EEPW首頁(yè) >>
主題列表 >>
sk 海力士
sk 海力士 文章 進(jìn)入sk 海力士技術(shù)社區(qū)
海力士進(jìn)行內(nèi)部組織重整強(qiáng)化后段制程
- 海力士半導(dǎo)體(Hynix)近來(lái)決定將制造部門(mén)分為前段制程和后段制程部門(mén)，并進(jìn)行組織及人事重整作業(yè)。海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲就任后，任命樸星昱擔(dān)任副社長(zhǎng)職務(wù)，并首度進(jìn)行組織改編，以強(qiáng)化后段制程、強(qiáng)化產(chǎn)線應(yīng)用效益、調(diào)動(dòng)老員工以賦予組織緊張感、任期內(nèi)成效最大化等，頗有為親政而架構(gòu)新格局的意味。 海力士的制造部門(mén)將分為制造1部和制造2部，1部負(fù)責(zé)制造廠業(yè)務(wù)，2部則處理封裝及測(cè)試事宜。1部部長(zhǎng)確定由采購(gòu)室長(zhǎng)姜東均(譯名)、2部部長(zhǎng)由質(zhì)量管理室長(zhǎng)白東源接管，而目前的采購(gòu)室則由大陸無(wú)錫廠企劃管理團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)官姜聲錫(譯名)
- 關(guān)鍵字： 海力士 半導(dǎo)體
惠普宣布與海力士合作開(kāi)發(fā)新型內(nèi)存
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，惠普周二宣布與韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場(chǎng)。 據(jù)一份聲明顯示，兩家公司將合作開(kāi)發(fā)新型材料和技術(shù)，實(shí)現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會(huì)采用由惠普實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)?；萜战衲甏杭痉Q(chēng)表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。 ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
- 關(guān)鍵字： 海力士 內(nèi)存 ReRAM
海力士開(kāi)始26nm的NAND閃存量產(chǎn)
- 韓國(guó)海力士聲稱(chēng)，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開(kāi)始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。 該公司在2月時(shí)曾報(bào)道擬進(jìn)行20納米級(jí)的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。 海力士稱(chēng)它的芯片是26nm的一種，有人稱(chēng)20nm級(jí)產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
- 關(guān)鍵字： 海力士 20納米 NAND
現(xiàn)代重工CEO：有興趣收購(gòu)海力士半導(dǎo)體
- 韓國(guó)現(xiàn)代重工(HyundaiHeavyIndustriesCo.)仍在考慮收購(gòu)海力士半導(dǎo)體公司(HynixSemiconductorInc.)。 根據(jù)《每日經(jīng)濟(jì)新聞》(MaeilBusinessNewspaper)29日?qǐng)?bào)道，現(xiàn)代重工首席執(zhí)行官LeeJai-Seong表示，該公司還沒(méi)有認(rèn)真的審核對(duì)海力士半導(dǎo)體的收購(gòu)可能，但從未完全放棄對(duì)該芯片公司的興趣。 他表示，這家現(xiàn)金充裕的造船企業(yè)被一些相關(guān)方聯(lián)系有關(guān)收購(gòu)海力士半導(dǎo)體事宜。海力士半導(dǎo)體是世界收入第二大的芯片廠商。
- 關(guān)鍵字： 海力士 內(nèi)存芯片
海力士第二季度營(yíng)收27.2億美元 同比增96%
