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MRAM大勢將至 產(chǎn)學(xué)界吁應(yīng)盡速計劃推動
- 臺灣磁性技術(shù)協(xié)會邀請產(chǎn)學(xué)人士，11月19日于工研院舉辦自旋電子專題論壇，針對該主題介紹市場與技術(shù)概況。產(chǎn)業(yè)界與學(xué)術(shù)界人士交流該項技術(shù)的看法，對于磁性存儲器(MRAM)的市場前景樂觀，并認(rèn)為臺灣產(chǎn)官學(xué)研有迫切攜手推動的必要性。 在市場發(fā)展方面，Digitimes研究中心主任黃逸平指出，至2030年存儲器與儲存市場會由非揮發(fā)性存儲器所主宰，在低耗電市場上，包括L1 Cache在內(nèi)，嵌入式存儲器可望為embedded MRAM一統(tǒng)，而在重運算市場上，MRAM可望拿下L1~L4 Cache、主存儲器以及
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三星+IBM STT-MRAM取代傳統(tǒng)DRAM的節(jié)奏
- 三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預(yù)計在3年內(nèi)展開MRAM量產(chǎn)，也引起了業(yè)界高度的注目。 韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統(tǒng)DRAM、SRAM的新世代存儲器技術(shù)。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅(qū)動的非揮發(fā)性存儲器，不使用時也完全不需要電力。
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世
- SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示，28
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IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用
- 據(jù)海外媒體報道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。 韓媒 BusinessKorea 11 日報導(dǎo)，IBM 和三星在電機(jī)電子工程師學(xué)會(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置
- 在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機(jī)存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 比利時研究機(jī)構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機(jī)存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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日本東北大學(xué)，開發(fā)成功超高速小電流MRAM
- 日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開發(fā)成功了可超高速動作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎(chǔ)元件，并實際驗證了動作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實現(xiàn)的小電流動作和高速動作。 ? 三種自旋軌道力矩磁化反轉(zhuǎn)元件構(gòu)造。(a)與(b)為以前的構(gòu)造，(c)為此次開發(fā)的構(gòu)造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點擊放大) PC及智能手機(jī)使用的SRAM及DRAM等半導(dǎo)體存儲器，因構(gòu)成元件的微細(xì)化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM接班主流存儲器指日可待
- 記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機(jī)存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題 遺憾的是，實際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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SK海力士與東芝訴訟和解 提升未來技術(shù)發(fā)展力
- 東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。 據(jù)ET News報導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍
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- 近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機(jī)訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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