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全快閃儲存導(dǎo)入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌
- 許多廠商開始將重心轉(zhuǎn)移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導(dǎo)入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長 在全快閃儲存陣列這類型產(chǎn)品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應(yīng)用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應(yīng)用環(huán)境，后來的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個階段： 第一階段是效能導(dǎo)向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產(chǎn)品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價格走揚
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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下半年NAND Flash一定缺貨，且會非常缺
- 全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應(yīng)。 慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達(dá)克掛牌以來新高，市值達(dá)1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向
- 中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。 某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年增長近7倍。 預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%，顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 拓墣
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TrendForce：2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能，預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片，相較于2015年增長近7倍。 TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%，顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
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Flash芯片你都認(rèn)識嗎？
- Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點;在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點，給大家一個全新認(rèn)識。 一、IIC?EEPROM IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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Flash與SAS硬碟價格2015年恐現(xiàn)死亡交叉
- 資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動，讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期，其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。 此外值得注意的是，TLC架構(gòu)的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預(yù)期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)
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手機標(biāo)稱16G內(nèi)存，為何實際卻少于16G
- 摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下： 我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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中國下個購并標(biāo)的：NAND Flash控制芯片
- 中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司，期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。現(xiàn)階段，邏輯晶片從設(shè)計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認(rèn)為，中資集團下一波購并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形，現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
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賽普拉斯推出業(yè)內(nèi)最快、支持?jǐn)U展溫度范圍的64Mb Quad SPI NOR閃存
- 嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日發(fā)布一款配備四串行外設(shè)接口(Quad SPI)的1.8V 、64Mb NOR閃存產(chǎn)品。借助Quad SPI接口，賽普拉斯FS-S NOR閃存家族中的這個最新成員能夠提供業(yè)內(nèi)最高的讀取帶寬和最快的編程速度，同時具備小巧的PCB布局，是視頻電子游戲機、高級駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)、汽車儀表盤及信息娛樂系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和機頂盒等高性能應(yīng)用的理想選擇?！ 「咝阅芟到y(tǒng)需要最高的讀取帶寬來執(zhí)行程序，同時需要小尺寸低引腳數(shù)的
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TrendForce：經(jīng)濟前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限
- 全球經(jīng)濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示，由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2016年NAND Fl
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掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增
- NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊，或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元，因此在實際應(yīng)用時，須搭配使用控制器，透過硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理，以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元，方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。 NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速，平均每1∼2年就前進(jìn)一個制程世代來降低成本，在售價大幅下降情況下，愈來愈多嵌入式系統(tǒng)，例如：藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機、印表機等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢，取代原本使用的NOR型快閃記
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