sk海力士 文章 進入sk海力士技術(shù)社區(qū)
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM
- 2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功開發(fā)出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。由此，公司向世界展現(xiàn)了10納米出頭的超微細化存儲工藝技術(shù)。SK海力士強調(diào)：“隨著10納米級DRAM技術(shù)的世代相傳，微細工藝的難度也隨之加大，但公司以通過業(yè)界最高性能得到認可的第五代（1b）技術(shù)力為基礎(chǔ)，提高了設(shè)計完成度，率先突破了技術(shù)極限。公司將在年內(nèi)完成1c DDR5 DRAM的量產(chǎn)準備，從明年開始供應產(chǎn)品，引領(lǐng)半導體存儲器市場發(fā)展?！惫疽?b DRAM
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自動駕駛汽車公司W(wǎng)aymo已搭載SK海力士HBM2E
- 8月15日消息，日前，SK海力士副總裁Kang Wook-seong透露，公司已經(jīng)開始將HBM引入汽車半導體，Waymo已搭載SK海力士的HBM2E。Kang Wook-seong表示，目前，汽車DRAM半導體正在從LPDDR 4轉(zhuǎn)向LPDDR 5，HBM最快三年內(nèi)、最遲五年內(nèi)將成為主流。他預測表示，當自動駕駛L3、L4級普及時，對HBM的需求將迅速增加，更高的計算能力對于L2.5級或更高級別的自動駕駛至關(guān)重要，HBM3在一塊芯片上每秒計算1TB，能夠滿足要求。根據(jù)外媒報道，SK海力士已向上游設(shè)備企業(yè)訂購
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三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試，預計今年底開始交付
- 三星去年10月就向英偉達提供了8層垂直堆疊的HBM3E（24GB）樣品，不過一直沒有通過英偉達的測試。此前有報道稱，已從多家供應鏈廠商了解到，三星的HBM3E很快會獲得認證，將在2024年第三季度開始發(fā)貨。據(jù)The Japan Times報道，三星的HBM3E終于通過了英偉達的所有測試項目，這將有利于其與SK海力士和美光爭奪英偉達計算卡所需要的HBM3E芯片訂單。雖然三星和英偉達還沒有最終確定供應協(xié)議，但是問題不大，預計今年底開始交付。值得一提的是，三星還有更先進的12層垂直堆疊HBM3E（32GB）樣品
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消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā)，400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒
- IT之家 8 月 1 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開發(fā)，計劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準備，2026 年二季度正式啟動大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品，并稱這一顆粒計劃于 2025 上半年實現(xiàn)量產(chǎn)?！?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說法，SK 海力士未來兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年，明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注：從代際發(fā)布間隔
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全球三大廠HBM沖擴產(chǎn) 明年倍增
- AI應用熱！SK海力士、三星及美光等全球前三大內(nèi)存廠，積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）產(chǎn)能擴充計劃，市場人士估計，2025年新增投片量約27.6萬片，總產(chǎn)能拉高至54萬片，年增105％。 HBM是AI芯片占比最高的零組件，根據(jù)外媒拆解，英偉達H100近3,000美元成本，SK海力士HBM成本就占2,000美元，超過生產(chǎn)封裝。HBM經(jīng)歷多次迭代發(fā)展，進入第四代HBM3和第五代HBM3E，AI芯片相繼采用HBM3E，SK海力士在2023年基本上是壟斷HBM3市場，而2024年HBM3與HBM3E訂單都滿載。美光2
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SK海力士砸750億美元 力拚AI
- 韓國SK集團30日宣布，旗下內(nèi)存制造商SK海力士將在2028年前投資103兆韓元（約750億美元）強化芯片事業(yè)，尤其將著重AI發(fā)展。SK集團日前剛結(jié)束為期兩天的策略會議，并于會后宣布全力發(fā)展AI價值鏈，將SK海力士的技術(shù)應用在高帶寬內(nèi)存芯片（HBM）、AI數(shù)據(jù)中心及AI語音助理等領(lǐng)域。SK集團指出，上述103兆韓元當中將有80％，也就是大約82兆韓元（約600億美元）投入發(fā)展HBM。 HBM廣泛應用在生成式AI芯片組，且SK海力士目前是輝達的HBM3獨家芯片供貨商。今年第一季SK海力士營收年增超過1倍至1
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SK海力士開發(fā)面向AI PC的高性能固態(tài)硬盤‘PCB01’
- - SK海力士28日宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI* PC的業(yè)界最高性能固態(tài)硬盤（SSD，Solid State Drive）產(chǎn)品‘PCB01’。* 端側(cè)（On-Device）AI：在設(shè)備本身上實現(xiàn)AI運行，而非依賴物理分離的服務器進行計算。由于智能手機或PC等終端設(shè)備自行收集信息并進行計算，可提升AI功能的反應速度、加強用戶定制性AI服務功能。SK海力士表示：“公司業(yè)界率先將PCB01適用了‘PCIe* 5.0 x8接口**’技術(shù)，以顯著提升數(shù)據(jù)處理速度等性能。繼HBM等超高性能DR
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%
- 6月25日消息，據(jù)媒體報道，SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上，重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果，展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息，SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進展，并首次詳細公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā)，并已取得重大突破。SK海力士透露，目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達56.1%，這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上，能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元，其中超過一半（即561個）為良
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美國對中國半導體制裁下：韓國最杯具 半導體設(shè)備賣不出庫存積壓嚴重
- 6月25日消息，據(jù)國外媒體報道稱，自從美國對中國實施半導體領(lǐng)域制裁以來，韓國最難受，因為其半導體舊設(shè)備庫存積壓嚴重。韓國半導體舊設(shè)備庫存積壓嚴重，倉儲成本讓三星電子、SK海力士非常難受，所以可能會進行一次全面清理，售賣來自美國和歐洲的舊設(shè)備，以換取數(shù)億美元現(xiàn)金。自2022年10月起美國開始限制對華半導體設(shè)備出口（包括二手設(shè)備）以來，韓國半導體制造商已將大部分舊設(shè)備放在倉庫中。在美國的壓力下，三星僅向中國出售較舊的、更容易制造的后段工藝設(shè)備，但不出售前段工藝設(shè)備；SK海力士同樣不出售來自美國、歐洲的舊的前段
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整合計算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案
- IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲器等多種功能的 HBM 類型，進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計相關(guān) IP 朝著這個目標邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上，賦予第
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會，展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲新品
- IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領(lǐng)域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤品類。在消費級固態(tài)硬盤領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認 PVC10 的具體讀寫性能，預計將強于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級固態(tài)硬盤方面，SK 海力
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲，預計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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消息稱 SK 海力士將為特斯拉代工生產(chǎn)電源管理芯片
- IT之家 5 月 16 日消息，韓國每日經(jīng)濟新聞報道稱，SK 海力士代工部門啟方半導體（SK Key Foundry）將于今年下半年開始為特斯拉生產(chǎn)電源管理（PMIC）芯片。▲ 圖源：SK Key Foundry業(yè)內(nèi)人士表示，SK 啟方半導體計劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產(chǎn)電源管理芯片，并安裝在特斯拉電動汽車上。除了特斯拉之外，SK 啟方半導體還在汽車功率半導體領(lǐng)域與多個全球車企展開合作，近期還通過了博世、大陸集團等全球領(lǐng)先汽車零部件公司的生產(chǎn)質(zhì)量審查。半導體
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DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價20％
- 5月15日消息，據(jù)市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠遠無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預計明年
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