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	sk 海力士
      

      
	
      
    	
      
    	  	
      
              	
                                
      
                  

                                
      
                    
      紫光入股韓國海力士半導體遭拒
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 　　北京時間11月27日下午消息，韓國芯片制造商SK海力士發(fā)言人今天表示，該公司拒絕了紫光集團的合作要約，但并未提供詳細信息。 最近有媒體報道稱，紫光集團計劃收購海力士最多20%的股權。但該發(fā)言人拒絕對此置評。 紫光集團發(fā)言人稱，該公司尚未留意相關事項。
　　

 
　　SK海力士股價周三和周四累計大漲8.4%，但周五午盤下跌0.6%。
　　紫光集團今年早些時候斥資230億美元洽購美光集團，同樣遭到拒絕。但知情人士表示，該公司尚未放棄這項交易。
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      • 關鍵字：
                        紫光  海力士                          
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      SK集團跨足半導體材料 斥資4.1億美元收購OCI Materials
      
                                                            
        
                    	
      • 　　SK控股(SKHoldings)于23日召開理事會，決定收購49.1%的OCIMaterials股權，以每股9.3萬韓元(約80美元)收購價來看，估計SK控股以4,816億韓元(約4.1億美元)代價入主OCIMaterials，SK集團(SKGroup)也正式進軍半導體材料領域。
　　根據(jù)韓媒MoneyToday的報導，SK集團(SKGroup)24日對外宣布，SK控股已于23日召開理事會，決定出資4.1億美元，收購49.1%的OCIMaterials股權，該股權的原本持有者為韓國OCI。據(jù)了解，這
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      • 關鍵字：
                        SK  半導體                          
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      紫光欲借道SK海力士進入內存領域
      
                                                            
        
                    	
      • 清華紫光在政策助力下，一年來動作頻頻，大舉并購相關半導體廠商外，也不斷對臺灣放話，最新消息是在南亞科前總經(jīng)理高啟全的牽線下，紫光正與 SK Hynix 洽談合作的可能，想藉此切入 NAND Flash 市場。
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      • 關鍵字：
                        紫光  SK Hynix                          
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      DRAM現(xiàn)貨價跌破2美元 歷史新低
      
                                                            
        
                    	
      • 　　動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價持續(xù)破底，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價已跌破2美元大關，達1.96美元，創(chuàng)歷史新低價。
　　DRAM市場庫存問題依然嚴重，DRAM現(xiàn)貨價如預期持續(xù)滑落，據(jù)市調機構集邦科技調查，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價滑落至1.96美元，創(chuàng)下歷史新低價。
　　第4季來DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。
　　南亞科預期，DRAM價格可望逐步趨于穩(wěn)定，第4季產(chǎn)品價格將較第3季微幅下滑。
　　只是集邦科技對DRAM后市看法相對保守，表示目前市場已
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      • 關鍵字：
                        DRAM  海力士                          
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      鴻海、SK 合作升級
      
                                                            
        
                    	
      • 　　郭崔會即將登場，據(jù)SK集團透露，SK集團會長崔泰源即將來臺與鴻海董事長郭臺銘相見歡，且時間就在9月初，外界揣測透過此次會面，雙方將會在業(yè)務上邁大步，合作范圍可望一路由半導體、興建智慧工廠，擴展到共同開拓印度市場。
　　今年年初，鴻海集團宣布與SK C&C聯(lián)手，打造全新的IT服務合作公司，前進大陸市場，為鴻海和SK集團的合作揭開序幕，如今雙方的合作又將推出升級版。
　　據(jù)悉郭、崔二人系在瑞士每年舉行的世界經(jīng)濟論壇(達沃斯論壇)上結緣，兩人相談甚歡，當時，郭臺銘立馬提議買下崔泰源手中的SK C
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      • 關鍵字：
                        鴻海  SK                           
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      三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國存儲器雙雄掀軍備競賽
      
                                                            
        