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片制造商海力士周四發(fā)布了該公司2010年第二季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，受內(nèi)存芯片價(jià)格上漲及PC銷(xiāo)量增長(zhǎng)的推動(dòng)，海力士第二季度業(yè)績(jī)超過(guò)了市場(chǎng)預(yù)期。 在截至6月30日的第二季度，海力士?jī)衾麧?rùn)為6648億韓元(約合5.502億美元)。這一業(yè)績(jī)好于上年同期，2009年第二季度，海力士?jī)籼潛p為580億韓元。海力士第二季度營(yíng)收同比增長(zhǎng)96%，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的3.28萬(wàn)億韓元(約合27.2億美元)。海力士第二季度運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)為7465億韓元，高于去年同期的運(yùn)營(yíng)虧損6525億韓元。海力士
- 關(guān)鍵字： 海力士 內(nèi)存芯片
第三季度DRAM價(jià)格或下滑
- 據(jù)韓國(guó)ET NEWS報(bào)導(dǎo)，過(guò)去1年2個(gè)月期間呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的DRAM價(jià)格，可能將再度下滑。預(yù)期第3季DRAM價(jià)格將小幅下滑后止跌，但第4季將會(huì)有大幅的下滑趨勢(shì)。雖韓國(guó)企業(yè)的凈利也將減少，但對(duì)臺(tái)灣企業(yè)打擊可能更大。 據(jù)相關(guān)業(yè)者及證券師指出，自2009年4月持續(xù)上升的DRAM價(jià)格進(jìn)入第3季后可能會(huì)有 5%的價(jià)格下滑。業(yè)界相關(guān)人員表示，第3季DRAM價(jià)格依據(jù)PC業(yè)者的調(diào)降要求，可能會(huì)有5%的下滑，但DRAM供貨貨量有限制，因此下滑幅度應(yīng)不大。 摩根大通(JP Morgan Chase &
- 關(guān)鍵字： 海力士 DRAM 40納米
LG重申無(wú)意接手經(jīng)營(yíng)南韓芯片制造商海力士
- 樂(lè)金集團(tuán)(LG Group)重申，該公司無(wú)意接手經(jīng)營(yíng)南韓芯片制造商海力士(Hynix Semiconductor Inc. KR-000660)。 據(jù)彭博報(bào)導(dǎo)，首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)稍早報(bào)導(dǎo)，海力士的債權(quán)銀行要求樂(lè)金集團(tuán)經(jīng)營(yíng)接管海力士。 樂(lè)金集團(tuán)發(fā)言人Lee Hyoung Kun指出：“我們的立場(chǎng)不變，亦即我們無(wú)意接管海力士。”此外，他拒絕對(duì)報(bào)導(dǎo)置評(píng)。 根據(jù)報(bào)導(dǎo)，這些債權(quán)銀行還提議樂(lè)金集團(tuán)剛開(kāi)始先購(gòu)入5%的股權(quán)，隨后再自行決定是否要進(jìn)一步買(mǎi)進(jìn)其他10%的股份。據(jù)了解，這
- 關(guān)鍵字： 海力士 芯片制造
海力士增資11億美元實(shí)施44納米技術(shù)升級(jí)
- 在全球集成電路存儲(chǔ)器領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位的無(wú)錫海力士—恒億半導(dǎo)體有限公司迎來(lái)了又一次產(chǎn)品技術(shù)升級(jí)的契機(jī)。6月18日，韓國(guó)海力士株式會(huì)社與無(wú)錫新區(qū)在南京簽約，將增資11億美元用于擴(kuò)大44納米產(chǎn)品的產(chǎn)能。省委書(shū)記梁保華、省長(zhǎng)羅志軍會(huì)見(jiàn)了韓國(guó)海力士株式會(huì)社社長(zhǎng)權(quán)五哲一行，并出席項(xiàng)目簽約儀式。 梁保華在會(huì)見(jiàn)時(shí)對(duì)無(wú)錫海力士半導(dǎo)體封裝項(xiàng)目剛剛實(shí)現(xiàn)竣工投產(chǎn)表示祝賀。他說(shuō)，無(wú)錫海力士封裝項(xiàng)目順利投產(chǎn)和44納米技術(shù)升級(jí)項(xiàng)目簽約，標(biāo)志著我們雙方的合作達(dá)到了一個(gè)新的水平。當(dāng)前信息產(chǎn)業(yè)面臨著新的發(fā)展機(jī)遇，海力士
- 關(guān)鍵字： 海力士 封裝
傳海力士債權(quán)機(jī)構(gòu)于6月中出售5%股份
