在本系列第六篇文章中，我們介紹了傳統(tǒng)封裝的組裝流程。本文將是接下來的兩篇文章中的第一集，重點介紹半導體封裝的另一種主要方法——晶圓級封裝(WLP)。本文將探討晶圓級封裝的五項基本工藝，包括：光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝、光刻膠去膠(PR Stripping)工藝和金屬刻蝕(Metal Etching)工藝。封裝完整晶圓晶圓級封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級封裝分為扇入型晶圓級芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇
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海力士 封裝工藝
IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產線中已有兩成用于 HBM 內存的生產。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內存的兩倍乃至三倍。內存企業(yè)唯有提升產線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會
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2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領AI浪潮的標志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無數大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過一浪。 在這波浪潮中，伴隨著人才、數據、算力的不斷升級，AI產業(yè)正展現出巨大的潛力和應用前景，并在多個領域展現出重要作用。AI的快速發(fā)展對算力的需求呈現井噴的態(tài)勢，全球算力規(guī)模超高速增長。在這場浪潮中，最大的受益者無疑是英偉達，其憑借在GPU領域的優(yōu)勢脫穎而出，然
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近期，三大存儲原廠陸續(xù)公布財報情況。西部數據：2024財年第三財季營收34.57億美元，同比增長23%。在Non-GAAP會計準則下，西部數據凈利潤為2.10億美元，上年同期凈虧損為4.35億美元，成功扭虧為盈。按業(yè)務劃分，西部數據該季云業(yè)務營收為15.53億美元，同比增長29%；客戶業(yè)務營收為11.74億美元，同比增長20%；消費者業(yè)務營收為7.30億美元，同比增長17%。按產品來看，西部數據NAND閃存營收達17.05億美元，HDD營收17.52億美元。展望下一季度，西部數據預計公司營收為36.0億-
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·結合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元·第一季度收入創(chuàng)同期歷史新高，營業(yè)利潤創(chuàng)同期歷史第二高·由于eSSD銷量增加及價格上升，NAND閃存成功實現扭虧為盈·“憑借面向AI的存儲器頂尖競爭力，將持續(xù)改善公司業(yè)績”2024年4月25日，SK海力士發(fā)布截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務報告。公司2024財年第一季度結合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元。2024財年第一季度營業(yè)利潤率為2
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·雙方就HBM4研發(fā)和下一代封裝技術合作簽署諒解備忘錄·通過采用臺積電的先進制程工藝，提升HBM4產品性能·“以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方合作的方式，突破面向AI應用的存儲器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術，將與臺積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計劃與臺積電合作開發(fā)預計在2026年投產的HBM4，即第六代HBM產品。SK海力士表示：“公司作為AI應用的存儲器領域的領先者，與全球頂級邏輯代
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據韓聯社報道，韓國SK創(chuàng)新旗下電池部門SK On可能會按照客戶需求，從2026年開始大規(guī)模量產磷酸鐵鋰（LFP）電池。SK On首席執(zhí)行官兼總裁Lee Seok-hee在2024年首爾電池儲能展覽會上表示：“公司內部已經完成了磷酸鐵鋰電池的自主研發(fā)，如果我們與客戶完成協商，將從2026年開始實現量產。”Lee Seok-hee預計，通常用于中短續(xù)航里程電動汽車的磷酸鐵鋰電池的市場需求將迎來激增。Source: Getty Images分析觀點深度解析盡管磷酸鐵鋰電池的能量密度較低，導致電動汽車的續(xù)航里程相
