
磁阻式隨機存儲器將挑戰(zhàn)閃存
- 磁阻式隨機存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點。 根據(jù)消息，飛思卡爾半導(dǎo)體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個風(fēng)險投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨立技術(shù)公司，側(cè)重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機存儲器），其目的是為了“擴大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場份額”。 MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
- 關(guān)鍵字： MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
相變內(nèi)存成為研發(fā)熱點 趕超F(xiàn)eRAM與MRAM
- 相變內(nèi)存(Phase Change Memory，PCM)是近年來內(nèi)存業(yè)界熱門研發(fā)主題之一，針對此一新式內(nèi)存技術(shù)發(fā)展趨勢與廠商專利現(xiàn)況，工研院IEK-ITIS計劃發(fā)表最新研究報告指出，臺灣地區(qū)已有不少廠商投入該技術(shù)的研發(fā)，相較于FeRAM與MRAM，在PCM領(lǐng)域發(fā)展機會較大。 工研院IEK-ITIS計劃分析師陳俊儒表示，相變化材料在1970年代開始有重量級的公司投入研究資源，但受限于當(dāng)時半導(dǎo)體工藝技術(shù)，相變化材料在2000年以前的商業(yè)應(yīng)用還是以光盤片為主
- 關(guān)鍵字： 消費電子 內(nèi)存 研發(fā) MRAM 存儲器 消費電子
MRAM：內(nèi)存的新潮流(下)
- Freescale所提供的MRAM替代性方案在Freescale的器件中，自由的和固定的磁體層并不是單純的鐵磁板。相反，它們是合成的反鐵磁體(synthetic antiferromagnet，SAF)三明治結(jié)構(gòu)，由兩個反向?qū)?zhǔn)的鐵磁材料層以及兩層材料之間所夾的一層非磁性材料耦合隔層而組成。圖2示出了一個SAF位單元。SAF三明治結(jié)構(gòu)產(chǎn)生磁致電阻效應(yīng)的能力并不會因為它的混合式結(jié)構(gòu)而受到影響。對準(zhǔn)和反對準(zhǔn)只取決于MTJ結(jié)構(gòu)兩側(cè)相對的兩層材料。將兩層板材組成SAF，就可以讓每層板變成“磁矩平衡”—凈外磁場為零
- 關(guān)鍵字： 0702_A MR2A16A MRAM 消費電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費電子
MRAM：內(nèi)存的新潮流(上)
- 摘要： Freescale運用自旋電子技術(shù)制作了新的非易失性RAM，本文對此進行了詳細介紹。關(guān)鍵詞： MRAM；自旋電子；位線；字線 在半導(dǎo)體業(yè)界，微處理器是一種更有魅力，利潤更高，而且更難以設(shè)計的產(chǎn)品，而內(nèi)存芯片在推動半導(dǎo)體技術(shù)向前發(fā)展的過程中則會起到關(guān)鍵性的作用。Intel早期的成功，來源于其1970年推出的、當(dāng)時業(yè)界第一款DRAM芯片，1kb的1103。兩年后，1103成為業(yè)界銷售情況最好的內(nèi)存芯片，在很多新的系統(tǒng)設(shè)計中取代了磁芯存儲器。DRAM在過去的歲月中成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展
- 關(guān)鍵字： 0701_A MRAM 消費電子 雜志_技術(shù)長廊 存儲器 消費電子
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