- 據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)(Korea Economic Daily)指出，海力士債權(quán)機(jī)構(gòu)計(jì)劃于2010年6月中之后，以成批出售(block sale)的方式出售約5%的股份，然韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)并未提供消息來(lái)源。此外，該報(bào)導(dǎo)稱(chēng)海力士將采用毒性賣(mài)權(quán)(Poison put)避免惡意購(gòu)并競(jìng)標(biāo)。 海力士債權(quán)機(jī)構(gòu)韓國(guó)外匯銀行(Korea Exchange Bank)于先前表示，海力士的債權(quán)人將在2010年出售13%的股權(quán)，其中8%將在2010年上半賣(mài)出，其余5%將在下半年出售。
- 關(guān)鍵字： 海力士 芯片制造 存儲(chǔ)器芯片
海力士半導(dǎo)體斥資3.73億美元用于擴(kuò)大芯片產(chǎn)能
- 韓國(guó)芯片制造企業(yè)海力士半導(dǎo)體周二表示，公司將投資4560億韓圓(約合3.734億美元)用于擴(kuò)大及升級(jí)芯片產(chǎn)能。 報(bào)道稱(chēng)，海力士半導(dǎo)體是全球第二大存儲(chǔ)器芯片制造商，公司最近將其2010年資本支出計(jì)劃規(guī)模提高了三分之一，達(dá)到3.05萬(wàn)億(兆)韓圓。
- 關(guān)鍵字： 海力士 芯片制造 存儲(chǔ)器芯片
海力士將與斗山共同開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體基板原料
- 海力士半導(dǎo)體(Hynix)宣布，將與斗山電子(Doosan Electro-Materials)共同開(kāi)發(fā)可縮小半導(dǎo)體印刷電路板(PCB)體積近25%的新PCB原料。利用此技術(shù)，使用Tenting(蓬蓋式)制程也可縮小半導(dǎo)體封裝基板的銅線路線寬近25%，至25μm，也將可使PCB基板面積隨之縮小。為實(shí)現(xiàn)25μm的線寬，已采用MSAP(Modified Semi-Addictive Process)制法，然此制法存在較原始方法制程復(fù)雜且困難，所需費(fèi)用也增加20%的問(wèn)題。 海力士和斗山為解
- 關(guān)鍵字： 海力士 半導(dǎo)體
海力士半導(dǎo)體決定終止與恒億建立的合資企業(yè)
- 海力士半導(dǎo)體決定通過(guò)回購(gòu)恒億所持合資企業(yè)的21%股份以終止雙方合資企業(yè)的合作關(guān)系，此舉符合市場(chǎng)廣泛預(yù)期。 綜合外電5月31日?qǐng)?bào)道，以收入計(jì)全球第二大電腦存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體公司(HynixSemiconductorInc.)決定終止與恒億公司(Numonyx)建立的合資企業(yè)，前者將以4.23億美元回購(gòu)后者所持合資企業(yè)的21%股份。 2010年早些時(shí)候，美光科技公司(MicronTechnologyInc)以12.7億美元收購(gòu)了恒億公司，此后市場(chǎng)廣泛預(yù)期海力士半導(dǎo)體公司將作出上述決定。
- 關(guān)鍵字： 海力士 存儲(chǔ)芯片
擴(kuò)大市占 海力士2012年前擬投資近80億美元
- 韓國(guó)媒體Korea Times獨(dú)家獲得海力士(Hynix)內(nèi)部資料，顯示該公司在2012年前，將投注9兆韓元(約79.4億美元)的資本支出金額。由于不少大型存儲(chǔ)器廠商提高投資，預(yù)料競(jìng)爭(zhēng)將加劇。 除提高投資外，該份名為「財(cái)務(wù)穩(wěn)健中期策略(Mid-Term Strategies for Financial Soundness)」的文件亦顯示，海力士在2012年的營(yíng)收目標(biāo)為12兆韓元，較2010年的10兆韓元成長(zhǎng)20%，而全球DRAM市占率可望提高至 25%，NAND Flash的市占率則可望達(dá)到20
- 關(guān)鍵字： 海力士 存儲(chǔ)器
sk 海力士介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條sk 海力士!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)sk 海力士的理解，并與今后在此搜索sk 海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)sk 海力士的理解，并與今后在此搜索sk 海力士的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
sk 海力士專(zhuān)欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473