sk海力士 文章 進(jìn)入sk海力士技術(shù)社區(qū)
SK 海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準(zhǔn)備進(jìn)入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進(jìn)行可靠度認(rèn)證。 半導(dǎo)體認(rèn)證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
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SK海力士、希捷聯(lián)盟成立合資公司 抗衡三星、英特爾
- 隨著2017年固態(tài)硬碟(SSD)占NAND Flash應(yīng)用比重將挑戰(zhàn)40%，全球儲存領(lǐng)域異業(yè)整合風(fēng)潮將邁向另一個高峰，繼硬碟龍頭廠西部數(shù)據(jù)(Western Digital;WD)購并NAND Flash存儲器大廠閃迪(SanDisk)，近期傳出SK海力士(SK Hynix)將與希捷(Seagate)策略聯(lián)盟成立合資公司，專攻企業(yè)云端SSD市場，成為握有HDD和SSD兩大儲存產(chǎn)品的新陣營，挑戰(zhàn)既有霸主三星電子(Samsung Electronics)及英特爾(Intel)，未來云端SSD可望是NAND
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SK海力士本月底將量產(chǎn)48層3D NAND Flash
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，傳聞SK海力士(SK Hynix)先前測試生產(chǎn)的48層3D NAND Flash產(chǎn)品已通過客戶端認(rèn)證，最快將從11月底正式啟動量產(chǎn);以12吋晶圓計算的月產(chǎn)能可望提高到2萬~3萬片，3D NAND Flash的生產(chǎn)比重也將提高至整體NAND Flash的15%。 業(yè)界除了三星電子(Samsung Electronics)已從2015年第4季起開始量產(chǎn)48層產(chǎn)品之外，其他如東芝(Toshiba)、美光(Micron)等，目前都尚未突破技術(shù)瓶頸，SK海力士將是第二家進(jìn)入量產(chǎn)的業(yè)者。
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SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達(dá)全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕?biāo)訂在2017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴(kuò)大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進(jìn)國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士全力發(fā)展CIS、PMIC及DDIC事業(yè)
- 傳聞2017年SK海力士(SK Hynix)將在利川12吋晶圓廠(M10)量產(chǎn)1,300萬畫素CMOS影像感測器(CIS)，并減少清州8吋晶圓廠(M8) 的低畫素CIS產(chǎn)量，M8廠空出的產(chǎn)能將進(jìn)行代工生產(chǎn)顯示器驅(qū)動IC(DDIC)、電源管理IC(PMIC)等系統(tǒng)半導(dǎo)體，全力發(fā)展非存儲器半導(dǎo)體事業(yè)。 據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，SK海力士的非存儲器半導(dǎo)體事業(yè)發(fā)展方向日前定案，已進(jìn)入執(zhí)行階段;SK海力士并以45億韓元(約397萬美元)向子公司Silicon File取得相關(guān)資產(chǎn)設(shè)備。Silicon F
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SK海力士Q3獲利勝預(yù)期，看好第四季存儲器市況
- 韓國第二大存儲器廠SK 海力士周二公布第三季獲利盡管大減近五成，但仍優(yōu)于市場預(yù)期，激勵股價盤中走揚(yáng)。 海力士7-9月營業(yè)利潤賺進(jìn)7,259億韓圈(6.41億美元)，雖然較去年同期降低47.5%，但高于路透社調(diào)查預(yù)估的6,720億韓圈。如與前季相比，營業(yè)利潤跳增60.3%，較能反映存儲器近期價格回漲。 當(dāng)季營收來到4.2兆韓圈，較去年同期衰退13.8%。受財報利多消息激勵，海力士早盤于韓股盤中勁揚(yáng)3.11%、暫報41,400韓圈，今年迄今累計漲幅達(dá)34.8%。 海力士在聲明稿上表示，電腦存儲
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SK海力士與美史丹佛大學(xué)攜手研發(fā)類人腦半導(dǎo)體元件
- SK海力士(SK Hynix)與美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)以及相關(guān)設(shè)備及材料業(yè)者合作，將共同研發(fā)結(jié)構(gòu)類似人類腦神經(jīng)構(gòu)造的新半導(dǎo)體元件，期盼能提升巨量資料(Big Data)的運(yùn)算速度，加速人工智能(AI)時代來臨。 據(jù)韓國經(jīng)濟(jì)報導(dǎo)，日前SK海力士與美國史丹佛大學(xué)簽約，將合作研發(fā)利用鐵電材料(Ferroelectrics)的人工神經(jīng)網(wǎng)路半導(dǎo)體元件(Artificial Neural Network Devices)。這項研究計劃的參與單位還包括半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者科林研發(fā)(
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存儲器市場還能熱多久？SK海力士年K線飆35%、還將續(xù)漲20%？
- 據(jù)海外媒體報道，存儲器價格超夯，今年至今韓廠SK 海力士 (SK Hynix )已經(jīng)飆升35%，部分外資相當(dāng)樂觀，預(yù)言還有20%上行空間。 巴倫(Barronˋs)14日報導(dǎo)，DRAM價格上漲，帶動SK海力士一路攀高。DRAMeXchange預(yù)估，第三季DRAM價格將季增9%，第四季價格可能會再飆將近30%。有鑒于此，摩根士丹利(大摩)的Shawn Kim估計，SK海力士股價可望續(xù)漲20%。 大摩報告稱，時序邁向Q4，DRAM和NAND價格表現(xiàn)都優(yōu)于預(yù)期，也勝過SK海力士的預(yù)估。DRAM投
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居全球第六大 SK海力士積極擴(kuò)展CIS事業(yè)
- 據(jù)海外媒體報道，SK海力士(SK Hynix)計劃在韓國利川12吋晶圓廠M10上投產(chǎn)CMOS影像傳感器(CIS)一事備受外界關(guān)注。分析指出，SK海力士將能強(qiáng)化自家CIS事業(yè)競爭力，并有望在目前正在更迭的市場版圖上取得甜頭。 韓媒ETNews報導(dǎo)指出，SK海力士此舉代表著，想要正式挑戰(zhàn)非存儲器市場的企圖心。過去這段期間，SK海力士不斷苦惱著，在利川12吋新廠M14啟動后，該如何使用M10廠。因為如果將M10 DRAM生產(chǎn)量移轉(zhuǎn)至M14，M10里的產(chǎn)線將會閑置。雖然SK海力士曾經(jīng)表示過，M10之后可
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