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· 繼HBM3，其擴展版HBM3E也率先進入量產階段· 研發(fā)完成后僅隔7個月開始向客戶供貨，期待能實現最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲技術全球領先地位，并鞏固業(yè)務競爭力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產超高性能用于AI的存儲器新產品HBM3E*，將在3月末開始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開發(fā)完成HBM3E后，僅隔7個月取得的成果。SK海力士表示，“繼HBM3，公司實現了全球首次向客戶供應現有DRAM最高性能的HBM3E。將通過成功HBM3
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2月1日消息，存儲一哥三星2023年的日子不太好過，全年利潤暴跌84.9%，確實沒辦法，不過他們保持樂觀態(tài)度。2023年IT市場整體低迷，尤其是存儲芯片價格暴跌的背景下，三星全年營收為258.94萬億韓元，同比減少14.3%；營業(yè)利潤為6.57萬億韓元，同比下滑84.9%。按照三星的說法，2024年上半年業(yè)績會回暖，其中以存儲產品價格回暖最為明顯，相關SSD等產品漲價不會停止，只會更猛烈。NAND芯片價格止跌回升后，目前報價仍與三星、鎧俠、SK海力士、美光等供應商達到損益兩平點有一段差距。國內重量級NAN
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1 月 22 日消息，隨著企業(yè)和消費者對人工智能（AI）應用興趣的日益濃厚，對人工智能芯片的需求也在強勢上漲。因擔心人工智能芯片短缺，美國 AI 初創(chuàng)公司 OpenAI 正在討論解決方案，促使以 OpenAI 為代表的 AI 研發(fā)企業(yè)開始考慮走上自己生產 AI 芯片的道路。根據多家外媒的報道，OpenAI 希望成立一家芯片制造公司，因此 OpenAI CEO 薩姆?阿爾特曼（Sam Altman）正在說服更多潛在投資者加入這一計劃。韓國東亞日報稱，阿爾特曼本周訪問韓國首爾，期間可能同 SK 集團會長崔泰源
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據英飛凌官網消息，近日，英飛凌已與碳化硅 (SiC) 供應商 SK Siltron CSS 正式達成協議。據悉，SK Siltron CSS將為英飛凌提供具有競爭力的高質量150mm SiC晶圓，支持SiC半導體的生產。在后續(xù)階段，SK Siltron CSS將在協助英飛凌向200 mm 晶圓直徑過渡方面發(fā)揮重要作用。據了解，英飛凌首席采購官 Angelique van der Burg 表示：“對于英飛凌來說，供應鏈彈性意味著實施多供應商戰(zhàn)略，并在逆境中蓬勃發(fā)展，創(chuàng)造新的增長機會并推
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疫情后數字時代的復蘇，使得世界數字經濟快速發(fā)展、數據產業(yè)百業(yè)待興，因此數據存儲市場也逐漸迎來活力；存儲市場經歷了價格戰(zhàn)，減產維穩(wěn)到“硬漲價”，每一步都讓我們看到了日益激烈的競爭勢態(tài)。當然，在面對挑戰(zhàn)和威脅的時候，也激勵著存儲技術持續(xù)突破。與此同時，環(huán)境的不確定性驟增，人工智能、閃存等技術的快速發(fā)展，也讓市場競爭格局分化，各細分領域爭奪激烈。存儲器是集成電路的重要組成部分，根據WSTS統(tǒng)計，2022年全球半導體市場規(guī)模達到5741億美金，其中集成電路市場規(guī)模4744億美金，占比 82.6%，存儲器的市場規(guī)模
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在2024年即將到來之際，多家機構給出預測，認定生成式AI將成為2024年的增長重點之一。回顧2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI熱潮，不僅僅是下游市場的AI應用，這股大火一直燒到了上游芯片領域，根據權威機構預測，2023年和2024年，AI服務器將有38%左右的增長空間。隨著GPU等AI芯片走向高峰的同時，也極大帶動了市場對新一代內存芯片HBM（高帶寬內存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我們先來了解一下什么是HBM。HBM全稱為High Bandwich Me
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11 月 28 日消息，上周就有研究機構的數據顯示，在人工智能聊天機器人 ChatGPT 大火帶動的人工智能領域應用需求增加的推動下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市場的份額達到了 35%，是他們自成立以來市場份額最高的一個季度。而從最新報告來看，DRAM 市場份額在三季度創(chuàng)下新高的 SK 海力士，也縮小了同競爭對手三星電子在這一產品領域的市場份額差距。研究機構的報告顯示，SK 海力士 DRAM 產品在三季度的銷售額為 46.3 億美元，環(huán)比增長 34.59%；三星電子 DRAM 三季度的銷售額則是
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