spi nor flash 文章進(jìn)入spi nor flash技術(shù)社區(qū)

單片機(jī)SPI通信接口

單片機(jī)SPI通信接口-SPI 是一種高速的、全雙工、同步通信總線(xiàn)，標(biāo)準(zhǔn)的 SPI 也僅僅使用 4 個(gè)引腳，常用于單片機(jī)和 EEPROM、FLASH、實(shí)時(shí)時(shí)鐘、數(shù)字信號(hào)處理器等器件的通信。
關(guān)鍵字：單片機(jī) spi

Nand Flash編程應(yīng)用難點(diǎn)淺析

　　Nand Flash存儲(chǔ)器是flash存儲(chǔ)器的一種，為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND存儲(chǔ)器具有容量較大，改寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、記憶卡、體積小巧的U盤(pán)等?！　?989年，東芝公司發(fā)表了Nand Flash結(jié)構(gòu)，強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。經(jīng)過(guò)十幾年的發(fā)展，NAND應(yīng)用越來(lái)越廣泛，但是大多數(shù)工程師卻仍然不知道關(guān)于NAND應(yīng)用的一些難點(diǎn)：分區(qū)、ECC糾錯(cuò)、壞塊管理等。只有真正了
關(guān)鍵字： Nand Flash 東芝

SPI、I2C、UART三種串行總線(xiàn)協(xié)議的區(qū)別和SPI接口介紹，以及SPI接口詳解

SPI、I2C、UART三種串行總線(xiàn)協(xié)議的區(qū)別和SPI接口介紹，以及SPI接口詳解-SPI接口在Master控制下產(chǎn)生的從器件使能信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)，兩個(gè)雙向移位寄存器按位傳輸進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，傳輸數(shù)據(jù)高位在前，低位在后（MSB）。在SCK的下降沿上數(shù)據(jù)改變，上升沿一位數(shù)據(jù)被存入移位寄存器。
關(guān)鍵字： spi 總線(xiàn) uart

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門(mén)必懂知識(shí)

一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門(mén)必懂知識(shí)-如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢？將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁(yè)中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫(xiě)入一次呢？將參數(shù)存儲(chǔ)到固定的地址，則每個(gè)參數(shù)都將占用Flash的一個(gè)塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個(gè)參數(shù)修改時(shí)，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
關(guān)鍵字： ram flash 源代碼

帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生，它到底有多?。?/a>

帶SPI接口、尺寸最小的1Mb FRAM器件誕生，它到底有多小？-富士通半導(dǎo)體（上海）有限公司日前宣布，成功推出擁有1 Mb內(nèi)存的FRAM產(chǎn)品---MB85RS1MT。由于該器件采用晶圓級(jí)芯片尺寸封裝（WL-CSP），使得其體積僅為3.09× 2.28 × 0.33 mm，一舉成為業(yè)內(nèi)擁有SPI接口的、尺寸最小的1 Mb FRAM器件。

關(guān)鍵字：富士通 fram spi

時(shí)序一致性測(cè)試解決方案

　　在某產(chǎn)品測(cè)試過(guò)程中，工程師反饋偶爾會(huì)出現(xiàn)數(shù)據(jù)異常，經(jīng)過(guò)系統(tǒng)性的分析，致遠(yuǎn)電子測(cè)試團(tuán)隊(duì)推測(cè)可能是ADC芯片的SPI通信總線(xiàn)的時(shí)序存在偶發(fā)異常，但由于異常出現(xiàn)概率很低，該如何對(duì)SPI通信總線(xiàn)偶發(fā)的時(shí)序問(wèn)題進(jìn)行定位呢?　　一、搭建測(cè)試環(huán)境　　SPI總線(xiàn)測(cè)試點(diǎn)位于主機(jī)的主板底部，時(shí)鐘頻率大約為33MHz，屬高頻信號(hào)，所以對(duì)探頭的端接方式比較講究;為了方便測(cè)試，如圖1所示，用短線(xiàn)將測(cè)試點(diǎn)引出，探頭的地線(xiàn)也從前端自繞線(xiàn)引出，這樣可以提高信號(hào)完整性，減少示波器采樣對(duì)時(shí)序分析過(guò)程的影響?！　?nbsp;
關(guān)鍵字：時(shí)序 SPI

