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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET的控制電路

　　前言　　Panansonic電工的PhotoMOS在輸出中采用了光電元件和功率MOSFET，是作為微小模擬信號(hào)用而開(kāi)發(fā)出的SSD，以高功能型的HF型為首，正逐步擴(kuò)展系列，如通用型的GU型、高頻型的RF型。　　上次介紹了PhotoMOS的概要，此次將介紹內(nèi)置在PhotoMOS中構(gòu)成控制電路的獨(dú)特的光電元件的特點(diǎn)、構(gòu)造、布線(xiàn)等。　　FET型MOSFET輸出光電耦合器的基本電路　　圖1是PhotoMOS中具有代表性的、即所謂的FET型MOSFET輸出光電耦合器的最基本電路。在該電路中由于輸出
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瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

　　高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)瑞薩電子)已于近日宣布開(kāi)始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。　　本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲(chǔ)器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)
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Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2

　　b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開(kāi)發(fā) 　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿(mǎn)足大眾進(jìn)一步的需求，本公司開(kāi)發(fā)出了“可通過(guò)機(jī)械實(shí)現(xiàn)、并擁有所有觸點(diǎn)構(gòu)成(b觸點(diǎn)、c觸點(diǎn))”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。　　為實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，我們?cè)诠β蔒OSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
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IR 推出為 D 類(lèi)應(yīng)用優(yōu)化的汽車(chē)用 DirectFET2 功率 MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布推出汽車(chē)用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類(lèi)音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車(chē) D 類(lèi)音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營(yíng)，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來(lái)改善總諧波失真
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基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制

采用功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開(kāi)關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生、驅(qū)動(dòng)、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計(jì)及測(cè)試結(jié)果，并對(duì)其應(yīng)用特點(diǎn)進(jìn)行了分析和討論。
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Diodes 推出小型SOT963封裝器件

　　Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過(guò)采用更大封裝的器件。　　Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿(mǎn)足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。　　現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線(xiàn)包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號(hào)雙MOS
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算

我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門(mén)電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
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電源設(shè)計(jì)小貼士17：緩沖反向轉(zhuǎn)換器

之前，我們介紹了如何對(duì)正向轉(zhuǎn)換器輸出整流器開(kāi)啟期間兩端的電壓進(jìn)行緩沖?，F(xiàn)在，我們來(lái)研究如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的 FET 關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于
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Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

　　前言: 　　Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進(jìn)行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間，在全世界的銷(xiāo)量達(dá)到八億個(gè)，堪稱(chēng)是一款銷(xiāo)售成績(jī)驕人的商品。“PhotoMOS”滿(mǎn)足了小型·輕量·薄形化的需求，作為適應(yīng)電子化的輸出光電耦合器，增加了①高靈敏性、高速響應(yīng);②從傳感器輸入信號(hào)水平到高頻的控制;③從聲音信號(hào)到高頻用途的對(duì)應(yīng);④高可靠性和長(zhǎng)使用壽命;⑤可進(jìn)行表面安裝的SMD型;⑥多功能
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英飛凌推出30V車(chē)用 MOSFET

　　英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T
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英飛凌推出一款30V功率MOSFET

　　英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車(chē)推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿(mǎn)足客戶(hù)對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大
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IR 拓展具有低導(dǎo)通電阻的汽車(chē)用 MOSFET 系列

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 今天宣布拓展了針對(duì)低導(dǎo)通電阻(RDS(on))應(yīng)用的汽車(chē)用功率 MOSFET 專(zhuān)用系列，包括車(chē)載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。　　新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達(dá) 2.6 mΩ 的導(dǎo)通電阻，可以承受 40V 至100V 的電壓，并涵蓋了此前推出的 75V 產(chǎn)品。當(dāng)中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車(chē)系統(tǒng)，采用 D2Pak-7P
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Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。　　隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因?yàn)榘存I和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
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IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開(kāi)關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開(kāi)關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。　　新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過(guò)大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶(hù)的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。　　IR
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2009年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)評(píng)選結(jié)果揭曉

　　2010年6月8日，由中國(guó)電子技術(shù)權(quán)威雜志《電子產(chǎn)品世界》舉辦的“2009年度電源產(chǎn)品評(píng)選”活動(dòng)在“第七屆綠色電源與電源管理技術(shù)研討會(huì)”舉行了頒獎(jiǎng)典禮。社長(zhǎng)陳秋娜女士宣布了最終的獲獎(jiǎng)結(jié)果，中國(guó)電源學(xué)會(huì)常務(wù)理事長(zhǎng)李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎(jiǎng)廠(chǎng)商代表進(jìn)行頒獎(jiǎng)。本次活動(dòng)中共收到來(lái)自近20家國(guó)內(nèi)外電源廠(chǎng)商提交的五大類(lèi)別60多款產(chǎn)品，經(jīng)網(wǎng)上票選和專(zhuān)家測(cè)評(píng)最終的分別選出最佳創(chuàng)新獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)產(chǎn)品，另外還同時(shí)從所有參選產(chǎn)品中特別評(píng)選出了兩款綠色電源獎(jiǎng)產(chǎn)品獎(jiǎng)。
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