                    	
      • 　　昨日南韓半導體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴產(chǎn)計畫，隔天三星即宣布新廠下個月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場正式進入新一輪的軍備競賽。
　　三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產(chǎn)線過去幾個月已進行過試產(chǎn)，年底將全面啟用。
　　另外，三星目前在平澤市還有一半導體廠正在興建，三星計畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對單一半導體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來十年內將投
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      • 關鍵字：
                        三星  海力士                          
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      海力士擴產(chǎn) DRAM不妙
      
                                                            
        
                    	
      • 　　全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預計2024年前竣工。近期DRAM價格好不容易出現(xiàn)止跌訊號，市場憂心，SK海力士大舉擴產(chǎn)，長期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。
　　外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因為大規(guī)模的支出可能導致供給過剩，或引爆價格戰(zhàn)，這對三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。
　　受市場憂心SK海力士大舉擴產(chǎn)影響，南亞科昨天股價在臺股大漲逾265點下
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      • 關鍵字：
                        海力士  DRAM                          
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      三星大敵當前，海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解
      
                                                            
        
                    	
      • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識，海力士周三宣布，與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達成和解，與此同時，雙方還將擴大專利合作，正式成為伙伴關系。
　　SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機密泄漏給海力士，但在雙方達成和解后，SanDisk已同意撤回官司。 海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進一步就專利授權取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權利金，并供應DRAM予SanDisk，時間將持續(xù)至2023年。 海力士與東芝的官司去
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      • 關鍵字：
                        海力士  SanDisk                          
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      海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲器9月量產(chǎn)出貨
      
                                                            
        
                    	
      • 　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進入量產(chǎn)階段，預計9月開始對客戶出貨。
　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報導，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場水溫后，48層產(chǎn)品明年才會投產(chǎn)。 海力士(SK Hynix)上周公布第二季財報遜于預期，受PC用DRAM需求低迷影響，當季營業(yè)利潤僅1.37兆韓圜，低于分析師預估的1.44兆韓圜。 由于PC本季市況依舊
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      • 關鍵字：
                        海力士  NAND                          
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      海力士高頻寬存儲器封裝圖文揭密
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 　　過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。
　　

 
　　圖1：HBM模組橫截面示意圖
　　(來
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      • 關鍵字：
                        海力士  存儲器                          
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      海力士高頻寬存儲器封裝揭密
      
                                                            
                                        
        
                    	
      • 　　過去幾個月來，TechInsights的拆解團隊一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。
　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術堆疊了四個DRAM晶片以及一個邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實現(xiàn)晶片至晶片間連接。
　　圖1顯示四個DRAM晶片與一個邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
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      • 關鍵字：
                        海力士  存儲器                          
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      拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設備
      
                                                            
        
                    	
      • 　　記憶體大廠整軍經(jīng)武，準備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉進新制程，拉高戰(zhàn)力。
　　韓媒etnews 6日報導，記憶體大廠爭相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉進3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D 
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      • 關鍵字：
                        SK 海力士  DRAM                          
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      三星移動DRAM市占破5成，臺廠邊緣化、海力士也挨打
      
                                                            
        
                    	
      • 三星移動終端受挫，但是呢人家在DRAM領域悶聲發(fā)大財。
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                        三星  SK 海力士                          
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      突破細微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術
      
                                                            
        
                    	
      • 　　全球第2大NAND型快閃存儲器 (Flash Memory)廠商東芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導體露光技術「納米壓印技術(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關鍵技術，目標為在2017年實用化。
　　東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權案一事達成和解，海力士(
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                        東芝  海力士                          
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      DRAM樂觀 NAND有隱憂
      
                                                            
        
                    	
      • 　　記憶體市況今年將不同調;動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)市場可望維持穩(wěn)定獲利，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場則有隱憂。
　　DRAM市場步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。
　　臺塑集團旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進超過1個股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀錄。
　　NAND Flash市場競爭、變化相對激烈，且難以預料;去年下半
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                        DRAM  三星  海力士  NAND Flash                          
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