stm8s開(kāi)發(fā)（七） SPI的使用：SPI主機(jī)通信！

　　科普SPI：是一種高速的，全雙工，同步的通信總線(xiàn)，并且在芯片的管腳上只占用四根線(xiàn)，分別是：SCK(時(shí)鐘)、MOSI(主機(jī)發(fā)送數(shù)據(jù))、MISO(主機(jī)接收數(shù)據(jù))、NSS(片選)，其中NSS的片選信號(hào)，大部分情況下我們使用的是軟件NSS，即為使用一個(gè)GPIO進(jìn)行軟件控制片選。值得注意的是，其中SPI有4中模式：分別是空閑時(shí)SCLK的電平高\(yùn)低、MISO采樣時(shí)第1\2個(gè)變化沿。　　stm8s的SPI結(jié)構(gòu)如下圖，　　　　如果用形象的比喻的話(huà)：SCK像一個(gè)發(fā)條齒輪，只有當(dāng)發(fā)
關(guān)鍵字： stm8s SPI

單線(xiàn)SPI的在線(xiàn)編程方案

　　“串口下載”是大多數(shù)工程師最早接觸的程序下載方式，尤其是一開(kāi)始使用51單片機(jī)的工程師們。隨著硬件集成度越來(lái)越高，芯片資源不斷被壓縮，工程師也想到了另一種“串口下載”方式，只需一根數(shù)據(jù)線(xiàn)即可?！　‰S著半導(dǎo)體行業(yè)的飛速發(fā)展，芯片集成度越來(lái)越高，隨之研發(fā)設(shè)計(jì)出來(lái)的PCBA大小已經(jīng)能和硬幣比肩，功能卻一點(diǎn)都沒(méi)有受到影響，是如何做到的呢?在不影響功能的情況下盡量裁剪硬件資源，這是每個(gè)工程師都頭疼的問(wèn)題，關(guān)鍵在于裁剪后如何保證編程能夠正常進(jìn)行?！　【幊探涌诙喾N多樣，包括工程師們熟悉的UART、I2C、SPI、SW
關(guān)鍵字： SPI 串口下載

全球NOR Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求兆易創(chuàng)新/華邦電動(dòng)作不斷

隨著各大供應(yīng)商對(duì)NOR Flash的不斷加大投入，未來(lái)其市場(chǎng)將會(huì)逐漸趨于飽和，利潤(rùn)也會(huì)越來(lái)越小，至于整體趨勢(shì)還有待觀察。
關(guān)鍵字： NOR 兆易創(chuàng)新

第二季PC DRAM合約價(jià)漲逾一成，全球DRAM營(yíng)收季增16.9%

　　集邦咨詢(xún)內(nèi)存儲(chǔ)存研究(DRAMeXchange)調(diào)查顯示，2017年第二季的DRAM產(chǎn)業(yè)營(yíng)收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價(jià)格方面來(lái)看，由于客戶(hù)端已經(jīng)將庫(kù)存水位逐步往上提升，第二季供不應(yīng)求狀況雖不至于像第一季度嚴(yán)重，但整體仍處于供貨吃緊的狀況。標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存第二季價(jià)格上漲逾一成，行動(dòng)式內(nèi)存則因中國(guó)品牌手機(jī)廠(chǎng)下修出貨數(shù)量，價(jià)格僅小幅上漲5%內(nèi)。　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出，觀察市場(chǎng)面，受惠于平均銷(xiāo)售單價(jià)的上揚(yáng)與新制程的持續(xù)轉(zhuǎn)進(jìn)，大規(guī)模的擴(kuò)張產(chǎn)能至今年年底仍未見(jiàn)，全球DRAM市場(chǎng)第二
關(guān)鍵字： DRAM NOR

硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠(chǎng)淡出行業(yè)重新洗牌

曾經(jīng)飛索的破產(chǎn)和三星的退出使NOR FLASH行業(yè)重新洗牌，同年美光稱(chēng)霸，臺(tái)灣廠(chǎng)商崛起，NOR FLASH漲價(jià)，行業(yè)迎來(lái)一波反彈。
關(guān)鍵字：硅晶圓 NOR

硅晶圓漲價(jià) NOR FLASH大廠(chǎng)淡出行業(yè)重新洗牌

　　供給端：原材料價(jià)格調(diào)漲，大廠(chǎng)退出　　原材料漲價(jià) 　　今年以來(lái)半導(dǎo)體硅晶圓市場(chǎng)出現(xiàn)八年以來(lái)首度漲價(jià)情況，其主要原因在于供需失衡。晶圓代工大廠(chǎng)臺(tái)積電、三星電子、英特爾等提高制程，20nm以下先進(jìn)工藝占比不斷提高，加大對(duì)高質(zhì)量大硅片的需求。三星、SK海力士、英特爾、美光、東芝等全力轉(zhuǎn)產(chǎn)3D NAND，投資熱潮刺激300mm大硅片的需求。同時(shí)工業(yè)與汽車(chē)半導(dǎo)體、CIS、物聯(lián)網(wǎng)等IC芯片開(kāi)始快速增長(zhǎng)，大陸半導(dǎo)體廠(chǎng)商大舉建廠(chǎng)擴(kuò)產(chǎn)，帶來(lái)新的硅片需求增量。供給方面，硅片廠(chǎng)集中在日韓臺(tái)，前六大廠(chǎng)商市占98%，在硅片
關(guān)鍵字： NOR 晶圓

1970-2017 DRAM芯片市場(chǎng)的生死搏殺

自1970年，美國(guó)英特爾的半導(dǎo)體晶體管DRAM內(nèi)存上市以來(lái)，已經(jīng)過(guò)去47年，美國(guó)、日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣的選手，懷揣巨額籌碼，高高興興地走進(jìn)來(lái)，卻在輸光光之后黯然離場(chǎng)。目前，只有韓國(guó)三星和海力士，占據(jù)絕對(duì)壟斷地位，在DRAM市場(chǎng)呼風(fēng)喚雨，賺得盆滿(mǎn)缽滿(mǎn)。
關(guān)鍵字： DRAM Flash

NOR Flash行業(yè)趨勢(shì)解讀：供不應(yīng)求或成常態(tài) 大陸存儲(chǔ)雄心勃勃

　　這個(gè)時(shí)間點(diǎn)我們討論Nor Flash行業(yè)趨勢(shì)與全年景氣度，一方面是Nor廠(chǎng)商二季度業(yè)績(jī)即將公布，而相關(guān)公司一季度業(yè)績(jī)沒(méi)有充分反映行業(yè)變化;另一方面是相關(guān)標(biāo)的與行業(yè)基本面也出現(xiàn)了變化(如Switch超預(yù)期大賣(mài)以及兆易創(chuàng)新收到證監(jiān)會(huì)反饋意見(jiàn)等)，同時(shí)我們調(diào)高AMOLED與TDDI Nor的需求拉動(dòng)預(yù)期，詳細(xì)測(cè)算供需缺口，以求對(duì)未來(lái)趨勢(shì)定性、定量研究; 　　汽車(chē)電子與工控拉動(dòng)行業(yè)趨勢(shì)反轉(zhuǎn) TDDI+AMOLED新需求錦上添花　　1、汽車(chē)與工控拉動(dòng)2016趨勢(shì)反轉(zhuǎn) 　　從各方面驗(yàn)證，2016年是NOR
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) NOR